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1. (WO2019042965) VERFAHREN ZUM HERSTELLEN EINES OPTOELEKTRONISCHEN HALBLEITERBAUTEILS UND OPTOELEKTRONISCHES HALBLEITERBAUTEIL
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Veröff.-Nr.: WO/2019/042965 Internationale Anmeldenummer PCT/EP2018/073083
Veröffentlichungsdatum: 07.03.2019 Internationales Anmeldedatum: 28.08.2018
IPC:
H01L 27/15 (2006.01) ,H01L 33/50 (2010.01)
H Elektrotechnik
01
Grundlegende elektrische Bauteile
L
Halbleiterbauelemente; elektrische Festkörperbauelemente, soweit nicht anderweitig vorgesehen
27
Bauelemente, die aus einer Mehrzahl von in oder auf einem gemeinsamen Substrat ausgebildeten Halbleiter- oder anderen Festkörperschaltungselementen bestehen [integrierte Schaltungen]
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mit Halbleiterschaltungselementen mit wenigstens einer Potenzialsprung-Sperrschicht oder Oberflächensperrschicht, besonders ausgebildet zur Lichtemission
H Elektrotechnik
01
Grundlegende elektrische Bauteile
L
Halbleiterbauelemente; elektrische Festkörperbauelemente, soweit nicht anderweitig vorgesehen
33
Halbleiterbauelemente mit wenigstens einer Potenzialsprung-Sperrschicht oder Oberflächensperrschicht, besonders ausgebildet zur Lichtemission; Verfahren oder Vorrichtungen, besonders ausgebildet für die Herstellung oder Behandlung dieser Bauelemente oder Teilen davon; Einzelheiten dieser Bauelemente
48
charakterisiert durch das Gehäuse
50
Bestandteile zur Wellenlängenkonversion
Anmelder:
OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH [DE/DE]; Leibnizstr. 4 93055 Regensburg, DE
Erfinder:
PINDL, Markus; null
CUI, Hailing; DE
Vertreter:
EPPING HERMANN FISCHER PATENTANWALTSGESELLSCHAFT MBH; Schloßschmidstr. 5 80639 München, DE
Prioritätsdaten:
10 2017 119 872.530.08.2017DE
Titel (EN) METHOD FOR PRODUCING AN OPTOELECTRONIC SEMICONDUCTOR COMPONENT, AND OPTOELECTRONIC SEMICONDUCTOR COMPONENT
(FR) PROCÉDÉ POUR LA PRODUCTION D’UN DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR OPTOÉLECTRONIQUE ET DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR OPTOÉLECTRONIQUE
(DE) VERFAHREN ZUM HERSTELLEN EINES OPTOELEKTRONISCHEN HALBLEITERBAUTEILS UND OPTOELEKTRONISCHES HALBLEITERBAUTEIL
Zusammenfassung:
(EN) The invention relates to a method for producing an optoelectronic semiconductor component (100) comprising a step A) in which a semiconductor layer sequence (14) is provided, wherein the semiconductor layer sequence has a radiation side (10) with a plurality of luminous areas (11, 12). In a step B), a first photo layer (2) which can be photostructured is applied to the radiation side. In a step C), the first photo layer is photostructured, wherein holes (20) are formed in the first photo layer in the region of first luminous areas. In a step D), a first converter material (31) is applied to the structured first photo layer, wherein the first converter material partially or fully fills the holes, producing in the holes first converter elements (5) which cover the associated first luminous areas. In a step E), the first photo layer is removed. In a step F), a second converter material (32) is applied to the radiation side at least in the region of second luminous areas which are different from the first luminous areas. After steps A) to F), the first converter elements are in direct contact with the second converter material.
(FR) Procédé pour la production d’un dispositif à semi-conducteur optoélectronique (100) comprenant une étape A), dans laquelle une série de couches semi-conductrices (14) est fournie, la série de couches semi-conductrices comprenant un côté radiant (10) comprenant une pluralité de surfaces lumineuses (11, 12). Dans une étape B), une première couche photographique photomodelable (2) est déposée sur le côté radiant. Dans une étape C), la première couche photographique est photomodelée, des trous (20) étant formés dans la première couche photographique dans la zone de premières surfaces lumineuses. Dans une étape D), un premier matériau convertisseur (31) est déposé sur la première couche photographique modelée, le premier matériau convertisseur remplissant les trous partiellement ou entièrement et des premiers éléments convertisseurs (5), qui recouvrent les premières surfaces lumineuses associées, étant créés dans les trous. Dans une étape E), la première couche photographique est retirée. Dans une étape F), un deuxième matériau convertisseur (32) est déposé sur le côté radiant, au moins dans la zone de deuxièmes surfaces lumineuses qui diffèrent des premières surfaces lumineuses. Après les étapes A) à F), les premiers éléments convertisseurs sont en contact direct avec le deuxième matériau convertisseur.
(DE) Das Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Halbleiterbauteils (100) umfasst einen Schritt A), in dem eine Halbleiterschichtenfolge (14) bereitgestellt wird, wobei die Halbleiterschichtenfolge eine Strahlungsseite (10) mit einer Mehrzahl von Leuchtflächen (11, 12) aufweist. In einem Schritt B) wird eine fotostrukturierbare erste Fotoschicht (2) auf die Strahlungsseite aufgebracht. In einem Schritt C) wird die erste Fotoschicht fotostrukturiert, wobei im Bereich erster Leuchtflächen Löcher (20) in der ersten Fotoschicht ausgebildet werden. In einem Schritt D) wird ein erstes Konvertermaterial (31) auf die strukturierte erste Fotoschicht aufgebracht, wobei das erste Konvertermaterial die Löcher teilweise oder vollständig auffüllt und dabei in den Löchern erste Konverterelemente (5) entstehen, die die zugeordneten ersten Leuchtflächen überdecken. In einem Schritt E) wird die erste Fotoschicht entfernt. In einem Schritt F) wird ein zweites Konvertermaterial (32) auf die Strahlungsseite zumindest im Bereich von zweiten Leuchtflächen, die von den ersten Leuchtflächen verschieden sind, aufgebracht. Nach den Schritten A) bis F) stehen die ersten Konverterelemente in unmittelbarem Kontakt zum zweiten Konvertermaterial.
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Veröffentlichungssprache: Deutsch (DE)
Anmeldesprache: Deutsch (DE)