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1. (WO2019044303) LASER ANNEALING DEVICE AND LASER ANNEALING METHOD
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Veröff.-Nr.: WO/2019/044303 Internationale Anmeldenummer PCT/JP2018/028149
Veröffentlichungsdatum: 07.03.2019 Internationales Anmeldedatum: 26.07.2018
IPC:
H01L 21/268 (2006.01) ,G02B 3/00 (2006.01) ,H01L 21/20 (2006.01)
H Elektrotechnik
01
Grundlegende elektrische Bauteile
L
Halbleiterbauelemente; elektrische Festkörperbauelemente, soweit nicht anderweitig vorgesehen
21
Verfahren oder Geräte, besonders ausgebildet für die Herstellung oder Behandlung von Halbleiter- oder Festkörperbauelementen oder Teilen davon
02
Herstellung oder Behandlung von Halbleiterbauelementen oder Teilen davon
04
Bauelemente mit mindestens einer Potenzialsprung-Sperrschicht oder Oberflächensperrschicht, z.B. PN-Übergang, Verarmungsschicht, Anreicherungsschicht
18
Bauelemente mit Halbleiterkörpern aus Elementen der Gruppe IV des Periodensystems oder AIIIBV-Verbindungen mit oder ohne Fremdstoffe, z.B. Dotierungsmaterialien
26
Beschuss mit Wellen- oder Korpuskularstrahlung
263
mit hochenergetischer Strahlung
268
mit elektromagnetischer Strahlung, z.B. Laser-Strahlung
G Physik
02
Optik
B
Optische Elemente, Systeme oder Geräte
3
Einfache oder zusammengesetzte Linsen
H Elektrotechnik
01
Grundlegende elektrische Bauteile
L
Halbleiterbauelemente; elektrische Festkörperbauelemente, soweit nicht anderweitig vorgesehen
21
Verfahren oder Geräte, besonders ausgebildet für die Herstellung oder Behandlung von Halbleiter- oder Festkörperbauelementen oder Teilen davon
02
Herstellung oder Behandlung von Halbleiterbauelementen oder Teilen davon
04
Bauelemente mit mindestens einer Potenzialsprung-Sperrschicht oder Oberflächensperrschicht, z.B. PN-Übergang, Verarmungsschicht, Anreicherungsschicht
18
Bauelemente mit Halbleiterkörpern aus Elementen der Gruppe IV des Periodensystems oder AIIIBV-Verbindungen mit oder ohne Fremdstoffe, z.B. Dotierungsmaterialien
20
Ablagerung von Halbleitermaterialien auf einem Substrat, z.B. epitaxiales Aufwachsen
Anmelder:
株式会社ブイ・テクノロジー V TECHNOLOGY CO., LTD. [JP/JP]; 神奈川県横浜市保土ヶ谷区神戸町134番地 134, Godo-cho, Hodogaya-ku, Yokohama-shi, Kanagawa 2400005, JP
Erfinder:
水村 通伸 MIZUMURA Michinobu; JP
Vertreter:
特許業務法人白坂 SHIRASAKA & PATENT PARTNERS; 東京都千代田区丸の内一丁目5番1号 新丸の内ビルディング10階EGG JAPAN EGG JAPAN 10F Shin-Marunouchi Building, 1-5-1 Marunouchi, Chiyoda-ku, Tokyo 1006510, JP
Prioritätsdaten:
2017-16690131.08.2017JP
Titel (EN) LASER ANNEALING DEVICE AND LASER ANNEALING METHOD
(FR) DISPOSITIF DE RECUIT LASER ET PROCÉDÉ DE RECUIT LASER
(JA) レーザアニール装置及びレーザアニール方法
Zusammenfassung:
(EN) The laser annealing device according to one embodiment of the present invention comprises a light source for generating laser light, a fly-eye lens for homogenizing the intensity of the laser light, a projection mask for masking the laser light that has passed through the fly-eye lens, and a projection lens for forming, from the laser light that has passed through the projection mask, a laser beam to be impinged in a predetermined range on a substrate. The laser annealing device is configured such that the array orientation of the fly-eye lens is rotated by a predetermined angle with respect to the array orientation of the mask pattern in the projection mask in order to suppress moiré patterns, which could be created when interference fringes generated from the laser light passing through the fly-eye lens pass through the projection mask.
(FR) Selon un mode de réalisation, cette invention concerne un dispositif de recuit laser, comprenant une source de lumière pour générer une lumière laser, une lentille à facettes multiples pour homogénéiser l'intensité de la lumière laser, un masque de projection pour masquer la lumière laser qui a traversé la lentille à facettes multiples, et une lentille de projection pour former, à partir de la lumière laser qui a traversé le masque de projection, un faisceau laser à appliquer sur une portée prédéterminée sur un substrat. Le dispositif de recuit laser est configuré de telle sorte que l'orientation de réseau de la lentille à facettes multiples est pivotée à un angle prédéterminé par rapport à l'orientation de réseau du motif de masque dans le masque de projection afin de supprimer les motifs de moiré, qui pourraient être créées lorsque des franges d'interférence générées par la lumière laser traversant la lentille à facettes multiples passent à travers le masque de projection.
(JA) 本発明の一態様に係るレーザアニール装置は、レーザ光を発生させる光源と、レーザ光の強度分布を均一にするためのフライアイレンズと、フライアイレンズを通過したレーザ光をマスキングする投影マスクと、投影マスクを通過したレーザ光から基板の所定の範囲に照射するレーザービームを形成する投影レンズと、を備え、レーザ光がフライアイレンズを通過することによって発生する干渉縞が投影マスクを通過することによって発生し得るモアレを抑制するために、フライアイレンズの配列方向を投影マスクのマスクパターンの配列方向に対して所定角度だけ回転させて構成されている。
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Designierte Staaten: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
African Regional Intellectual Property Organization (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasische Patentorganisation (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Europäisches Patentamt (EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Veröffentlichungssprache: Japanisch (JA)
Anmeldesprache: Japanisch (JA)