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1. (WO2019045652) PHOTODETECTOR
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Veröff.-Nr.: WO/2019/045652 Internationale Anmeldenummer PCT/SG2018/050446
Veröffentlichungsdatum: 07.03.2019 Internationales Anmeldedatum: 04.09.2018
IPC:
H01L 31/0232 (2014.01) ,H01L 31/0304 (2006.01) ,H01L 31/105 (2006.01)
H Elektrotechnik
01
Grundlegende elektrische Bauteile
L
Halbleiterbauelemente; elektrische Festkörperbauelemente, soweit nicht anderweitig vorgesehen
31
Halbleiterbauelemente, die auf Infrarot-Strahlung, Licht, elektromagnetische Strahlung kürzerer Wellenlänge als Licht oder Korpuskularstrahlung ansprechen und besonders ausgebildet sind, entweder für die Umwandlung der Energie einer derartigen Strahlung in elektrische Energie oder für die Steuerung elektrischer Energie durch eine derartige Strahlung eingerichtet sind; Verfahren oder Vorrichtungen, besonders ausgebildet für die Herstellung oder Behandlung dieser Halbleiterbauelemente oder Teilen davon; Einzelheiten dieser Bauelemente
02
Einzelheiten
0232
Optische Elemente oder Anordnungen, die mit dem Bauelement baulich vereinigt sind
H Elektrotechnik
01
Grundlegende elektrische Bauteile
L
Halbleiterbauelemente; elektrische Festkörperbauelemente, soweit nicht anderweitig vorgesehen
31
Halbleiterbauelemente, die auf Infrarot-Strahlung, Licht, elektromagnetische Strahlung kürzerer Wellenlänge als Licht oder Korpuskularstrahlung ansprechen und besonders ausgebildet sind, entweder für die Umwandlung der Energie einer derartigen Strahlung in elektrische Energie oder für die Steuerung elektrischer Energie durch eine derartige Strahlung eingerichtet sind; Verfahren oder Vorrichtungen, besonders ausgebildet für die Herstellung oder Behandlung dieser Halbleiterbauelemente oder Teilen davon; Einzelheiten dieser Bauelemente
0248
gekennzeichnet durch die Halbleiterkörper
0256
gekennzeichnet durch das Material
0264
Anorganische Materialien
0304
nur mit AIIIBV-Verbindungen, abgesehen von Dotierungsmaterialien oder anderen Fremdstoffen
H Elektrotechnik
01
Grundlegende elektrische Bauteile
L
Halbleiterbauelemente; elektrische Festkörperbauelemente, soweit nicht anderweitig vorgesehen
31
Halbleiterbauelemente, die auf Infrarot-Strahlung, Licht, elektromagnetische Strahlung kürzerer Wellenlänge als Licht oder Korpuskularstrahlung ansprechen und besonders ausgebildet sind, entweder für die Umwandlung der Energie einer derartigen Strahlung in elektrische Energie oder für die Steuerung elektrischer Energie durch eine derartige Strahlung eingerichtet sind; Verfahren oder Vorrichtungen, besonders ausgebildet für die Herstellung oder Behandlung dieser Halbleiterbauelemente oder Teilen davon; Einzelheiten dieser Bauelemente
08
in denen die Strahlung den Stromfluss durch das Bauelement steuert, z.B. Fotowiderstände
10
gekennzeichnet durch wenigstens eine Potenzialsprung-Sperrschicht oder Oberflächensperrschicht, z.B. Fototransistoren
101
Bauelemente die auf infrarote, sichtbare oder ultraviolette Strahlung ansprechen
102
gekennzeichnet durch genau eine Potenzialsprung-Sperrschicht oder Oberflächensperrschicht
105
wobei die Sperrschicht durch einen PIN-Übergang gebildet wird
Anmelder:
NANYANG TECHNOLOGICAL UNIVERSITY [SG/SG]; 50 Nanyang Avenue, Singapore 639798, SG
THALES SOLUTIONS ASIA PTE LTD [SG/SG]; 21 Changi North Rise, Singapore 498788, SG
CENTRE NATIONAL DE LA RECHERCHE SCIENTIFIQUE [FR/FR]; 3 rue Michel-Ange, 75794 Paris Cedex 16, FR
Erfinder:
ZHANG, Dao Hua; SG
TONG, Jinchao; SG
TOBING, Landobasa Yosef Mario Alexander Lumban; SG
QIU, Shupeng; SG
Vertreter:
ONG, Jean Li, Magdelene; SG
Prioritätsdaten:
10201707146W04.09.2017SG
Titel (EN) PHOTODETECTOR
(FR) PHOTODÉTECTEUR
Zusammenfassung:
(EN) A photodetector (10) is provided. The photodetector (10) includes a substrate (12), a p-type semiconductor region (14) on the substrate (12), an intrinsic semiconductor region (16) on the p-type semiconductor region (14), an n-type semiconductor region (18) on the intrinsic semiconductor region (16), a surface plasmonic structure (20) on the n-type semiconductor region (18), a cathode (22) electrically connected to the n-type semiconductor region (18), and an anode (24) electrically connected to the p-type semiconductor region (14).
(FR) L'invention concerne un photodétecteur (10). Le photodétecteur (10) comprend un substrat (12), une région semi-conductrice de type p (14) sur le substrat (12), une région semi-conductrice intrinsèque (16) sur la région semi-conductrice de type p (14), une région semi-conductrice de type n (18) sur la région semi-conductrice intrinsèque (16), une structure plasmonique de surface (20) sur la région semi-conductrice de type n (18), une cathode (22) connectée électriquement à la région semi-conductrice de type n (18), et une anode (24) connectée électriquement à la région semi-conductrice de type p (14).
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Designierte Staaten: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
African Regional Intellectual Property Organization (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasische Patentorganisation (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Europäisches Patentamt (EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Veröffentlichungssprache: Englisch (EN)
Anmeldesprache: Englisch (EN)