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1. (WO2019045808) RESISTIVE RANDOM ACCESS MEMORY DEVICE CONTAINING DISCRETE MEMORY MATERIAL PORTIONS AND METHOD OF MAKING THEREOF
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Veröff.-Nr.: WO/2019/045808 Internationale Anmeldenummer PCT/US2018/034312
Veröffentlichungsdatum: 07.03.2019 Internationales Anmeldedatum: 24.05.2018
IPC:
H01L 45/00 (2006.01) ,H01L 29/49 (2006.01) ,H01L 27/24 (2006.01)
H Elektrotechnik
01
Grundlegende elektrische Bauteile
L
Halbleiterbauelemente; elektrische Festkörperbauelemente, soweit nicht anderweitig vorgesehen
45
Festkörperbauelemente, besonders ausgebildet zum Gleichrichten, Verstärken, Schalten oder zur Schwingungserzeugung ohne Potenzialsprung-Sperrschicht oder Oberflächensperrschicht, z.B. dielektrische Trioden; Ovshinsky-Effekt-Bauelemente; Verfahren oder Vorrichtungen, besonders ausgebildet für die Herstellung oder Behandlung dieser Bauelemente oder Teilen davon
H Elektrotechnik
01
Grundlegende elektrische Bauteile
L
Halbleiterbauelemente; elektrische Festkörperbauelemente, soweit nicht anderweitig vorgesehen
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Halbleiterbauelemente, besonders ausgebildet zum Gleichrichten, Verstärken, Schalten oder zur Schwingungserzeugung mit wenigstens einer Potenzialsprung-Sperrschicht oder Oberflächensperrschicht; Kondensatoren oder Widerstände mit wenigstens einer Potenzialsprung-Sperrschicht oder Oberflächensperrschicht, z.B. PN-Übergang mit Verarmungs- oder Anreicherungsschicht; Einzelheiten von Halbleiterkörpern oder von Elektroden auf diesen Halbleiterkörpern
40
Elektroden
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gekennzeichnet durch das Material, aus dem sie bestehen
49
Metall-Isolator-Halbleiter [MIS]-Elektroden
H Elektrotechnik
01
Grundlegende elektrische Bauteile
L
Halbleiterbauelemente; elektrische Festkörperbauelemente, soweit nicht anderweitig vorgesehen
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Bauelemente, die aus einer Mehrzahl von in oder auf einem gemeinsamen Substrat ausgebildeten Halbleiter- oder anderen Festkörperschaltungselementen bestehen [integrierte Schaltungen]
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mit Festkörperschaltungselementen zum Gleichrichten, Verstärken oder Schalten ohne Potenzialsprung-Sperrschicht oder Oberflächensperrschicht
Anmelder:
SANDISK TECHNOLOGIES LLC [US/US]; 5080 Spectrum Drive Suite 1050W Addison, Texas 75001, US
Erfinder:
UNO, Tomohiro; US
KATAOKA, Shiori; US
YOSHIDA, Yusuke; US
Vertreter:
RADOMSKY, Leon; US
COHN, Joanna; US
CONNOR, David; US
GAYOSO, Tony; US
GEMMELL, Elizabeth; US
GILL, Matthew; US
GREGORY, Shaun; US
GUNNELS, Zarema; US
HANSEN, Robert; US
HUANG, Stephen; US
HYAMS, David; US
JOHNSON, Timothy; US
MAZAHERY, Benjamin; US
MURPHY, Timothy; US
NGUYEN, Jacqueline; US
O'BRIEN, Michelle; US
PARK, Byeongju; US
RUTT, Steven; US
SIMON, Phyllis; US
SMITH, Jackson; US
SULSKY, Martin; US
Prioritätsdaten:
15/692,23031.08.2017US
Titel (EN) RESISTIVE RANDOM ACCESS MEMORY DEVICE CONTAINING DISCRETE MEMORY MATERIAL PORTIONS AND METHOD OF MAKING THEREOF
(FR) DISPOSITIF DE MÉMOIRE RÉSISTIVE À ACCÈS ALÉATOIRE CONTENANT DES PARTIES DE MATÉRIAU DE MÉMOIRE DISCRÈTES ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
Zusammenfassung:
(EN) An alternating stack of insulating layers and electrically conductive layers is formed over a substrate. Sidewalls of the electrically conductive layers are laterally recessed to form laterally recessed regions. After formation of a conformal barrier material layer in the laterally recessed regions and on the sidewalls of the insulating layers, an amorphous precursor memory material layer is deposited in lateral cavities and over the conformal barrier material layer. An anneal process is performed to selectively crystallize portions of the amorphous precursor memory material layer in the lateral cavities into crystalline memory material portions while not crystallizing portions of the amorphous precursor memory material outside the lateral cavities. Remaining amorphous portions of the amorphous precursor memory material layer are removed selective to the crystalline memory material portions. A vertical conductive line is formed on the crystalline memory material portions. The crystalline memory material portions are formed as discrete self-aligned material portions.
(FR) Selon la présente invention, un empilement alterné de couches isolantes et de couches électriquement conductrices est formé sur un substrat. Les parois latérales des couches électriquement conductrices sont évidées latéralement pour former des régions évidées latéralement. Après la formation d'une couche de matériau barrière conforme dans les régions évidées latéralement et sur les parois latérales des couches isolantes, une couche de matériau de mémoire précurseur amorphe est déposée dans des cavités latérales et sur la couche de matériau barrière conforme. Un processus de recuit est effectué pour cristalliser sélectivement des parties de la couche de matériau de mémoire précurseur amorphe dans les cavités latérales en des parties de matériau de mémoire cristallin tout en ne cristallisant pas des parties du matériau de mémoire de précurseur amorphe à l'extérieur des cavités latérales. Les parties amorphes restantes de la couche de matériau de mémoire précurseur amorphe sont éliminées de manière sélective par rapport aux parties de matériau de mémoire cristallin. Une ligne conductrice verticale est formée sur les parties de matériau de mémoire cristallin. Les parties de matériau de mémoire cristallin se présentent sous la forme de parties de matériau auto-alignées discrètes.
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Designierte Staaten: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
African Regional Intellectual Property Organization (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasische Patentorganisation (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Europäisches Patentamt (EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Veröffentlichungssprache: Englisch (EN)
Anmeldesprache: Englisch (EN)