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1. (WO2019044231) ACTIVE LIGHT SENSITIVE OR RADIATION SENSITIVE RESIN COMPOSITION, RESIST FILM, PATTERN FORMING METHOD, AND METHOD FOR PRODUCING ELECTRONIC DEVICE
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Veröff.-Nr.: WO/2019/044231 Internationale Anmeldenummer PCT/JP2018/026910
Veröffentlichungsdatum: 07.03.2019 Internationales Anmeldedatum: 18.07.2018
IPC:
G03F 7/039 (2006.01) ,C08F 20/22 (2006.01) ,G03F 7/038 (2006.01) ,G03F 7/20 (2006.01)
G Physik
03
Fotografie; Kinematografie; vergleichbare Techniken unter Verwendung von nicht optischen Wellen; Elektrografie; Holografie
F
Fotomechanische Herstellung strukturierter oder gemusterter Oberflächen, z.B. zum Drucken, zum Herstellen von Halbleiterbauelementen; Materialien dafür; Kopiervorlagen dafür; Vorrichtungen besonders ausgebildet dafür
7
Fotomechanische, z.B. fotolithografische Herstellung von strukturierten oder gemusterten Oberflächen, z.B. Druckflächen; Materialien dafür, z.B. mit Fotolacken [Resists]; Vorrichtungen besonders ausgebildet dafür
004
Lichtempfindliche Materialien
039
Makromolekulare fotodepolymerisierbare Verbindungen, z.B. positiv arbeitende elektronenempfindliche Fotolacke [Resists]
C Chemie; Hüttenwesen
08
Organische makromolekulare Verbindungen; deren Herstellung oder chemische Verarbeitung; Massen auf deren Basis
F
Makromolekulare Verbindungen, erhalten durch Reaktionen, an denen nur ungesättigte Kohlenstoff-Kohlenstoff-Bindungen beteiligt sind
20
Homo- oder Mischpolymerisate von Verbindungen, die einen oder mehrere ungesättigte aliphatische Reste aufweisen, von denen jeder nur eine einzige Kohlenstoff-Kohlenstoff-Doppelbindung besitzt und nur einer als Endgruppe lediglich einen Carboxylrest oder ein Salz, Anhydrid, Ester, Amid, Imid oder Nitril hiervon aufweist
02
Monocarbonsäuren, die weniger als zehn Kohlenstoffatome aufweisen; deren Derivate
10
Ester
22
Ester, die Halogen enthalten
G Physik
03
Fotografie; Kinematografie; vergleichbare Techniken unter Verwendung von nicht optischen Wellen; Elektrografie; Holografie
F
Fotomechanische Herstellung strukturierter oder gemusterter Oberflächen, z.B. zum Drucken, zum Herstellen von Halbleiterbauelementen; Materialien dafür; Kopiervorlagen dafür; Vorrichtungen besonders ausgebildet dafür
7
Fotomechanische, z.B. fotolithografische Herstellung von strukturierten oder gemusterten Oberflächen, z.B. Druckflächen; Materialien dafür, z.B. mit Fotolacken [Resists]; Vorrichtungen besonders ausgebildet dafür
004
Lichtempfindliche Materialien
038
makromolekulare Verbindungen, die unlöslich oder unterschiedlich benetzbar gemacht werden
G Physik
03
Fotografie; Kinematografie; vergleichbare Techniken unter Verwendung von nicht optischen Wellen; Elektrografie; Holografie
F
Fotomechanische Herstellung strukturierter oder gemusterter Oberflächen, z.B. zum Drucken, zum Herstellen von Halbleiterbauelementen; Materialien dafür; Kopiervorlagen dafür; Vorrichtungen besonders ausgebildet dafür
7
Fotomechanische, z.B. fotolithografische Herstellung von strukturierten oder gemusterten Oberflächen, z.B. Druckflächen; Materialien dafür, z.B. mit Fotolacken [Resists]; Vorrichtungen besonders ausgebildet dafür
20
Belichten; Vorrichtungen dafür
Anmelder:
富士フイルム株式会社 FUJIFILM CORPORATION [JP/JP]; 東京都港区西麻布2丁目26番30号 26-30, Nishiazabu 2-chome, Minato-ku, Tokyo 1068620, JP
Erfinder:
小川 倫弘 OGAWA Michihiro; JP
金子 明弘 KANEKO Akihiro; JP
川島 敬史 KAWASHIMA Takashi; JP
土村 智孝 TSUCHIMURA Tomotaka; JP
Vertreter:
中島 順子 NAKASHIMA Junko; JP
米倉 潤造 YONEKURA Junzo; JP
村上 泰規 MURAKAMI Yasunori; JP
Prioritätsdaten:
2017-16778031.08.2017JP
Titel (EN) ACTIVE LIGHT SENSITIVE OR RADIATION SENSITIVE RESIN COMPOSITION, RESIST FILM, PATTERN FORMING METHOD, AND METHOD FOR PRODUCING ELECTRONIC DEVICE
(FR) COMPOSITION DE RÉSINE SENSIBLE À LA LUMIÈRE ACTIVE OU AU RAYONNEMENT, FILM DE RÉSERVE, PROCÉDÉ DE FORMATION DE MOTIF ET PROCÉDÉ DE PRODUCTION D'UN DISPOSITIF ÉLECTRONIQUE
(JA) 感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、レジスト膜、パターン形成方法、電子デバイスの製造方法
Zusammenfassung:
(EN) Provided is an active light sensitive or radiation sensitive resin composition which has high sensitivity and enables the formation of a pattern that has excellent LER and collapse prevention ability. Also provided are: a resist film which uses this active light sensitive or radiation sensitive resin composition; a pattern forming method; and a method for producing an electronic device. This active light sensitive or radiation sensitive resin composition contains: a compound which produces an acid when irradiated with active light or radiation; and a resin, the polarity of which is increased by the action of an acid. The resin contains a repeating unit represented by general formula (B-1) and at least one halogen atom that is selected from the group consisting of a fluorine atom and an iodine atom.
(FR) L'invention concerne une composition de résine qui est sensible à la lumière active ou au rayonnement, qui présente une sensibilité élevée et qui permet la formation d'un motif qui a un excellent LER ainsi qu'une excellente capacité de prévention de l'affaissement. L'invention concerne également : un film de réserve utilisant cette composition de résine sensible à la lumière active ou au rayonnement ; un procédé de formation de motif ; et un procédé de production d'un dispositif électronique. Cette composition de résine sensible à la lumière active ou au rayonnement contient : un composé qui produit un acide lorsqu'il est irradié par une lumière active ou par un rayonnement actif ; et une résine dont la polarité est augmentée par l'action d'un acide. La résine contient une unité récurrente représentée par la formule générale (B-1) et au moins un atome d'halogène qui est choisi parmi le groupe constitué d'un atome de fluor et d'un atome d'iode.
(JA) 高感度であり、且つ、形成されるパターンがLER及び倒れ抑制能に優れる感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物を提供する。また、上記感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物を用いたレジスト膜、パターン形成方法、及び電子デバイスの製造方法を提供する。感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物は、活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物と、酸の作用により極性が増大する樹脂と、を含む感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物であって、上記樹脂が、下記一般式(B-1)で表される繰り返し単位と、フッ素原子及びヨウ素原子からなる群より選ばれる少なくとも1つのハロゲン原子と、を含む。
Designierte Staaten: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
African Regional Intellectual Property Organization (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasische Patentorganisation (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Europäisches Patentamt (EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Veröffentlichungssprache: Japanisch (JA)
Anmeldesprache: Japanisch (JA)