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1. (WO2019044464) SOLID-STATE IMAGING DEVICE AND METHOD FOR CONTROLLING SOLID-STATE IMAGING DEVICE
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Veröff.-Nr.: WO/2019/044464 Internationale Anmeldenummer PCT/JP2018/030106
Veröffentlichungsdatum: 07.03.2019 Internationales Anmeldedatum: 10.08.2018
IPC:
H04N 5/359 (2011.01) ,H01L 27/146 (2006.01) ,H04N 5/369 (2011.01)
H Elektrotechnik
04
Elektrische Nachrichtentechnik
N
Bildübertragung, z.B. Fernsehen
5
Einzelheiten von Fernsehsystemen
30
Umwandeln von Licht oder ähnlicher Information in elektrische Information
335
unter Verwendung von Festkörper- /Halbleiter-Bildsensoren [SSIS]
357
Rauschverarbeitung, z.B. Detektion, Korrektur, Reduktion oder Eliminierung / Unterdrückung des Rauschens
359
angewandt bei durch die Belichtung erzeugter Überschussladung, z.B. Smear-Effekt, Blooming, Geisterbilder, Übersprechen oder Leckströme zwischen Pixeln
H Elektrotechnik
01
Grundlegende elektrische Bauteile
L
Halbleiterbauelemente; elektrische Festkörperbauelemente, soweit nicht anderweitig vorgesehen
27
Bauelemente, die aus einer Mehrzahl von in oder auf einem gemeinsamen Substrat ausgebildeten Halbleiter- oder anderen Festkörperschaltungselementen bestehen [integrierte Schaltungen]
14
mit Halbleiterschaltungselementen, die auf Infrarot-Strahlung, Licht, elektromagnetische Strahlung kürzerer Wellenlänge als Licht oder Korpuskularstrahlung ansprechen und besonders ausgebildet sind, entweder für die Umwandlung der Energie einer derartigen Strahlung in elektrische Energie oder für die Steuerung elektrischer Energie durch eine derartige Strahlung
144
Strahlungsgesteuerte Bauelemente
146
Strukturen für Bildaufnahmeeinheiten
H Elektrotechnik
04
Elektrische Nachrichtentechnik
N
Bildübertragung, z.B. Fernsehen
5
Einzelheiten von Fernsehsystemen
30
Umwandeln von Licht oder ähnlicher Information in elektrische Information
335
unter Verwendung von Festkörper- /Halbleiter-Bildsensoren [SSIS]
369
Festkörper- /Halbleiter-Bildsensor [SSIS]-Architektur, dazugehörige Schaltungen
Anmelder:
ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 SONY SEMICONDUCTOR SOLUTIONS CORPORATION [JP/JP]; 神奈川県厚木市旭町四丁目14番1号 4-14-1, Asahicho, Atsugi-shi, Kanagawa 2430014, JP
Erfinder:
渡部 泰一郎 WATANABE, Taiichiro; JP
山口 哲司 YAMAGUCHI, Tetsuji; JP
佐藤 友亮 SATO, Yusuke; JP
古閑 史彦 KOGA, Fumihiko; JP
Vertreter:
特許業務法人つばさ国際特許事務所 TSUBASA PATENT PROFESSIONAL CORPORATION; 東京都新宿区新宿1丁目15番9号さわだビル3階 3F, Sawada Building, 15-9, Shinjuku 1-chome, Shinjuku-ku, Tokyo 1600022, JP
Prioritätsdaten:
2017-16785231.08.2017JP
Titel (EN) SOLID-STATE IMAGING DEVICE AND METHOD FOR CONTROLLING SOLID-STATE IMAGING DEVICE
(FR) DISPOSITIF D'IMAGERIE À SEMI-CONDUCTEURS ET PROCÉDÉ DE COMMANDE D'UN DISPOSITIF D'IMAGERIE À SEMI-CONDUCTEURS
(JA) 固体撮像装置および固体撮像装置の制御方法
Zusammenfassung:
(EN) [Solution] A solid-state imaging device according to an embodiment of the present disclosure is provided with: a first electrode comprising a plurality of independent electrodes; a second electrode arranged opposite to the first electrode; a photoelectric conversion layer provided between the first electrode and the second electrode; and a voltage applying unit for applying different voltages to at least one of the first electrode and the second electrode during a charge storage period and during a non-charge storage period.
(FR) À cet effet, selon un mode de réalisation la présente invention concerne un dispositif d'imagerie à semi-conducteurs qui comprend : une première électrode comprenant une pluralité d'électrodes indépendantes ; une seconde électrode agencée à l'opposé de la première électrode ; une couche de conversion photoélectrique disposée entre la première électrode et la seconde électrode ; et une unité d'application de tension pour appliquer différentes tensions à au moins une parmi la première électrode et la seconde électrode pendant une période de stockage de charge et pendant une période de stockage de non-charge.
(JA) 【解決手段】本開示の一実施形態の固体撮像装置は、互いに独立する複数の電極からなる第1電極と、第1電極と対向配置された第2電極と、第1電極と第2電極との間に設けられた光電変換層と、第1電極および第2電極の少なくとも一方に対して、電荷蓄積期間および非電荷蓄積期間において、互いに異なる電圧を印加する電圧印加部とを備える。
front page image
Designierte Staaten: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
African Regional Intellectual Property Organization (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasische Patentorganisation (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Europäisches Patentamt (EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Veröffentlichungssprache: Japanisch (JA)
Anmeldesprache: Japanisch (JA)