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1. (WO2019044013) PROTECTION PLATE, SUBSTRATE TREATMENT DEVICE, AND METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE
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Veröff.-Nr.: WO/2019/044013 Internationale Anmeldenummer PCT/JP2018/012088
Veröffentlichungsdatum: 07.03.2019 Internationales Anmeldedatum: 26.03.2018
IPC:
H01L 21/31 (2006.01) ,C23C 16/44 (2006.01)
H Elektrotechnik
01
Grundlegende elektrische Bauteile
L
Halbleiterbauelemente; elektrische Festkörperbauelemente, soweit nicht anderweitig vorgesehen
21
Verfahren oder Geräte, besonders ausgebildet für die Herstellung oder Behandlung von Halbleiter- oder Festkörperbauelementen oder Teilen davon
02
Herstellung oder Behandlung von Halbleiterbauelementen oder Teilen davon
04
Bauelemente mit mindestens einer Potenzialsprung-Sperrschicht oder Oberflächensperrschicht, z.B. PN-Übergang, Verarmungsschicht, Anreicherungsschicht
18
Bauelemente mit Halbleiterkörpern aus Elementen der Gruppe IV des Periodensystems oder AIIIBV-Verbindungen mit oder ohne Fremdstoffe, z.B. Dotierungsmaterialien
30
Behandlung von Halbleiterkörpern unter Verwendung von Verfahren oder Vorrichtungen, soweit nicht von H01L21/20-H01L21/26152
31
zur Bildung isolierender Schichten auf Halbleiterkörpern, z.B. für Maskierungszwecke oder bei Verwendung fotolithografischer Techniken; Nachbehandlung dieser Schichten; Auswahl von Materalien für diese Schichten
C Chemie; Hüttenwesen
23
Beschichten metallischer Werkstoffe; Beschichten von Werkstoffen mit metallischen Stoffen; Chemische Oberflächenbehandlung; Diffusionsbehandlung von metallischen Werkstoffen; Beschichten allgemein durch Vakuumbedampfen, Aufstäuben, Ionenimplantation oder chemisches Abscheiden aus der Dampfphase; Inhibieren von Korrosion metallischer Werkstoffe oder von Verkrustung allgemein
C
Beschichten metallischer Werkstoffe; Beschichten von Werkstoffen mit metallischen Stoffen; Oberflächenbehandlung metallischer Werkstoffe durch Diffusion in die Oberfläche, durch chemische Umwandlung oder Substitution; Beschichten allgemein durch Vakuumbedampfen, durch Aufstäuben, durch Ionenimplantation oder durch chemisches Abscheiden aus der Dampfphase
16
Chemisches Beschichten durch Zersetzen gasförmiger Verbindungen ohne Verbleiben von Reaktionsprodukten des Oberflächenmaterials im Überzug, d.h. Verfahren zur chemischen Abscheidung aus der Dampfphase [chemical vapour deposition = CVD]
44
gekennzeichnet durch das Beschichtungsverfahren
Anmelder:
株式会社KOKUSAI ELECTRIC KOKUSAI ELECTRIC CORPORATION [JP/JP]; 東京都千代田区神田鍛冶町三丁目4番地 3-4, Kandakaji-cho, Chiyoda-ku, TOKYO 1010045, JP
Erfinder:
西堂 周平 SAIDO, Shuhei; JP
吉田 秀成 YOSHIDA, Hidenari; JP
岡嶋 優作 OKAJIMA, Yusaku; JP
Prioritätsdaten:
2017-16547730.08.2017JP
Titel (EN) PROTECTION PLATE, SUBSTRATE TREATMENT DEVICE, AND METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE
(FR) PLAQUE DE PROTECTION, DISPOSITIF DE TRAITEMENT DE SUBSTRAT ET PROCÉDÉ DE FABRICATION DE DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR
(JA) 保護プレート、基板処理装置及び半導体装置の製造方法
Zusammenfassung:
(EN) Disclosed is a protection plate that suppresses adhesion of a by-product to a furnace opening section of a reaction tube. This protection plate is provided on a lid section that airtightly closes an opening of a cylindrical reaction tube having an open lower end. The protection plate is configured such that the protection plate is provided with: a substantially disc-shaped circular plate section that is provided such that at least a part of the lower surface thereof is in contact with the upper surface of the lid section; a side wall section perpendicularly extending from an outer peripheral end of the circular plate section; a loop-shaped groove formed in the lower surface; and a step section, which is formed further toward the outer peripheral side than the groove in the lower surface, and which generates a predetermined gap with respect to the upper surface of the lid section. The protection plate is also configured such that a gas having been supplied to the groove from a gas supply port formed in the lid section is supplied to the whole outer side of the side wall section through the gap between the lid section and the step section.
(FR) L'invention concerne une plaque de protection qui supprime l'adhérence d'un sous-produit à une section d'ouverture de four d'un tube de réaction. Cette plaque de protection est disposée sur une section de couvercle qui ferme de façon étanche à l'air une ouverture d'un tube de réaction cylindrique ayant une extrémité inférieure ouverte. La plaque de protection est configurée de telle sorte que la plaque de protection comporte : une section de plaque circulaire sensiblement en forme de disque qui est disposée de telle sorte qu'au moins une partie de sa surface inférieure est en contact avec la surface supérieure de la section de couvercle ; une section de paroi latérale s'étendant perpendiculairement à partir d'une extrémité périphérique externe de la section de plaque circulaire ; une rainure en forme de boucle formée dans la surface inférieure ; et une section étagée, qui est formée davantage vers le côté périphérique externe que la rainure dans la surface inférieure, et qui génère un espace prédéterminé par rapport à la surface supérieure de la section de couvercle. La plaque de protection est également configurée de telle sorte qu'un gaz ayant été fourni à la rainure à partir d'un orifice d'alimentation en gaz formé dans la section de couvercle est fourni à l'ensemble du côté externe de la section de paroi latérale à travers l'espace entre la section de couvercle et la section étagée.
(JA) 反応管の炉口部への副生成物の付着を抑制する保護プレートが開示される。下端が開放された円筒状の反応管の開口を気密に閉塞する蓋部上に設けられる保護プレートであって、前記蓋部の上面に少なくとも下面の一部が接する様設けられた略円盤状の円板部と、該円板部の外周端から垂直に延出する側壁部と、前記下面に形成されたループ状の溝と、前記下面の前記溝よりも外周側に形成され、前記蓋部の上面との間に所定の隙間を生じさせる段差部とを具備し、前記蓋部に形成されたガス供給口から前記溝に供給されたガスが、前記蓋部と前記段差部との間を通って前記側壁部の外側全体に供給される様構成された。
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Veröffentlichungssprache: Japanisch (JA)
Anmeldesprache: Japanisch (JA)