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1. (WO2019045786) SYSTEMS AND METHODS FOR DATA PATH POWER SAVINGS IN DDR5 MEMORY DEVICES
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Veröff.-Nr.: WO/2019/045786 Internationale Anmeldenummer PCT/US2018/027822
Veröffentlichungsdatum: 07.03.2019 Internationales Anmeldedatum: 16.04.2018
IPC:
G11C 7/10 (2006.01) ,G11C 8/12 (2006.01) ,G06F 1/32 (2006.01)
G Physik
11
Informationsspeicherung
C
Statische Speicher
7
Anordnungen zum Einschreiben oder Auslesen von Informationen in einen bzw. aus einem digitalen Speicher
10
Eingabe/Ausgabe [I/O]-Datenschnittstellenanordnungen, z.B. I/O-Datensteuerungen, I/O-Datenpuffer
G Physik
11
Informationsspeicherung
C
Statische Speicher
8
Anordnungen zur Adressenauswahl für einen digitalen Speicher
12
Gruppenauswahlschaltungen, z.B. zur Speicherblockauswahl, Chipauswahl, Matrixauswahl
G Physik
06
Datenverarbeitung; Rechnen; Zählen
F
Elektrische digitale Datenverarbeitung
1
Einzelheiten von Einrichtungen der Datenverarbeitung, soweit diese nicht von den Gruppen G06F3/-G06F13/140
26
Stromversorgungsanordnungen, z.B. deren Regelung
32
Anordnungen zur Leistungseinsparung
Anmelder:
MICRON TECHNOLOGY, INC [US/US]; 8000 South Federal Way Boise, Idaho 83707, US
Erfinder:
KANDIKONDA, Ravi Kiran; US
Vertreter:
MANWARE, Robert A.; US
FLETCHER, Michael G.; US
YODER, Patrick S.; US
POWELL, W. Allen; US
RARIDEN, John M.; US
SWANSON, Tait R.; US
BAKKER, Jila; US
SINCLAIR, JR., Steven J.; US
OSTERHAUS, Matthew G.; US
DOOLEY, Matthew C.; US
HENWOOD, Matthew C.; US
KANTOR, Andrew L.; US
WIMMER, Lance G.; US
BELLAH, Sean J.; US
THOMAS, Jim; US
CORLEY, David; US
Prioritätsdaten:
15/693,17331.08.2017US
Titel (EN) SYSTEMS AND METHODS FOR DATA PATH POWER SAVINGS IN DDR5 MEMORY DEVICES
(FR) SYSTÈMES ET PROCÉDÉS POUR DES ÉCONOMIES D'ÉNERGIE DE CHEMIN DE DONNÉES DANS DES DISPOSITIFS DE MÉMOIRE DDR5
Zusammenfassung:
(EN) A memory device includes a data path having a data bus. The memory derive further includes a first one-hot communications interface communicatively coupled to the data bus, and a second one-hot communications interface communicatively coupled to the data bus. The memory device additionally includes at least one memory bank, and an input/output (I/O) interface communicatively coupled to the at least one memory bank via the first one-hot communications interface and the second one-hot communications interface, wherein the first one-hot communications interface is configured to convert a first data pattern received by the I/O interface into one-hot signals transmitted via the data bus to the second one-hot communications interface, and wherein the second one-hot communications interface is configured to convert the one-hot signals into the first data pattern to be stored in the at least one memory bank.
(FR) L'invention concerne un dispositif de mémoire qui comprend un chemin de données comportant un bus de données. Le dispositif de mémoire comprend en outre une première interface de communication 1 parmi n couplée en communication au bus de données, et une seconde interface de communication 1 parmi n couplée en communication au bus de données. Le dispositif de mémoire comprend en outre au moins un bloc mémoire, et une interface d'entrée/sortie (E/S) couplée en communication avec le ou les blocs mémoire par l'intermédiaire de la première interface de communication 1 parmi n et de la seconde interface de communication 1 parmi n, la première interface de communication 1 parmi n étant configurée pour convertir un premier motif de données reçu par l'interface E/S en signaux 1 parmi n transmis par l'intermédiaire du bus de données à la seconde interface de communication 1 parmi n, et la seconde interface de communication 1 parmi n étant configurée pour convertir les signaux 1 parmi n dans le premier motif de données à stocker dans le ou les blocs mémoire.
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Designierte Staaten: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
African Regional Intellectual Property Organization (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasische Patentorganisation (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Europäisches Patentamt (EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Veröffentlichungssprache: Englisch (EN)
Anmeldesprache: Englisch (EN)