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1. (WO2019044209) SEMICONDUCTOR DEVICE AND ELECTRONIC DEVICE
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Veröff.-Nr.: WO/2019/044209 Internationale Anmeldenummer PCT/JP2018/026529
Veröffentlichungsdatum: 07.03.2019 Internationales Anmeldedatum: 13.07.2018
IPC:
H01L 21/329 (2006.01) ,H01L 21/02 (2006.01) ,H01L 21/822 (2006.01) ,H01L 27/04 (2006.01) ,H01L 27/06 (2006.01) ,H01L 27/146 (2006.01) ,H01L 29/861 (2006.01) ,H01L 29/868 (2006.01) ,H01L 29/87 (2006.01)
H Elektrotechnik
01
Grundlegende elektrische Bauteile
L
Halbleiterbauelemente; elektrische Festkörperbauelemente, soweit nicht anderweitig vorgesehen
21
Verfahren oder Geräte, besonders ausgebildet für die Herstellung oder Behandlung von Halbleiter- oder Festkörperbauelementen oder Teilen davon
02
Herstellung oder Behandlung von Halbleiterbauelementen oder Teilen davon
04
Bauelemente mit mindestens einer Potenzialsprung-Sperrschicht oder Oberflächensperrschicht, z.B. PN-Übergang, Verarmungsschicht, Anreicherungsschicht
18
Bauelemente mit Halbleiterkörpern aus Elementen der Gruppe IV des Periodensystems oder AIIIBV-Verbindungen mit oder ohne Fremdstoffe, z.B. Dotierungsmaterialien
328
Mehrstufenprozesse zur Herstellung von bipolaren Bauelementen, z.B. Dioden, Transistoren, Thyristoren
329
bei denen das Bauelement eine oder zwei Elektroden aufweist, z.B. Dioden
H Elektrotechnik
01
Grundlegende elektrische Bauteile
L
Halbleiterbauelemente; elektrische Festkörperbauelemente, soweit nicht anderweitig vorgesehen
21
Verfahren oder Geräte, besonders ausgebildet für die Herstellung oder Behandlung von Halbleiter- oder Festkörperbauelementen oder Teilen davon
02
Herstellung oder Behandlung von Halbleiterbauelementen oder Teilen davon
H Elektrotechnik
01
Grundlegende elektrische Bauteile
L
Halbleiterbauelemente; elektrische Festkörperbauelemente, soweit nicht anderweitig vorgesehen
21
Verfahren oder Geräte, besonders ausgebildet für die Herstellung oder Behandlung von Halbleiter- oder Festkörperbauelementen oder Teilen davon
70
Herstellung oder Behandlung von Bauelementanordnungen bestehend aus einer Vielzahl von einzelnen Schaltungselementen oder integrierten Schaltungen, die in oder auf einem gemeinsamen Substrat ausgebildet sind, oder von bestimmten Teilen hiervon; Herstellung von integrierten Schaltungsanordnungen oder von bestimmten Teilen hiervon
77
Herstellung oder Behandlung von Bauelementanordnungen bestehend aus einer Vielzahl von einzelnen Schaltungselementen oder integrierten Schaltungen, die in oder auf einem gemeinsamen Substrat ausgebildet sind
78
mit nachfolgender Unterteilung des Substrats in eine Vielzahl einzelner Bauelemente
82
zur Herstellung von Bauelementen, die jeweils aus einer Vielzahl von Schaltungselementen bestehen, z.B. integrierte Schaltungen
822
wobei das Substrat ein Halbleiter ist und Silicium-Technologie verwendet wird
H Elektrotechnik
01
Grundlegende elektrische Bauteile
L
Halbleiterbauelemente; elektrische Festkörperbauelemente, soweit nicht anderweitig vorgesehen
27
Bauelemente, die aus einer Mehrzahl von in oder auf einem gemeinsamen Substrat ausgebildeten Halbleiter- oder anderen Festkörperschaltungselementen bestehen [integrierte Schaltungen]
02
mit Halbleiterschaltungselementen, besonders ausgebildet zum Gleichrichten, Verstärken, Schalten oder zur Schwingungserzeugung mit wenigstens einer Potenzialsprung-Sperrschicht oder Oberflächensperrschicht; mit integrierten passiven Schaltungselementen mit wenigstens einer Potenzialsprung-Sperrschicht oder Oberflächensperrschicht
04
wobei das Substrat aus einem Halbleiterkörper besteht
H Elektrotechnik
01
Grundlegende elektrische Bauteile
L
Halbleiterbauelemente; elektrische Festkörperbauelemente, soweit nicht anderweitig vorgesehen
27
Bauelemente, die aus einer Mehrzahl von in oder auf einem gemeinsamen Substrat ausgebildeten Halbleiter- oder anderen Festkörperschaltungselementen bestehen [integrierte Schaltungen]
02
mit Halbleiterschaltungselementen, besonders ausgebildet zum Gleichrichten, Verstärken, Schalten oder zur Schwingungserzeugung mit wenigstens einer Potenzialsprung-Sperrschicht oder Oberflächensperrschicht; mit integrierten passiven Schaltungselementen mit wenigstens einer Potenzialsprung-Sperrschicht oder Oberflächensperrschicht
04
wobei das Substrat aus einem Halbleiterkörper besteht
06
mit einer Mehrzahl einzelner Schaltungselemente in sich nicht wiederholender Konfiguration
H Elektrotechnik
01
Grundlegende elektrische Bauteile
L
Halbleiterbauelemente; elektrische Festkörperbauelemente, soweit nicht anderweitig vorgesehen
27
Bauelemente, die aus einer Mehrzahl von in oder auf einem gemeinsamen Substrat ausgebildeten Halbleiter- oder anderen Festkörperschaltungselementen bestehen [integrierte Schaltungen]
14
mit Halbleiterschaltungselementen, die auf Infrarot-Strahlung, Licht, elektromagnetische Strahlung kürzerer Wellenlänge als Licht oder Korpuskularstrahlung ansprechen und besonders ausgebildet sind, entweder für die Umwandlung der Energie einer derartigen Strahlung in elektrische Energie oder für die Steuerung elektrischer Energie durch eine derartige Strahlung
144
Strahlungsgesteuerte Bauelemente
146
Strukturen für Bildaufnahmeeinheiten
H Elektrotechnik
01
Grundlegende elektrische Bauteile
L
Halbleiterbauelemente; elektrische Festkörperbauelemente, soweit nicht anderweitig vorgesehen
29
Halbleiterbauelemente, besonders ausgebildet zum Gleichrichten, Verstärken, Schalten oder zur Schwingungserzeugung mit wenigstens einer Potenzialsprung-Sperrschicht oder Oberflächensperrschicht; Kondensatoren oder Widerstände mit wenigstens einer Potenzialsprung-Sperrschicht oder Oberflächensperrschicht, z.B. PN-Übergang mit Verarmungs- oder Anreicherungsschicht; Einzelheiten von Halbleiterkörpern oder von Elektroden auf diesen Halbleiterkörpern
66
Typen von Halbleiterbauelementen
86
steuerbar allein durch die Veränderung des an einer oder mehreren Elektroden, die den gleichzurichtenden, zu verstärkenden, schwingungsanzuregenden oder zu schaltenden Strom führen, zugeführten elektrischen Stroms oder allein durch die Veränderung des an eine oder mehrere solcher Elektroden angelegten, elektrischen Potenzials
861
Dioden
H Elektrotechnik
01
Grundlegende elektrische Bauteile
L
Halbleiterbauelemente; elektrische Festkörperbauelemente, soweit nicht anderweitig vorgesehen
29
Halbleiterbauelemente, besonders ausgebildet zum Gleichrichten, Verstärken, Schalten oder zur Schwingungserzeugung mit wenigstens einer Potenzialsprung-Sperrschicht oder Oberflächensperrschicht; Kondensatoren oder Widerstände mit wenigstens einer Potenzialsprung-Sperrschicht oder Oberflächensperrschicht, z.B. PN-Übergang mit Verarmungs- oder Anreicherungsschicht; Einzelheiten von Halbleiterkörpern oder von Elektroden auf diesen Halbleiterkörpern
66
Typen von Halbleiterbauelementen
86
steuerbar allein durch die Veränderung des an einer oder mehreren Elektroden, die den gleichzurichtenden, zu verstärkenden, schwingungsanzuregenden oder zu schaltenden Strom führen, zugeführten elektrischen Stroms oder allein durch die Veränderung des an eine oder mehrere solcher Elektroden angelegten, elektrischen Potenzials
861
Dioden
868
PIN-Dioden
H Elektrotechnik
01
Grundlegende elektrische Bauteile
L
Halbleiterbauelemente; elektrische Festkörperbauelemente, soweit nicht anderweitig vorgesehen
29
Halbleiterbauelemente, besonders ausgebildet zum Gleichrichten, Verstärken, Schalten oder zur Schwingungserzeugung mit wenigstens einer Potenzialsprung-Sperrschicht oder Oberflächensperrschicht; Kondensatoren oder Widerstände mit wenigstens einer Potenzialsprung-Sperrschicht oder Oberflächensperrschicht, z.B. PN-Übergang mit Verarmungs- oder Anreicherungsschicht; Einzelheiten von Halbleiterkörpern oder von Elektroden auf diesen Halbleiterkörpern
66
Typen von Halbleiterbauelementen
86
steuerbar allein durch die Veränderung des an einer oder mehreren Elektroden, die den gleichzurichtenden, zu verstärkenden, schwingungsanzuregenden oder zu schaltenden Strom führen, zugeführten elektrischen Stroms oder allein durch die Veränderung des an eine oder mehrere solcher Elektroden angelegten, elektrischen Potenzials
861
Dioden
87
Thyristor-Dioden, z.B. Shockley-Dioden, Durchbruch-Dioden
Anmelder:
ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 SONY SEMICONDUCTOR SOLUTIONS CORPORATION [JP/JP]; 神奈川県厚木市旭町四丁目14番1号 4-14-1, Asahi-cho, Atsugi-shi, Kanagawa 2430014, JP
Erfinder:
岡野 仁志 OKANO, Hitoshi; JP
Vertreter:
亀谷 美明 KAMEYA, Yoshiaki; JP
金本 哲男 KANEMOTO, Tetsuo; JP
萩原 康司 HAGIWARA, Yasushi; JP
Prioritätsdaten:
2017-16561930.08.2017JP
Titel (EN) SEMICONDUCTOR DEVICE AND ELECTRONIC DEVICE
(FR) DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR ET DISPOSITIF ÉLECTRONIQUE
(JA) 半導体装置及び電子機器
Zusammenfassung:
(EN) [Problem] To provide a semiconductor device which is capable of withstanding a higher voltage with more efficient area occupation. [Solution] A semiconductor device which is provided with: a first conductivity type layer into which an impurity of a first conductivity type is introduced; a second conductivity type layer into which an impurity of a second conductivity type is introduced, said impurity of a second conductivity type having a polarity that is different from the polarity of the impurity of a first conductivity type; and an intermediate layer which is sandwiched between the first conductivity type layer and the second conductivity type layer, and which does not contain the impurity of a first conductivity type or the impurity of a second conductivity type, or alternatively has a concentration of the impurity of a first conductivity type or the impurity of a second conductivity type lower than the concentration of the impurity of the first conductivity type layer or the second conductivity type layer. This semiconductor device is configured such that the first conductivity type layer, the intermediate layer and the second conductivity type layer are laminated within a semiconductor substrate in the thickness direction of the semiconductor substrate.
(FR) Le problème décrit par la présente invention est de fournir un dispositif à semi-conducteur qui est capable de supporter une tension plus élevée avec une occupation de zone plus efficace. La solution selon l'invention concerne un dispositif à semi-conducteur qui comprend : une couche de premier type de conductivité dans laquelle une impureté d'un premier type de conductivité est introduite; une couche de second type de conductivité dans laquelle une impureté d'un second type de conductivité est introduite, ladite impureté d'un second type de conductivité ayant une polarité qui est différente de la polarité de l'impureté d'un premier type de conductivité; et une couche intermédiaire qui est prise en sandwich entre la couche de premier type de conductivité et la couche de second type de conductivité, et qui ne contient pas l'impureté d'un premier type de conductivité ou l'impureté d'un second type de conductivité, ou en variante présente une concentration de l'impureté d'un premier type de conductivité ou de l'impureté d'un second type de conductivité inférieure à la concentration de l'impureté de la couche de premier type de conductivité ou de la couche de second type de conductivité. Ce dispositif à semi-conducteur est configuré de telle sorte que la couche de premier type de conductivité, la couche intermédiaire et la couche de second type de conductivité sont stratifiées à l'intérieur d'un substrat semi-conducteur dans la direction de l'épaisseur du substrat semi-conducteur.
(JA) 【課題】より効率的な占有面積で、より高電圧に耐えられる半導体装置を提供する。 【解決手段】第1導電型不純物が導入された第1導電型層と、前記第1導電型不純物と極性が異なる第2導電型不純物が導入された第2導電型層と、前記第1導電型層及び前記第2導電型層に挟持され、前記第1導電型不純物又は前記第2導電型不純物を含まない、又は前記第1導電型不純物又は前記第2導電型不純物の濃度が前記第1導電型層及び第2導電型層よりも低い中間層と、を備え、前記第1導電型層、前記中間層及び前記第2導電型層は、半導体基板の内部に前記半導体基板の厚み方向に積層されて設けられる、半導体装置。
front page image
Designierte Staaten: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
African Regional Intellectual Property Organization (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasische Patentorganisation (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Europäisches Patentamt (EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Veröffentlichungssprache: Japanisch (JA)
Anmeldesprache: Japanisch (JA)