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1. (WO2019045088) HIGH FREQUENCY MODULE AND METHOD FOR PRODUCING SAME
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Veröff.-Nr.: WO/2019/045088 Internationale Anmeldenummer PCT/JP2018/032529
Veröffentlichungsdatum: 07.03.2019 Internationales Anmeldedatum: 03.09.2018
IPC:
H01L 23/00 (2006.01) ,H01L 21/56 (2006.01) ,H01L 23/02 (2006.01) ,H01L 25/04 (2014.01) ,H01L 25/065 (2006.01) ,H01L 25/07 (2006.01) ,H01L 25/18 (2006.01) ,H05K 1/02 (2006.01) ,H05K 3/00 (2006.01) ,H05K 3/28 (2006.01) ,H05K 9/00 (2006.01)
H Elektrotechnik
01
Grundlegende elektrische Bauteile
L
Halbleiterbauelemente; elektrische Festkörperbauelemente, soweit nicht anderweitig vorgesehen
23
Einzelheiten von Halbleiter- oder anderen Festkörperbauelementen
H Elektrotechnik
01
Grundlegende elektrische Bauteile
L
Halbleiterbauelemente; elektrische Festkörperbauelemente, soweit nicht anderweitig vorgesehen
21
Verfahren oder Geräte, besonders ausgebildet für die Herstellung oder Behandlung von Halbleiter- oder Festkörperbauelementen oder Teilen davon
02
Herstellung oder Behandlung von Halbleiterbauelementen oder Teilen davon
04
Bauelemente mit mindestens einer Potenzialsprung-Sperrschicht oder Oberflächensperrschicht, z.B. PN-Übergang, Verarmungsschicht, Anreicherungsschicht
50
Zusammenbau von Halbleiterbauelementen unter Verwendung von Verfahren oder Vorrichtungen, soweit nicht in einer der Untergruppen H01L21/06-H01L21/326180
56
Einkapselungen, z.B. Schutzschichten, Überzüge
H Elektrotechnik
01
Grundlegende elektrische Bauteile
L
Halbleiterbauelemente; elektrische Festkörperbauelemente, soweit nicht anderweitig vorgesehen
23
Einzelheiten von Halbleiter- oder anderen Festkörperbauelementen
02
Gehäuse; Abdichtungen
H Elektrotechnik
01
Grundlegende elektrische Bauteile
L
Halbleiterbauelemente; elektrische Festkörperbauelemente, soweit nicht anderweitig vorgesehen
25
Baugruppen, die aus einer Mehrzahl von einzelnen Halbleiter- oder anderen Festkörperbauelementen bestehen
03
wobei alle Bauelemente von einer Art sind, wie sie in der gleichen Untergruppe einer der Gruppen H01L27/-H01L51/148
04
wobei die Bauelemente keine gesonderten Gehäuse besitzen
H Elektrotechnik
01
Grundlegende elektrische Bauteile
L
Halbleiterbauelemente; elektrische Festkörperbauelemente, soweit nicht anderweitig vorgesehen
25
Baugruppen, die aus einer Mehrzahl von einzelnen Halbleiter- oder anderen Festkörperbauelementen bestehen
03
wobei alle Bauelemente von einer Art sind, wie sie in der gleichen Untergruppe einer der Gruppen H01L27/-H01L51/148
04
wobei die Bauelemente keine gesonderten Gehäuse besitzen
065
wobei die Bauelemente von einer Art sind, wie sie in Gruppe H01L27/87
H Elektrotechnik
01
Grundlegende elektrische Bauteile
L
Halbleiterbauelemente; elektrische Festkörperbauelemente, soweit nicht anderweitig vorgesehen
25
Baugruppen, die aus einer Mehrzahl von einzelnen Halbleiter- oder anderen Festkörperbauelementen bestehen
03
wobei alle Bauelemente von einer Art sind, wie sie in der gleichen Untergruppe einer der Gruppen H01L27/-H01L51/148
04
wobei die Bauelemente keine gesonderten Gehäuse besitzen
07
wobei die Bauelemente von einer Art sind, wie sie in Gruppe H01L29/87
H Elektrotechnik
01
Grundlegende elektrische Bauteile
L
Halbleiterbauelemente; elektrische Festkörperbauelemente, soweit nicht anderweitig vorgesehen
25
Baugruppen, die aus einer Mehrzahl von einzelnen Halbleiter- oder anderen Festkörperbauelementen bestehen
18
wobei die Bauelemente aus Arten bestehen, wie sie in verschiedenen Untergruppen ein- und derselben Hauptgruppe H01L27/-H01L51/162
H Elektrotechnik
05
Elektrotechnik, soweit nicht anderweitig vorgesehen
K
Gedruckte Schaltungen; Gehäuse oder konstruktive Einzelheiten von elektrischen Geräten; Herstellung von Baugruppen aus elektrischen Elementen
1
Gedruckte Schaltungen
02
Einzelheiten
H Elektrotechnik
05
Elektrotechnik, soweit nicht anderweitig vorgesehen
K
Gedruckte Schaltungen; Gehäuse oder konstruktive Einzelheiten von elektrischen Geräten; Herstellung von Baugruppen aus elektrischen Elementen
3
Geräte oder Verfahren zum Herstellen gedruckter Schaltungen
H Elektrotechnik
05
Elektrotechnik, soweit nicht anderweitig vorgesehen
K
Gedruckte Schaltungen; Gehäuse oder konstruktive Einzelheiten von elektrischen Geräten; Herstellung von Baugruppen aus elektrischen Elementen
3
Geräte oder Verfahren zum Herstellen gedruckter Schaltungen
22
Zweitbehandlung von gedruckten Schaltungen
28
Aufbringen nichtmetallischer Schutzschichten
H Elektrotechnik
05
Elektrotechnik, soweit nicht anderweitig vorgesehen
K
Gedruckte Schaltungen; Gehäuse oder konstruktive Einzelheiten von elektrischen Geräten; Herstellung von Baugruppen aus elektrischen Elementen
9
Abschirmen von Geräten oder Schaltelementen gegen elektrische oder magnetische Felder
Anmelder:
株式会社村田製作所 MURATA MANUFACTURING CO., LTD. [JP/JP]; 京都府長岡京市東神足1丁目10番1号 10-1, Higashikotari 1-chome, Nagaokakyo-shi, Kyoto 6178555, JP
Erfinder:
大坪 喜人 OTSUBO, Yoshihito; JP
山口 理 YAMAGUCHI, Osamu; JP
Vertreter:
梁瀬 右司 YANASE, Yuji; JP
木村 公一 KIMURA, Koichi; JP
丸山 陽介 MARUYAMA, Yosuke; JP
Prioritätsdaten:
2017-16927404.09.2017JP
Titel (EN) HIGH FREQUENCY MODULE AND METHOD FOR PRODUCING SAME
(FR) MODULE HAUTE FRÉQUENCE ET SON PROCÉDÉ DE PRODUCTION
(JA) 高周波モジュールおよびその製造方法
Zusammenfassung:
(EN) Provided is a high frequency module which has stable shielding performance, and wherein a shield layer and a ground electrode of an external substrate are connected to each other by a conductor pin, thereby decreasing the shield resistance. A high frequency module 1 according to the present invention is provided with: a substrate 2; a first component 4 that is mounted on an upper surface 2a of the substrate 2; a second component 5 that is mounted on a lower surface 2b of the substrate 2; an upper sealing resin layer 6 and a lower sealing resin layer 7; a conductor pin 8; and a shield layer 9. The conductor pin 8 has: a terminal part 8a which is exposed from a lower surface 7a of the lower sealing resin layer 7 and is connected to a ground electrode of an external substrate; and a shield connection part 8b which is exposed from a lateral surface 7b of the lower sealing resin layer 7 and is connected to the shield layer 9. Since the terminal part 8a of the conductor pin 8 is connected to the ground electrode, the shield layer 9 is connected to the ground potential with the shortest distance and thus the shield resistance is able to be decreased.
(FR) L'invention concerne un module haute fréquence dont la performance de blindage est stable, et dans lequel une couche de blindage et une électrode de masse d'un substrat externe sont connectées l'une à l'autre au moyen d'une broche conductrice, réduisant ainsi la résistance de blindage. Le module haute fréquence (1) comprend : un substrat (2) ; un premier composant (4) qui est monté sur une surface supérieure (2a) du substrat (2) ; un second composant (5) qui est monté sur une surface inférieure (2b) du substrat (2) ; une couche de résine d'étanchéité supérieure (6) et une couche de résine d'étanchéité inférieure (7) ; une broche conductrice (8) ; et une couche de blindage (9). La broche conductrice (8) présente : une partie borne (8a) qui est exposée depuis une surface inférieure (7a) de la couche de résine d'étanchéité inférieure (7) et connectée à une électrode de masse d'un substrat externe ; et une partie connexion de blindage (8b) qui est exposée depuis une surface latérale (7b) de la couche de résine d'étanchéité inférieure (7) et connectée à la couche de blindage (9). Étant donné que la partie borne (8a) de la broche conductrice (8) est connectée à l'électrode de masse, la couche de blindage (9) est connectée au potentiel de masse par la distance la plus courte, d'où une diminution de la résistance de blindage.
(JA) シールド層と外部基板のグランド電極を導体ピンにより接続し、シールド抵抗を下げ、シールド性能の安定した高周波モジュールを提供する。 高周波モジュール1は、基板2と基板2の上面2aに実装された第1部品4と、基板2の下面2bに実装された第2部品5と、上側封止樹脂層6および下側封止樹脂層7と、導体ピン8と、シールド層9とを備える。導体ピン8は、下側封止樹脂層7の下面7aから露出し外部基板のグランド電極に接続される端子部8aと、下側封止樹脂層7の側面7bから露出しシールド層9に接続されるシールド接続部8bとを有する。導体ピン8の端子部8aがグランド電極に接続されることにより、シールド層9が最短距離でグランド電位に接続され、シールド抵抗を下げることができる。
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Designierte Staaten: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
African Regional Intellectual Property Organization (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasische Patentorganisation (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Europäisches Patentamt (EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Veröffentlichungssprache: Japanisch (JA)
Anmeldesprache: Japanisch (JA)