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1. (WO2019044921) SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME
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Veröff.-Nr.: WO/2019/044921 Internationale Anmeldenummer PCT/JP2018/032004
Veröffentlichungsdatum: 07.03.2019 Internationales Anmeldedatum: 29.08.2018
IPC:
H01L 29/78 (2006.01) ,H01L 29/06 (2006.01) ,H01L 29/12 (2006.01)
H Elektrotechnik
01
Grundlegende elektrische Bauteile
L
Halbleiterbauelemente; elektrische Festkörperbauelemente, soweit nicht anderweitig vorgesehen
29
Halbleiterbauelemente, besonders ausgebildet zum Gleichrichten, Verstärken, Schalten oder zur Schwingungserzeugung mit wenigstens einer Potenzialsprung-Sperrschicht oder Oberflächensperrschicht; Kondensatoren oder Widerstände mit wenigstens einer Potenzialsprung-Sperrschicht oder Oberflächensperrschicht, z.B. PN-Übergang mit Verarmungs- oder Anreicherungsschicht; Einzelheiten von Halbleiterkörpern oder von Elektroden auf diesen Halbleiterkörpern
66
Typen von Halbleiterbauelementen
68
steuerbar allein durch den einer Elektrode, die nicht den gleichzurichtenden, zu verstärkenden oder zu schaltenden Strom führt, zugeführten elektrischen Strom oder durch das an eine solche Elektrode angelegte elektrische Potenzial
76
Unipolar-Bauelemente
772
Feldeffekt-Transistoren
78
mit Feldeffekt, der durch ein isoliertes Gate hervorgerufen ist
H Elektrotechnik
01
Grundlegende elektrische Bauteile
L
Halbleiterbauelemente; elektrische Festkörperbauelemente, soweit nicht anderweitig vorgesehen
29
Halbleiterbauelemente, besonders ausgebildet zum Gleichrichten, Verstärken, Schalten oder zur Schwingungserzeugung mit wenigstens einer Potenzialsprung-Sperrschicht oder Oberflächensperrschicht; Kondensatoren oder Widerstände mit wenigstens einer Potenzialsprung-Sperrschicht oder Oberflächensperrschicht, z.B. PN-Übergang mit Verarmungs- oder Anreicherungsschicht; Einzelheiten von Halbleiterkörpern oder von Elektroden auf diesen Halbleiterkörpern
02
Halbleiterkörper
06
gekennzeichnet durch ihre Form; gekennzeichnet durch die Formen, relativen Größen oder Anordnungen der Halbleiterbereiche
H Elektrotechnik
01
Grundlegende elektrische Bauteile
L
Halbleiterbauelemente; elektrische Festkörperbauelemente, soweit nicht anderweitig vorgesehen
29
Halbleiterbauelemente, besonders ausgebildet zum Gleichrichten, Verstärken, Schalten oder zur Schwingungserzeugung mit wenigstens einer Potenzialsprung-Sperrschicht oder Oberflächensperrschicht; Kondensatoren oder Widerstände mit wenigstens einer Potenzialsprung-Sperrschicht oder Oberflächensperrschicht, z.B. PN-Übergang mit Verarmungs- oder Anreicherungsschicht; Einzelheiten von Halbleiterkörpern oder von Elektroden auf diesen Halbleiterkörpern
02
Halbleiterkörper
12
gekennzeichnet durch die Materialien, aus denen sie bestehen
Anmelder:
株式会社デンソー DENSO CORPORATION [JP/JP]; 愛知県刈谷市昭和町1丁目1番地 1-1, Showa-cho, Kariya-city, Aichi 4488661, JP
トヨタ自動車株式会社 TOYOTA JIDOSHA KABUSHIKI KAISHA [JP/JP]; 愛知県豊田市トヨタ町1番地 1, Toyota-cho, Toyota-shi, Aichi 4718571, JP
Erfinder:
箕谷 周平 MITANI Shuhei; JP
梶 愛子 KAJI Aiko; JP
海老原 康裕 EBIHARA Yasuhiro; JP
永岡 達司 NAGAOKA Tatsuji; JP
青井 佐智子 AOI Sachiko; JP
Vertreter:
特許業務法人ゆうあい特許事務所 YOU-I PATENT FIRM; 愛知県名古屋市中区錦一丁目6番5号 名古屋錦シティビル4階 Nagoya Nishiki City Bldg. 4F 1-6-5, Nishiki, Naka-ku, Nagoya-shi, Aichi 4600003, JP
Prioritätsdaten:
2017-16688231.08.2017JP
Titel (EN) SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME
(FR) DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR AU CARBURE DE SILICIUM ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
(JA) 炭化珪素半導体装置およびその製造方法
Zusammenfassung:
(EN) This silicon carbide semiconductor device is provided with: a first current dispersion layer (13), which is formed between an n- type layer (12) and a base region (18), and which is formed of a first conductivity-type silicon carbide having an impurity concentration that is higher than that of the n- type layer (12); a plurality of first deep layers (14), which are formed in the first current dispersion layer (13) such that the first deep layers are shallower than the first current dispersion layer (13), said first deep layers being formed of a second conductivity-type silicon carbide extending in one direction; a second current dispersion layer (15), which is formed between the first current dispersion layer (13) and the base region (18), and in which a bottom section of a trench (21) is positioned, said second current dispersion layer being formed of a first conductivity-type silicon carbide; and a second deep layer 17, which is formed between the first current dispersion layer (13) and the base region (18), and which is connected to the base region (18) and the first deep layers (14), said second deep layer being formed of a second conductivity-type silicon carbide that is formed by being separated from the trench (21).
(FR) L'invention concerne un dispositif à semi-conducteur au carbure de silicium, comportant : une première couche de dispersion de courant (13), qui est disposée entre une couche de type n- (12) et une région de support (18), et qui est constituée d'un premier carbure de silicium à conductivité ayant une concentration en impuretés supérieure à celle de la couche de type n- (12) ; une pluralité de premières couches profondes (14), qui sont disposées dans la première couche de dispersion de courant (13) de sorte que les premières couches profondes sont moins profondes que la première couche de dispersion de courant (13), lesdites premières couches profondes étant constituées d'un second carbure de silicium à conductivité s'étendant dans une direction ; une seconde couche de dispersion de courant (15), qui est disposée entre la première couche de dispersion de courant (13) et la région de support (18), et dans laquelle une section inférieure d'une tranchée (21) est placée, ladite seconde couche de dispersion de courant étant constituée d'un premier carbure de silicium à conductivité ; et une seconde couche profonde (17), qui est disposée entre la première couche de dispersion de courant (13) et la région de support (18), et qui est reliée à la région de support (18) et aux premières couches profondes (14), ladite seconde couche profonde étant constituée d'un second carbure de silicium à conductivité formé de manière à être séparé de la tranchée (21).
(JA) 型層(12)とベース領域(18)との間に形成され、n型層(12)よりも高不純物濃度とされた第1導電型の炭化珪素からなる第1電流分散層(13)と、第1電流分散層(13)内に形成され、第1電流分散層(13)より浅くされると共に一方向に延設された第2導電型の炭化珪素からなる複数の第1ディープ層(14)と、第1電流分散層(13)とベース領域(18)との間に形成され、トレンチ(21)の底部が位置し、第1導電型の炭化珪素からなる第2電流分散層(15)と、第1電流分散層(13)とベース領域(18)との間に形成され、ベース領域(18)と繋がると共に第1ディープ層(14)と繋がり、かつトレンチ(21)から離れて形成された第2導電型の炭化珪素からなる第2ディープ層17と、を備えるようにする。
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Designierte Staaten: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Afrikanische regionale Organisation für geistiges Eigentum (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasisches Patentamt (EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Europäisches Patentamt (EPA) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Afrikanische Organisation für geistiges Eigentum (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Veröffentlichungssprache: Japanisch (JA)
Anmeldesprache: Japanisch (JA)