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1. (WO2019043028) LEISTUNGSMODUL UND VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES SOLCHEN LEISTUNGSMODULS
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Veröff.-Nr.: WO/2019/043028 Internationale Anmeldenummer PCT/EP2018/073176
Veröffentlichungsdatum: 07.03.2019 Internationales Anmeldedatum: 29.08.2018
IPC:
H01L 23/31 (2006.01) ,H01L 23/485 (2006.01) ,H01L 23/488 (2006.01) ,H01L 23/00 (2006.01) ,H01L 21/60 (2006.01)
H Elektrotechnik
01
Grundlegende elektrische Bauteile
L
Halbleiterbauelemente; elektrische Festkörperbauelemente, soweit nicht anderweitig vorgesehen
23
Einzelheiten von Halbleiter- oder anderen Festkörperbauelementen
28
Einkapselungen, z.B. Schutzschichten, Überzüge
31
gekennzeichnet durch die Anordnung
H Elektrotechnik
01
Grundlegende elektrische Bauteile
L
Halbleiterbauelemente; elektrische Festkörperbauelemente, soweit nicht anderweitig vorgesehen
23
Einzelheiten von Halbleiter- oder anderen Festkörperbauelementen
48
Anordnungen zur Stromleitung zu oder von dem im Betrieb befindlichen Festkörper, z.B. Zuleitungen oder Anschlüsse
482
bestehend aus Zuleitungsschichten, die untrennbar auf den Halbleiterkörper aufgebracht sind
485
die schichtweise aus leitenden und isolierenden Schichten aufgebaut sind, z.B. Planar- Kontakte
H Elektrotechnik
01
Grundlegende elektrische Bauteile
L
Halbleiterbauelemente; elektrische Festkörperbauelemente, soweit nicht anderweitig vorgesehen
23
Einzelheiten von Halbleiter- oder anderen Festkörperbauelementen
48
Anordnungen zur Stromleitung zu oder von dem im Betrieb befindlichen Festkörper, z.B. Zuleitungen oder Anschlüsse
488
bestehend aus gelöteten oder gebondeten Anordnungen
H Elektrotechnik
01
Grundlegende elektrische Bauteile
L
Halbleiterbauelemente; elektrische Festkörperbauelemente, soweit nicht anderweitig vorgesehen
23
Einzelheiten von Halbleiter- oder anderen Festkörperbauelementen
H Elektrotechnik
01
Grundlegende elektrische Bauteile
L
Halbleiterbauelemente; elektrische Festkörperbauelemente, soweit nicht anderweitig vorgesehen
21
Verfahren oder Geräte, besonders ausgebildet für die Herstellung oder Behandlung von Halbleiter- oder Festkörperbauelementen oder Teilen davon
02
Herstellung oder Behandlung von Halbleiterbauelementen oder Teilen davon
04
Bauelemente mit mindestens einer Potenzialsprung-Sperrschicht oder Oberflächensperrschicht, z.B. PN-Übergang, Verarmungsschicht, Anreicherungsschicht
50
Zusammenbau von Halbleiterbauelementen unter Verwendung von Verfahren oder Vorrichtungen, soweit nicht in einer der Untergruppen H01L21/06-H01L21/326180
60
Anbringen von Anschlussleitungen oder anderen leitenden Teilen, die zur Stromleitung zu oder von einem in Betrieb befindlichen Bauelement dienen
Anmelder:
SIEMENS AKTIENGESELLSCHAFT [DE/DE]; Werner-von-Siemens-Straße 1 80333 München, DE
Erfinder:
MITIC, Gerhard; DE
STEGMEIER, Stefan; DE
Prioritätsdaten:
10 2017 215 039.429.08.2017DE
Titel (EN) POWER MODULE AND METHOD FOR PRODUCING SUCH A POWER MODULE
(FR) MODULE DE PUISSANCE ET PROCÉDÉ DE FABRICATION D’UN MODULE DE PUISSANCE DE CE TYPE
(DE) LEISTUNGSMODUL UND VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES SOLCHEN LEISTUNGSMODULS
Zusammenfassung:
(EN) The invention relates to a power module comprising a semiconductor component and an electrical conductor. The electrical conductor is electrically contacted to the semiconductor chip by means of a contact, wherein the electrical conductor extends therefrom at least in the surroundings of the contact such that it becomes increasingly spaced apart from the semiconductor component the further it is spaced apart from the contact, and insulation is provided against which the conductor bears on its side facing away from the semiconductor component.
(FR) Le module de puissance présente un composant à semi-conducteur et un conducteur électrique. Le conducteur électrique est mis en contact électrique avec la puce semi-conductrice au moyen d'un contact, le conducteur électrique s'écartant du contact au moins aux environs de celui-ci de sorte que la distance qui le sépare du composant à semi-conducteur augmente avec la distance par rapport au contact, une isolation étant présente, contre laquelle est appliqué le conducteur au niveau de son côté opposé au composant semi-conducteur.
(DE) Das Leistungsmodul weist ein Halbleiterbauelement und einen elektrischen Leiter auf. Der elektrische Leiter ist mittels eines Kontakts elektrisch an den Halbleiterchip kontaktiert, wobei sich der elektrische Leiter zumindest in einer Umgebung des Kontakts derart von diesem fortstreckt, dass er sich mit zunehmendem Abstand von dem Kontakt zunehmend vom Halbleiterbauelement beabstandet, wobei eine Isolierung vorhanden ist, an welcher der Leiter an seiner dem Halbleiterbauelement abgewandten Seite anliegt.
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Designierte Staaten: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
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African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Veröffentlichungssprache: Deutsch (DE)
Anmeldesprache: Deutsch (DE)