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1. (WO2019043006) VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES OPTOELEKTRONISCHEN BAUELEMENTS, OPTOELEKTRONISCHES BAUELEMENT UND IR-DETEKTOR
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Veröff.-Nr.: WO/2019/043006 Internationale Anmeldenummer PCT/EP2018/073138
Veröffentlichungsdatum: 07.03.2019 Internationales Anmeldedatum: 28.08.2018
IPC:
H01L 33/44 (2010.01) ,H01L 33/46 (2010.01) ,H01L 33/48 (2010.01) ,H01L 33/54 (2010.01) ,H01L 33/50 (2010.01) ,H01L 33/58 (2010.01)
H Elektrotechnik
01
Grundlegende elektrische Bauteile
L
Halbleiterbauelemente; elektrische Festkörperbauelemente, soweit nicht anderweitig vorgesehen
33
Halbleiterbauelemente mit wenigstens einer Potenzialsprung-Sperrschicht oder Oberflächensperrschicht, besonders ausgebildet zur Lichtemission; Verfahren oder Vorrichtungen, besonders ausgebildet für die Herstellung oder Behandlung dieser Bauelemente oder Teilen davon; Einzelheiten dieser Bauelemente
44
charakterisiert durch Beschichtungen, z.B. Passivierungsschichten oder Anti-Reflex-Beschichtungen
H Elektrotechnik
01
Grundlegende elektrische Bauteile
L
Halbleiterbauelemente; elektrische Festkörperbauelemente, soweit nicht anderweitig vorgesehen
33
Halbleiterbauelemente mit wenigstens einer Potenzialsprung-Sperrschicht oder Oberflächensperrschicht, besonders ausgebildet zur Lichtemission; Verfahren oder Vorrichtungen, besonders ausgebildet für die Herstellung oder Behandlung dieser Bauelemente oder Teilen davon; Einzelheiten dieser Bauelemente
44
charakterisiert durch Beschichtungen, z.B. Passivierungsschichten oder Anti-Reflex-Beschichtungen
46
Reflektierende Beschichtungen, z.B. dielektrische Bragg-Reflektoren
H Elektrotechnik
01
Grundlegende elektrische Bauteile
L
Halbleiterbauelemente; elektrische Festkörperbauelemente, soweit nicht anderweitig vorgesehen
33
Halbleiterbauelemente mit wenigstens einer Potenzialsprung-Sperrschicht oder Oberflächensperrschicht, besonders ausgebildet zur Lichtemission; Verfahren oder Vorrichtungen, besonders ausgebildet für die Herstellung oder Behandlung dieser Bauelemente oder Teilen davon; Einzelheiten dieser Bauelemente
48
charakterisiert durch das Gehäuse
H Elektrotechnik
01
Grundlegende elektrische Bauteile
L
Halbleiterbauelemente; elektrische Festkörperbauelemente, soweit nicht anderweitig vorgesehen
33
Halbleiterbauelemente mit wenigstens einer Potenzialsprung-Sperrschicht oder Oberflächensperrschicht, besonders ausgebildet zur Lichtemission; Verfahren oder Vorrichtungen, besonders ausgebildet für die Herstellung oder Behandlung dieser Bauelemente oder Teilen davon; Einzelheiten dieser Bauelemente
48
charakterisiert durch das Gehäuse
52
Einkapselungen
54
mit besonderer Form
H Elektrotechnik
01
Grundlegende elektrische Bauteile
L
Halbleiterbauelemente; elektrische Festkörperbauelemente, soweit nicht anderweitig vorgesehen
33
Halbleiterbauelemente mit wenigstens einer Potenzialsprung-Sperrschicht oder Oberflächensperrschicht, besonders ausgebildet zur Lichtemission; Verfahren oder Vorrichtungen, besonders ausgebildet für die Herstellung oder Behandlung dieser Bauelemente oder Teilen davon; Einzelheiten dieser Bauelemente
48
charakterisiert durch das Gehäuse
50
Bestandteile zur Wellenlängenkonversion
H Elektrotechnik
01
Grundlegende elektrische Bauteile
L
Halbleiterbauelemente; elektrische Festkörperbauelemente, soweit nicht anderweitig vorgesehen
33
Halbleiterbauelemente mit wenigstens einer Potenzialsprung-Sperrschicht oder Oberflächensperrschicht, besonders ausgebildet zur Lichtemission; Verfahren oder Vorrichtungen, besonders ausgebildet für die Herstellung oder Behandlung dieser Bauelemente oder Teilen davon; Einzelheiten dieser Bauelemente
48
charakterisiert durch das Gehäuse
58
Bestandteile zur Formung optischer Felder
Anmelder:
OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH [DE/DE]; Leibnizstr. 4 93055 Regensburg, DE
Erfinder:
MÜLLER, Michael; DE
Vertreter:
EPPING HERMANN FISCHER PATENTANWALTSGESELLSCHAFT MBH; Schloßschmidstr. 5 80639 München, DE
Prioritätsdaten:
10 2017 120 168.801.09.2017DE
Titel (EN) METHOD FOR PRODUCING AN OPTOELECTRONIC COMPONENT, OPTOELECTRONIC COMPONENT, AND IR DETECTOR
(FR) PROCÉDÉ DE PRODUCTION D'UN COMPOSANT OPTOÉLECTRONIQUE, COMPOSANT OPTOÉLECTRONIQUE ET DÉTECTEUR À IR
(DE) VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES OPTOELEKTRONISCHEN BAUELEMENTS, OPTOELEKTRONISCHES BAUELEMENT UND IR-DETEKTOR
Zusammenfassung:
(EN) The invention relates to a method for producing an optoelectronic component, said method comprising the following steps: - providing an optoelectronic semiconductor chip (2) having a radiation passage surface (3) on a connection carrier (1), - applying a deformable spacer (7) to the radiation passage surface (3) of the semiconductor chip (2), - inserting the connection carrier (1) with the semiconductor chip (2) into the cavity of a tool (8), wherein the tool (8) deforms the deformable spacer (7), and - encasing the semiconductor chip (2) with a potting compound (9). The invention also relates to an optoelectronic component and an IR detector.
(FR) L'invention concerne un procédé pour produire un composant optoélectronique comprenant les étapes consistant : à préparer une puce à semi-conducteur (2) optoélectronique comportant une surface perméable au rayonnement (3) sur un support de connexion (1) ; à agencer un écarteur (7) déformable sur cette surface perméable au rayonnement (3) de la puce à semi-conducteur (2) ; à introduire le support de connexion (1) et la puce à semi-conducteur (2) dans la cavité d'un outil (8), cet outil (8) déformant l'écarteur (7) déformable, et ; à enrober la puce à semi-conducteur (2) au moyen d'un matériau d'enrobage (9). Cette invention se rapporte en outre à un composant optoélectronique et à un détecteur à IR.
(DE) Es wird ein Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Bauelements mit den folgenden Schritten angegeben : - Bereitstellen eines optoelektronischen Halbleiterchips (2) mit einer Strahlungsdurchtrittsfläche (3) auf einem Anschlussträger (1), - Aufbringen eines verformbaren Abstandshalters (7) auf die Strahlungsdurchtrittsfläche (3) des Halbleiterchips (2), - Einbringen des Anschlussträgers (1) mit dem Halbleiterchip (2) in die Kavität eines Werkzeugs (8), wobei das Werkzeug (8) den verformbaren Abstandshalter (7) verformt, und - Umhüllen des Halbleiterchips (2) mit einer Vergussmasse (9). Weiterhin werden ein optoelektronisches Bauelement und ein IR-Detektor angegeben.
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Designierte Staaten: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
African Regional Intellectual Property Organization (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasische Patentorganisation (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Europäisches Patentamt (EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Veröffentlichungssprache: Deutsch (DE)
Anmeldesprache: Deutsch (DE)