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1. (WO2019042746) OPTOELEKTRONISCHES HALBLEITERBAUELEMENT
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Veröff.-Nr.: WO/2019/042746 Internationale Anmeldenummer PCT/EP2018/071786
Veröffentlichungsdatum: 07.03.2019 Internationales Anmeldedatum: 10.08.2018
IPC:
H01L 33/14 (2010.01) ,H01S 5/042 (2006.01) ,H01L 33/32 (2010.01) ,H01S 5/323 (2006.01)
H Elektrotechnik
01
Grundlegende elektrische Bauteile
L
Halbleiterbauelemente; elektrische Festkörperbauelemente, soweit nicht anderweitig vorgesehen
33
Halbleiterbauelemente mit wenigstens einer Potenzialsprung-Sperrschicht oder Oberflächensperrschicht, besonders ausgebildet zur Lichtemission; Verfahren oder Vorrichtungen, besonders ausgebildet für die Herstellung oder Behandlung dieser Bauelemente oder Teilen davon; Einzelheiten dieser Bauelemente
02
charakterisiert durch den Halbleiterkörper
14
mit Struktur zur Kontrolle des Ladungsträgertransports, z.B. einer hoch dotierten Halbleiterschicht oder einer stromsperrenden Struktur
H Elektrotechnik
01
Grundlegende elektrische Bauteile
S
Vorrichtungen, die stimulierte Emission verwenden
5
Halbleiterlaser
04
Verfahren oder Geräte zur Anregung, z.B. zum Pumpen
042
Elektrische Anregung
H Elektrotechnik
01
Grundlegende elektrische Bauteile
L
Halbleiterbauelemente; elektrische Festkörperbauelemente, soweit nicht anderweitig vorgesehen
33
Halbleiterbauelemente mit wenigstens einer Potenzialsprung-Sperrschicht oder Oberflächensperrschicht, besonders ausgebildet zur Lichtemission; Verfahren oder Vorrichtungen, besonders ausgebildet für die Herstellung oder Behandlung dieser Bauelemente oder Teilen davon; Einzelheiten dieser Bauelemente
02
charakterisiert durch den Halbleiterkörper
26
Materialien des lichtemittierenden Bereichs
30
nur Elemente der Gruppen III und V des Periodensystems enthaltend
32
Stickstoff enthaltend
H Elektrotechnik
01
Grundlegende elektrische Bauteile
S
Vorrichtungen, die stimulierte Emission verwenden
5
Halbleiterlaser
30
Aufbau oder Form des aktiven Gebiets; Materialien für das aktive Gebiet
32
mit PN-Übergängen, z.B. Hetero- oder Doppelheterostrukturen
323
in AIIIBV-Verbindungen, z.B. AlGaAs-Laser
Anmelder:
OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH [DE/DE]; Leibnizstr. 4 93055 Regensburg, DE
Erfinder:
PETER, Matthias; DE
WURM, Teresa; DE
EICHLER, Christoph; DE
Vertreter:
EPPING HERMANN FISCHER PATENTANWALTSGESELLSCHAFT MBH; Schloßschmidstr. 5 80639 München, DE
Prioritätsdaten:
10 2017 119 931.430.08.2017DE
Titel (EN) OPTOELECTRONIC SEMICONDUCTOR COMPONENT
(FR) COMPOSANT SEMI-CONDUCTEUR OPTOÉLECTRONIQUE
(DE) OPTOELEKTRONISCHES HALBLEITERBAUELEMENT
Zusammenfassung:
(EN) The invention relates to an optoelectronic semiconductor component (1) having a semiconductor body (10), in which there are formed an active layer (103) configured for the generation or detection of electromagnetic radiation, a first interlayer (101) and a p-type contact layer (104), and having a connecting layer (121) applied to the semiconductor body (10). The contact layer (104) is arranged between the first interlayer (101) and the connecting layer (121) and adjoins the connecting layer (121), the active layer (103) being arranged on a side of the first interlayer (101) facing away from the contact layer (104). The first interlayer (101) and the contact layer (104) are based on a nitride compound semiconductor, and the contact layer (104) is doped with a p-dopant. The contact layer (104) has a thickness of no more than 50nm and has a lower aluminium content than the first interlayer (101).
(FR) L'invention concerne un composant semi-conducteur (1) optoélectronique comprenant un corps semi-conducteur (10) dans lequel sont réalisées une couche active (103) mise au point pour générer ou détecter un rayonnement électromagnétique, une première couche intermédiaire (101) et une couche de contact (104) conductrice de type p. L'invention concerne également une couche de raccordement (121) appliquée sur le corps semi-conducteur (10). La couche de contact (104) est disposée entre la première couche intermédiaire (101) et la couche de raccordement (121), jouxte la couche de raccordement (121) ; et la couche active (103) est disposée sur un côté, opposé à la couche de contact (104), de la première couche intermédiaire (101). La première couche intermédiaire (101) et la couche de contact (104) sont basées sur un semi-conducteur à composé nitrure, et la couche de contact (104) est dopée avec un dopant de type p. La couche de contact (104) présente une épaisseur de 50 nm au maximum et comprend une teneur en aluminium inférieure à celle de la première couche intermédiaire (101).
(DE) Es wird ein optoelektronisches Halbleiterbauelement(1)mit einem Halbleiterkörper (10), in dem eine zur Erzeugung oder Detektion von elektromagnetischer Strahlung eingerichtete aktive Schicht (103), eine erste Zwischenschicht (101) und eine p-leitende Kontaktschicht (104) ausgebildet sind, und einer auf den Halbleiterkörper (10) aufgebrachten Anschlussschicht (121) angegeben. Wobei die Kontaktschicht (104) zwischen der ersten Zwischenschicht (101) und der Anschlussschicht (121) angeordnet ist, an die Anschlussschicht (121) angrenzt und die aktive Schicht (103) auf einer der Kontaktschicht (104) abgewandten Seite der ersten Zwischenschicht (101) angeordnet ist. Die erste Zwischenschicht (101) und die Kontaktschicht (104) basieren auf einem Nitridverbindungshalbleiter und die Kontaktschicht (104) ist mit einem p-Dotierstoff dotiert. Die Kontaktschicht (104) weist eine Dicke von höchstens 50nm auf und hat einen geringeren Aluminiumgehalt als die erste Zwischenschicht (101).
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Veröffentlichungssprache: Deutsch (DE)
Anmeldesprache: Deutsch (DE)