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1. (WO2019043511) SEMICONDUCTOR DEVICE AND DISPLAY DEVICE
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Veröff.-Nr.: WO/2019/043511 Internationale Anmeldenummer PCT/IB2018/056334
Veröffentlichungsdatum: 07.03.2019 Internationales Anmeldedatum: 22.08.2018
IPC:
H01L 29/786 (2006.01) ,G02F 1/1368 (2006.01) ,G09F 9/30 (2006.01) ,H01L 21/336 (2006.01) ,H01L 27/32 (2006.01) ,H01L 51/50 (2006.01)
H Elektrotechnik
01
Grundlegende elektrische Bauteile
L
Halbleiterbauelemente; elektrische Festkörperbauelemente, soweit nicht anderweitig vorgesehen
29
Halbleiterbauelemente, besonders ausgebildet zum Gleichrichten, Verstärken, Schalten oder zur Schwingungserzeugung mit wenigstens einer Potenzialsprung-Sperrschicht oder Oberflächensperrschicht; Kondensatoren oder Widerstände mit wenigstens einer Potenzialsprung-Sperrschicht oder Oberflächensperrschicht, z.B. PN-Übergang mit Verarmungs- oder Anreicherungsschicht; Einzelheiten von Halbleiterkörpern oder von Elektroden auf diesen Halbleiterkörpern
66
Typen von Halbleiterbauelementen
68
steuerbar allein durch den einer Elektrode, die nicht den gleichzurichtenden, zu verstärkenden oder zu schaltenden Strom führt, zugeführten elektrischen Strom oder durch das an eine solche Elektrode angelegte elektrische Potenzial
76
Unipolar-Bauelemente
772
Feldeffekt-Transistoren
78
mit Feldeffekt, der durch ein isoliertes Gate hervorgerufen ist
786
Dünnfilm-Transistoren
G Physik
02
Optik
F
Vorrichtungen oder Anordnungen, deren optische Arbeitsweise durch Änderung der optischen Eigenschaften des Mediums der Vorrichtungen oder Anordnungen geändert wird zum Steuern der Intensität, Farbe, Phase, Polarisation oder der Richtung von Lichtstrahlen, z.B. Schalten, Austasten, Modulieren oder Demodulieren; Techniken oder Verfahren für deren Arbeitsweise; Frequenzänderung; nichtlineare Optik; optische logische Elemente; optische Analog-Digital-Umsetzer
1
Vorrichtungen oder Anordnungen zum Steuern der Intensität, Farbe, Phase, Polarisation oder der Richtung von Lichtstrahlen einer unabhängigen Lichtquelle, z.B. Schalten, Austasten oder Modulieren; nichtlineare Optik
01
zum Steuern der Intensität, der Phase, der Polarisation oder der Farbe
13
basierend auf Flüssigkristallen, z.B. einzelne Flüssigkristall-Anzeigezellen
133
Konstruktiver Aufbau; Betrieb von Flüssigkristallzellen; Schaltungsanordnungen
136
Flüssigkristall-Zellen, baulich vereinigt mit einer Halbleiter-Schicht oder -Substrat, z.B. Zellen als Teil eines integrierten Schaltkreises
1362
Aktive matrizenadressierte Zellen
1368
mit einer Drei-Elektroden-Einrichtung als Schaltelement
G Physik
09
Unterricht; Geheimschrift; Anzeige; Reklame; Siegel
F
Anzeigewesen; Reklamewesen; Zeichen; Etiketten oder Namensschilder; Siegel
9
Anzeigeanordnungen für sich ändernde Information, wobei die Information durch Auswahl oder Kombination von einzelnen Elementen auf einem Träger dargestellt wird
30
bei welchen das/die gewünschte(n) Schriftzeichen durch Kombination von Einzelelementen gebildet werden
H Elektrotechnik
01
Grundlegende elektrische Bauteile
L
Halbleiterbauelemente; elektrische Festkörperbauelemente, soweit nicht anderweitig vorgesehen
21
Verfahren oder Geräte, besonders ausgebildet für die Herstellung oder Behandlung von Halbleiter- oder Festkörperbauelementen oder Teilen davon
02
Herstellung oder Behandlung von Halbleiterbauelementen oder Teilen davon
04
Bauelemente mit mindestens einer Potenzialsprung-Sperrschicht oder Oberflächensperrschicht, z.B. PN-Übergang, Verarmungsschicht, Anreicherungsschicht
18
Bauelemente mit Halbleiterkörpern aus Elementen der Gruppe IV des Periodensystems oder AIIIBV-Verbindungen mit oder ohne Fremdstoffe, z.B. Dotierungsmaterialien
334
Mehrstufenprozess zur Herstellung von unipolaren Bauelementen
335
Feldeffekt-Transistoren
336
mit einem isolierten Gate
H Elektrotechnik
01
Grundlegende elektrische Bauteile
L
Halbleiterbauelemente; elektrische Festkörperbauelemente, soweit nicht anderweitig vorgesehen
27
Bauelemente, die aus einer Mehrzahl von in oder auf einem gemeinsamen Substrat ausgebildeten Halbleiter- oder anderen Festkörperschaltungselementen bestehen [integrierte Schaltungen]
28
mit Schaltungselementen, die organische Materialien oder eine Kombination von organischen Materialien mit anderen Materialien als aktives Medium aufweisen
32
mit Schaltungselementen, besonders ausgebildet zur Lichtemission, z.B. Flachbildschirme mit organischen LED
H Elektrotechnik
01
Grundlegende elektrische Bauteile
L
Halbleiterbauelemente; elektrische Festkörperbauelemente, soweit nicht anderweitig vorgesehen
51
Festkörperbauelemente, die organische Materialien oder eine Kombination von organischen mit anderen Materialien als aktives Medium aufweisen; Verfahren oder Geräte, besonders ausgebildet für die Herstellung oder Behandlung von derartigen Bauelementen oder Teilen davon
50
besonders ausgebildet zur Lichtemission, z.B. organische lichtemittierende Dioden (OLED) oder polymere lichtemittierende Bauelemente (PLED)
Anmelder:
株式会社半導体エネルギー研究所 SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD. [JP/JP]; 神奈川県厚木市長谷398 398, Hase, Atsugi-shi, Kanagawa 2430036, JP
Erfinder:
神長正美 JINTYOU, Masami; --
黒崎大輔 KUROSAKI, Daisuke; --
大野正勝 OHNO, Masakatsu; --
肥塚純一 KOEZUKA, Junichi; JP
Prioritätsdaten:
2017-16813701.09.2017JP
Titel (EN) SEMICONDUCTOR DEVICE AND DISPLAY DEVICE
(FR) DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR ET DISPOSITIF D'AFFICHAGE
(JA) 半導体装置、及び表示装置
Zusammenfassung:
(EN) Provided is a highly reliable semiconductor device. A semiconductor device in which a second insulating layer is located above a first insulating layer, a semiconductor layer is located between the first insulating layer and the second insulating layer, a third insulating layer is located above the second insulating layer, a fourth insulating layer is located above the third insulating layer, a first conductive layer is located between the third insulating layer and the fourth insulating layer and includes a region that overlaps the semiconductor layer, the third insulating layer includes a region that contacts a lower surface of the first conductive layer and a region that contacts the fourth insulating layer, the fourth insulating layer contacts an upper surface and a side surface of the first conductive layer, a fifth insulating layer contacts an upper surface and a side surface of the semiconductor layer and has a first opening and a second opening in a region that overlaps the semiconductor layer but does not overlap the first conductive layer, a second conductive layer and a third conductive layer are electrically connected to the semiconductor layer at the first opening and the second opening, respectively, the third and fifth insulating layers include a metal as well as oxygen or nitrogen, and a sixth insulating layer has a region that contacts an upper surface and a side surface of the fifth insulating layer and a region that contacts the first insulating layer.
(FR) L'invention concerne un dispositif à semi-conducteur hautement fiable. Un dispositif à semi-conducteur dans lequel une seconde couche isolante est située au-dessus d'une première couche isolante, une couche semi-conductrice est située entre la première couche isolante et la seconde couche isolante, une troisième couche isolante est située au-dessus de la seconde couche isolante, une quatrième couche isolante est située au-dessus de la troisième couche isolante, une première couche conductrice est située entre la troisième couche isolante et la quatrième couche isolante et comprend une région qui chevauche la couche semi-conductrice, la troisième couche isolante comprend une région qui entre en contact avec une surface inférieure de la première couche conductrice et une région qui est en contact avec la quatrième couche isolante, la quatrième couche isolante entre en contact avec une surface supérieure et une surface latérale de la première couche conductrice, une cinquième couche isolante entre en contact avec une surface supérieure et une surface latérale de la couche semi-conductrice et a une première ouverture et une seconde ouverture dans une région qui chevauche la couche semi-conductrice mais ne chevauche pas la première couche conductrice, une seconde couche conductrice et une troisième couche conductrice sont électroconnectées à la couche semi-conductrice au niveau de la première ouverture et de la seconde ouverture, respectivement, les troisième et cinquième couches isolantes comprennent un métal ainsi que de l'oxygène ou de l'azote, et une sixième couche isolante a une région qui entre en contact avec une surface supérieure et une surface latérale de la cinquième couche isolante et une région qui est en contact avec la première couche isolante.
(JA) 要約書 信頼性の高い半導体装置を提供する。 第2の絶縁層は第1の絶縁層上に位置し、半導体層は第1の絶縁層と第2の絶縁層との間に位置し、 第3の絶縁層は第2の絶縁層上に位置し、 第4の絶縁層は第3の絶縁層上に位置し、 第1の導電層は 半導体層と重なる領域を有し、 かつ第3の絶縁層と第4の絶縁層との間に位置し、 第3の絶縁層は第 1の導電層の下面に接する領域と、 第4の絶縁層と接する領域とを有し、 第4の絶縁層は第1の導電 層の上面及び側面に接し、 第5の絶縁層は半導体層の上面及び側面に接し、 第5の絶縁層は半導体層 と重なり、 かつ第1の導電層と重ならない領域に第1の開口及び第2の開口を有し、 第2の導電層及 び第3の導電層はそれぞれ第1の開口及び第2の開口において半導体層と電気的に接続され、第3乃 至第5の絶縁層は金属と、 酸素又は窒素とを有し、 第6の絶縁層は第5の絶縁層の上面及び側面に接 する領域と、第1の絶縁層と接する領域とを有する半導体装置とする。
front page image
Designierte Staaten: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Afrikanische regionale Organisation für geistiges Eigentum (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasisches Patentamt (EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Europäisches Patentamt (EPA) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Afrikanische Organisation für geistiges Eigentum (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Veröffentlichungssprache: Japanisch (JA)
Anmeldesprache: Japanisch (JA)