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1. (WO2019043870) SPRING ELECTRODE FOR PRESS-PACK POWER SEMICONDUCTOR MODULE
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Veröff.-Nr.: WO/2019/043870 Internationale Anmeldenummer PCT/JP2017/031365
Veröffentlichungsdatum: 07.03.2019 Internationales Anmeldedatum: 31.08.2017
IPC:
H01L 23/48 (2006.01) ,H01L 21/52 (2006.01) ,H01L 25/07 (2006.01) ,H01L 25/18 (2006.01) ,H01R 11/01 (2006.01)
H Elektrotechnik
01
Grundlegende elektrische Bauteile
L
Halbleiterbauelemente; elektrische Festkörperbauelemente, soweit nicht anderweitig vorgesehen
23
Einzelheiten von Halbleiter- oder anderen Festkörperbauelementen
48
Anordnungen zur Stromleitung zu oder von dem im Betrieb befindlichen Festkörper, z.B. Zuleitungen oder Anschlüsse
H Elektrotechnik
01
Grundlegende elektrische Bauteile
L
Halbleiterbauelemente; elektrische Festkörperbauelemente, soweit nicht anderweitig vorgesehen
21
Verfahren oder Geräte, besonders ausgebildet für die Herstellung oder Behandlung von Halbleiter- oder Festkörperbauelementen oder Teilen davon
02
Herstellung oder Behandlung von Halbleiterbauelementen oder Teilen davon
04
Bauelemente mit mindestens einer Potenzialsprung-Sperrschicht oder Oberflächensperrschicht, z.B. PN-Übergang, Verarmungsschicht, Anreicherungsschicht
50
Zusammenbau von Halbleiterbauelementen unter Verwendung von Verfahren oder Vorrichtungen, soweit nicht in einer der Untergruppen H01L21/06-H01L21/326180
52
Einbau von Halbleiterkörpern in Gehäuse
H Elektrotechnik
01
Grundlegende elektrische Bauteile
L
Halbleiterbauelemente; elektrische Festkörperbauelemente, soweit nicht anderweitig vorgesehen
25
Baugruppen, die aus einer Mehrzahl von einzelnen Halbleiter- oder anderen Festkörperbauelementen bestehen
03
wobei alle Bauelemente von einer Art sind, wie sie in der gleichen Untergruppe einer der Gruppen H01L27/-H01L51/148
04
wobei die Bauelemente keine gesonderten Gehäuse besitzen
07
wobei die Bauelemente von einer Art sind, wie sie in Gruppe H01L29/87
H Elektrotechnik
01
Grundlegende elektrische Bauteile
L
Halbleiterbauelemente; elektrische Festkörperbauelemente, soweit nicht anderweitig vorgesehen
25
Baugruppen, die aus einer Mehrzahl von einzelnen Halbleiter- oder anderen Festkörperbauelementen bestehen
18
wobei die Bauelemente aus Arten bestehen, wie sie in verschiedenen Untergruppen ein- und derselben Hauptgruppe H01L27/-H01L51/162
H Elektrotechnik
01
Grundlegende elektrische Bauteile
R
Elektrisch leitende Verbindungen; Bauliche Vereinigungen einer Vielzahl von gegenseitig isolierten elektrischen Verbindungselementen; Kupplungsvorrichtungen; Stromabnehmer
11
Einzelne Verbindungselemente mit zwei oder mehr getrennten Anschlussstellen für leitende Teile, die dadurch miteinander verbunden werden oder verbunden werden können, z.B. Endstücke für Drähte oder Kabel, die durch den Draht oder das Kabel gehalten werden und Mittel aufweisen, die die elektrische Verbindung zu einem anderen Draht erleichtern, Anschlussklemmenblöcke
01
gekennzeichnet durch die Form oder Anordnung der leitenden Verbindung zwischen ihren Anschlussstellen
Anmelder:
三菱電機株式会社 MITSUBISHI ELECTRIC CORPORATION [JP/JP]; 東京都千代田区丸の内二丁目7番3号 7-3, Marunouchi 2-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1008310, JP
Erfinder:
藤田 重人 FUJITA Shigeto; JP
松田 哲也 MATSUDA Tetsuya; JP
Vertreter:
吉竹 英俊 YOSHITAKE Hidetoshi; JP
有田 貴弘 ARITA Takahiro; JP
Prioritätsdaten:
Titel (EN) SPRING ELECTRODE FOR PRESS-PACK POWER SEMICONDUCTOR MODULE
(FR) ÉLECTRODE À RESSORT POUR MODULE SEMI-CONDUCTEUR DE PUISSANCE DE BLOC-PRESSE
(JA) プレスパックパワー半導体モジュール用ばね電極
Zusammenfassung:
(EN) The purpose of the present invention is to provide a spring electrode that prevents disconnection of a power conduction path during short-circuiting of a semiconductor chip in a press-pack power semiconductor module. This spring electrode (101) for a press-pack power semiconductor module comprises: a first electrode (11) that contacts a power semiconductor chip; a second electrode (12) that is disposed facing the first electrode; and a pressure pad connecting the first electrode (11) and the second electrode (12), the pressure pad being flexible in the direction of a normal to the facing surfaces of the first electrode (11) and the second electrode (12). The facing surfaces of the first electrode (11) and the second electrode (12) have pentagonal or greater polygonal shapes. The edges of the facing surface of the first electrode (11) and the edges of the facing surface of the second electrode (12) that correspond to these edges are connected in parallel by the pressure pad (13).
(FR) L'objectif de la présente invention est de fournir une électrode à ressort qui empêche la déconnexion d'un trajet de conduction de puissance pendant un court-circuit d'une puce semi-conductrice dans un module semi-conducteur de puissance de bloc-presse. Cette électrode à ressort (101) pour un module semi-conducteur de puissance de bloc-presse comprend : une première électrode (11) qui entre en contact avec une puce semi-conductrice de puissance ; une seconde électrode (12) qui est disposée en regard de la première électrode ; et un tampon de pression connectant la première électrode (11) et la seconde électrode (12), le tampon de pression étant flexible dans la direction d'une normale aux surfaces opposées de la première électrode (11) et de la seconde électrode (12). Les surfaces opposées de la première électrode (11) et de la seconde électrode (12) ont des formes polygonales au moins pentagonales. Les bords de la surface opposée de la première électrode (11) et les bords de la surface opposée de la seconde électrode (12) qui correspondent à ces bords sont connectés en parallèle par le tampon de pression (13).
(JA) 本発明は、プレスパックパワー半導体モジュールにおいて、半導体チップの短絡時に導電路の断線を防ぐばね電極の提供を目的とする。本発明のプレスパックパワー半導体モジュール用ばね電極(101)は、パワー半導体チップと接触する第1電極(11)と、第1電極に対向して配置される第2電極(12)と、第1電極(11)および第2電極(12)を接続し、第1電極(11)および第2電極(12)の対向面の法線方向に可撓性を有するプレッシャパッドとを備え、第1電極(11)および第2電極(12)の対向面は5角形以上の多角形であり、第1電極(11)の対向面の各辺とこれらの辺に対応する第2電極(12)の対向面の各辺とは、プレッシャパッド(13)により並列接続される。
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Designierte Staaten: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Afrikanische regionale Organisation für geistiges Eigentum (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasisches Patentamt (EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Europäisches Patentamt (EPA) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Afrikanische Organisation für geistiges Eigentum (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Veröffentlichungssprache: Japanisch (JA)
Anmeldesprache: Japanisch (JA)