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1. (WO2019043003) VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINER VIELZAHL STRAHLUNGSEMITTIERENDER HALBLEITERCHIPS, STRAHLUNGSEMITTIERENDER HALBLEITERCHIP UND STRAHLUNGSEMITTIERENDER HALBLEITERCHIP-ARRAY
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Veröff.-Nr.: WO/2019/043003 Internationale Anmeldenummer PCT/EP2018/073132
Veröffentlichungsdatum: 07.03.2019 Internationales Anmeldedatum: 28.08.2018
IPC:
H01L 33/00 (2010.01) ,H01L 33/20 (2010.01) ,H01L 33/32 (2010.01) ,H01L 25/075 (2006.01)
H Elektrotechnik
01
Grundlegende elektrische Bauteile
L
Halbleiterbauelemente; elektrische Festkörperbauelemente, soweit nicht anderweitig vorgesehen
33
Halbleiterbauelemente mit wenigstens einer Potenzialsprung-Sperrschicht oder Oberflächensperrschicht, besonders ausgebildet zur Lichtemission; Verfahren oder Vorrichtungen, besonders ausgebildet für die Herstellung oder Behandlung dieser Bauelemente oder Teilen davon; Einzelheiten dieser Bauelemente
H Elektrotechnik
01
Grundlegende elektrische Bauteile
L
Halbleiterbauelemente; elektrische Festkörperbauelemente, soweit nicht anderweitig vorgesehen
33
Halbleiterbauelemente mit wenigstens einer Potenzialsprung-Sperrschicht oder Oberflächensperrschicht, besonders ausgebildet zur Lichtemission; Verfahren oder Vorrichtungen, besonders ausgebildet für die Herstellung oder Behandlung dieser Bauelemente oder Teilen davon; Einzelheiten dieser Bauelemente
02
charakterisiert durch den Halbleiterkörper
20
mit besonderer Form, z.B. gewölbte oder angeschrägte Substrate
H Elektrotechnik
01
Grundlegende elektrische Bauteile
L
Halbleiterbauelemente; elektrische Festkörperbauelemente, soweit nicht anderweitig vorgesehen
33
Halbleiterbauelemente mit wenigstens einer Potenzialsprung-Sperrschicht oder Oberflächensperrschicht, besonders ausgebildet zur Lichtemission; Verfahren oder Vorrichtungen, besonders ausgebildet für die Herstellung oder Behandlung dieser Bauelemente oder Teilen davon; Einzelheiten dieser Bauelemente
02
charakterisiert durch den Halbleiterkörper
26
Materialien des lichtemittierenden Bereichs
30
nur Elemente der Gruppen III und V des Periodensystems enthaltend
32
Stickstoff enthaltend
H Elektrotechnik
01
Grundlegende elektrische Bauteile
L
Halbleiterbauelemente; elektrische Festkörperbauelemente, soweit nicht anderweitig vorgesehen
25
Baugruppen, die aus einer Mehrzahl von einzelnen Halbleiter- oder anderen Festkörperbauelementen bestehen
03
wobei alle Bauelemente von einer Art sind, wie sie in der gleichen Untergruppe einer der Gruppen H01L27/-H01L51/148
04
wobei die Bauelemente keine gesonderten Gehäuse besitzen
075
wobei die Bauelemente von einer Art sind, wie sie in Gruppe H01L33/87
Anmelder:
OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH [DE/DE]; Leibnizstr. 4 93055 Regensburg, DE
Erfinder:
BEHRINGER, Martin Rudolf; DE
MÜLLER, Christian; DE
Vertreter:
EPPING HERMANN FISCHER PATENTANWALTSGESELLSCHAFT MBH; Schloßschmidstr. 5 80639 München, DE
Prioritätsdaten:
10 2017 120 037.131.08.2017DE
Titel (EN) METHOD FOR PRODUCING A PLURALITY OF RADIATION-EMITTING SEMICONDUCTOR CHIPS, RADIATION-EMITTING SEMICONDUCTOR CHIP AND RADIATION-EMITTING SEMICONDUCTOR CHIP ARRAY
(FR) PROCÉDÉ SERVANT À FABRIQUER UNE PLURALITÉ DE PUCES SEMI-CONDUCTRICES À ÉMISSION DE RAYONNEMENT, PUCE SEMI-CONDUCTRICE À ÉMISSION DE RAYONNEMENT ET RÉSEAU DE PUCES SEMI-CONDUCTRICES À ÉMISSION DE RAYONNEMENT
(DE) VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINER VIELZAHL STRAHLUNGSEMITTIERENDER HALBLEITERCHIPS, STRAHLUNGSEMITTIERENDER HALBLEITERCHIP UND STRAHLUNGSEMITTIERENDER HALBLEITERCHIP-ARRAY
Zusammenfassung:
(EN) The invention relates to a method for producing a plurality of radiation-emitting semiconductor chips, comprising the steps of: - providing a growth substrate (1), - epitaxial growing of an epitaxial semiconductor layer sequence (2) having an active zone (3), which is suitable for generating electromagnetic radiation, on the growth substrate (1), wherein the semiconductor layer sequence (2) comprises a nitride compound semiconductor material, - applying a structured photoresist layer (4) having hexagonal or triangular structural elements (5) to the semiconductor layer sequence (2), wherein regions of the semiconductor layer sequence (2) between the structural elements (5) are freely accessible, and - etching the semiconductor layer sequence (2) in the freely accessible regions so as to create hexagonal or triangular semiconductor layer stacks (2) having lateral surfaces (11), of which at least one lateral surface (11) extends parallel to an m-surface (7) or parallel to an a-surface (6) of the nitride compound semiconductor material, wherein the semiconductor layer stacks are in the form of six-sided or three-sided prisms, and the active zone stands perpendicular to the lateral surfaces of the semiconductor layer stacks.
(FR) L'invention concerne un procédé servant à fabriquer une pluralité de puces semi-conductrices à émission de rayonnement, comprenant les étapes consistant à : fournir un substrat de croissance (1) ; faire croître par épitaxie une succession de couches semi-conductrices (2) épitaxiales comprenant une zone active (3) qui est adaptée pour générer un rayonnement électromagnétique, sur le substrat de croissance (1), la succession de couches semi-conductrices (2) comprenant un matériau semi-conducteur à base d'un composé nitrure ; appliquer une couche de laque photosensible (4) structurée comprenant des éléments structurels (5) hexagonaux ou triangulaires sur la succession de couches semi-conductrices (2), des zones de la succession de couches semi-conductrices (2) étant librement accessibles entre les éléments structurels (5), et ; graver la succession de couches semi-conductrices (2) dans les zones librement accessibles de manière à faire apparaître des empilements de couches semi-conductrices (2) hexagonaux ou triangulaires comprenant des faces latérales (11), parmi lesquelles au moins une face latérale (11) s'étend de manière parallèle par rapport à une face m (7) ou de manière parallèle par rapport à une face a (6) du matériau semi-conducteur à base de composé nitrure. Les empilements de couches semi-conductrices sont réalisés sous la forme de prismes hexagonaux ou triangulaires, et la zone active est à la verticale sur les faces latérales de l'empilement de couches semi-conductrices.
(DE) Es wird ein Verfahren zur Herstellung einer Vielzahl strahlungsemittierender Halbleiterchips mit angegeben: - Bereitstellen eines Wachstumssubstrats (1), - Epitaktisches Aufwachsen einer epitaktischen Halbleiterschichtenfolge (2) mit einer aktiven Zone (3), die dazu geeignet ist, elektromagnetische Strahlung zu erzeugen, auf das Wachstumssubstrat (1), wobei die Halbleiterschichtenfolge (2) ein Nitridverbindungshalbleitermaterial umfasst, - Aufbringen einer strukturierten Fotolackschicht (4) mit sechseckigen oder dreieckigen Strukturelementen (5) auf die Halbleiterschichtenfolge (2), wobei Bereiche der Halbleiterschichtenfolge (2) zwischen den Strukturelementen (5) frei zugänglich sind, und - Ätzen der Halbleiterschichtenfolge (2) in den frei zugänglichen Bereichen, sodass sechseckige oder dreickige Halbleiterschichtenstapel (2) mit Seitenflächen (11) entstehen, von denen zumindest eine Seitenfläche (11) parallel zu einer m-Fläche (7) oder parallel zu einer a-Fläche (6) des Nitridverbindungshalbleitermaterials verläuft, wobei die Halbleiterschichtenstapel als sechsseitige oder dreiseitige Prismen ausgebildet sind, und die aktive Zone senkrecht auf den Seitenflächen des Halbleiterschichtenstapels steht.
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Designierte Staaten: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
African Regional Intellectual Property Organization (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasische Patentorganisation (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Europäisches Patentamt (EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Veröffentlichungssprache: Deutsch (DE)
Anmeldesprache: Deutsch (DE)