Einige Inhalte dieser Anwendung sind momentan nicht verfügbar.
Wenn diese Situation weiterhin besteht, kontaktieren Sie uns bitte unterFeedback&Kontakt
1. (WO2019039290) ACTINIC RAY-SENSITIVE OR RADIATION-SENSITIVE RESIN COMPOSITION, RESIST FILM, PATTERN-FORMING METHOD, METHOD FOR PRODUCING ELECTRONIC DEVICE, RESIST FILM-EQUIPPED MASK BLANK, PATTERN-FORMING METHOD FOR RESIST FILM-EQUIPPED MASK BLANK
Aktuellste beim Internationalen Büro vorliegende bibliographische DatenEinwendung einreichen

Veröff.-Nr.: WO/2019/039290 Internationale Anmeldenummer PCT/JP2018/029765
Veröffentlichungsdatum: 28.02.2019 Internationales Anmeldedatum: 08.08.2018
IPC:
G03F 7/004 (2006.01) ,C07C 381/12 (2006.01) ,C07D 231/54 (2006.01) ,C07D 265/10 (2006.01) ,C07D 275/04 (2006.01) ,C07D 281/18 (2006.01) ,C07D 309/08 (2006.01) ,C07D 319/06 (2006.01) ,C07D 327/08 (2006.01) ,C07D 333/42 (2006.01) ,C07D 333/46 (2006.01) ,C07D 333/76 (2006.01) ,C07D 335/02 (2006.01) ,C07D 493/04 (2006.01) ,C07D 493/08 (2006.01) ,C08K 5/42 (2006.01) ,C08L 101/00 (2006.01) ,G03F 1/82 (2012.01) ,G03F 7/038 (2006.01) ,G03F 7/039 (2006.01) ,G03F 7/20 (2006.01) ,C09K 3/00 (2006.01)
G Physik
03
Fotografie; Kinematografie; vergleichbare Techniken unter Verwendung von nicht optischen Wellen; Elektrografie; Holografie
F
Fotomechanische Herstellung strukturierter oder gemusterter Oberflächen, z.B. zum Drucken, zum Herstellen von Halbleiterbauelementen; Materialien dafür; Kopiervorlagen dafür; Vorrichtungen besonders ausgebildet dafür
7
Fotomechanische, z.B. fotolithografische Herstellung von strukturierten oder gemusterten Oberflächen, z.B. Druckflächen; Materialien dafür, z.B. mit Fotolacken [Resists]; Vorrichtungen besonders ausgebildet dafür
004
Lichtempfindliche Materialien
04
Chromate
C Chemie; Hüttenwesen
07
Organische Chemie
C
Acyclische oder carbocyclische Verbindungen
381
Verbindungen, die Kohlenstoff und Schwefel enthalten und funktionelle Gruppen besitzen, die nicht von den Gruppen C07C301/-C07C337/165
12
Sulfoniumverbindungen
C Chemie; Hüttenwesen
07
Organische Chemie
D
Heterocyclische Verbindungen
231
Heterocyclische Verbindungen, die 1,2-Diazol-Ringe oder hydrierte 1,2-Diazol-Ringe enthalten
54
kondensiert mit carbocyclischen Ringen oder Ringsystemen
C Chemie; Hüttenwesen
07
Organische Chemie
D
Heterocyclische Verbindungen
265
Heterocyclische Verbindungen, die sechsgliedrige Ringe mit 1 Stickstoffatom und 1 Sauerstoffatom als einzige Ring-Heteroatome enthalten
04
1,3-Oxazine; hydrierte 1,3-Oxazine
06
nicht mit anderen Ringen kondensiert
08
mit 1 Doppelbindung innerhalb des Rings oder zwischen einem Ringatom und einem Atom außerhalb des Rings
10
mit direkt an Ring-Kohlenstoffatome gebundenen Sauerstoffatomen
C Chemie; Hüttenwesen
07
Organische Chemie
D
Heterocyclische Verbindungen
275
Heterocyclische Verbindungen, die 1,2-Thiazol- oder hydrierte 1,2-Thiazol-Ringe enthalten
04
kondensiert mit carbocyclischen Ringen oder Ringsystemen
C Chemie; Hüttenwesen
07
Organische Chemie
D
Heterocyclische Verbindungen
281
Heterocyclische Verbindungen, die Ringe mit mehr als sechs Ringgliedern mit 1 Stickstoffatom und 1 Schwefelatom als einzige Ring-Heteroatome enthalten
18
achtgliedrige Ringe
C Chemie; Hüttenwesen
07
Organische Chemie
D
Heterocyclische Verbindungen
309
Heterocyclische Verbindungen, die sechsgliedrige Ringe mit 1 Sauerstoffatom als einziges Ring- Heteroatom enthalten, die nicht mit anderen Ringen kondensiert sind
02
ohne Doppelbindung innerhalb des Rings oder zwischen Ringatomen und Atomen außerhalb des Rings
08
mit direkt an Ring-Kohlenstoffatome gebundenen Heteroatomen oder Kohlenstoffatomen mit drei Bindungen zu Heteroatomen, von denen aber höchstens eine eine Bindung zu einem Halogenatom ist, z.B. Ester- oder Nitrilgruppen
C Chemie; Hüttenwesen
07
Organische Chemie
D
Heterocyclische Verbindungen
319
Heterocyclische Verbindungen, die sechsgliedrige Ringe mit zwei Sauerstoffatomen als einzige Ring- Heteroatome enthalten
04
1,3-Dioxane; hydrierte 1,3-Dioxane
06
nicht mit anderen Ringen kondensiert
C Chemie; Hüttenwesen
07
Organische Chemie
D
Heterocyclische Verbindungen
327
Heterocyclische Verbindungen, die Ringe mit Sauerstoff- und Schwefelatomen als einzige Ring- Heteroatome enthalten
02
1 Sauerstoffatom und 1 Schwefelatom
06
sechsgliedrige Ringe
08
[b,e]-kondensiert mit zwei sechsgliedrigen carbocyclischen Ringen
C Chemie; Hüttenwesen
07
Organische Chemie
D
Heterocyclische Verbindungen
333
Heterocyclische Verbindungen, die fünfgliedrige Ringe mit 1 Schwefelatom als einziges Ring- Heteroatom enthalten
02
nicht mit anderen Ringen kondensiert
04
am Ring-Schwefelatom nicht substituiert
26
mit direkt an Ring-Kohlenstoffatome gebundenen Heteroatomen oder Kohlenstoffatomen mit drei Bindungen zu Heteroatomen, von denen aber höchstens eine eine Bindung zu einem Halogenatom ist, z.B. Ester- oder Nitrilgruppen
42
mit direkt an Ring-Kohlenstoffatome gebundenen Nitro- oder Nitrosogruppen
C Chemie; Hüttenwesen
07
Organische Chemie
D
Heterocyclische Verbindungen
333
Heterocyclische Verbindungen, die fünfgliedrige Ringe mit 1 Schwefelatom als einziges Ring- Heteroatom enthalten
02
nicht mit anderen Ringen kondensiert
46
am Ring-Schwefelatom substituiert
C Chemie; Hüttenwesen
07
Organische Chemie
D
Heterocyclische Verbindungen
333
Heterocyclische Verbindungen, die fünfgliedrige Ringe mit 1 Schwefelatom als einziges Ring- Heteroatom enthalten
50
kondensiert mit carbocyclischen Ringen oder Ringsystemen
76
Dibenzothiophene
C Chemie; Hüttenwesen
07
Organische Chemie
D
Heterocyclische Verbindungen
335
Heterocyclische Verbindungen, die sechsgliedrige Ringe mit 1 Schwefelatom als einziges Ring- Heteroatom enthalten
02
nicht mit anderen Ringen kondensiert
C Chemie; Hüttenwesen
07
Organische Chemie
D
Heterocyclische Verbindungen
493
Heterocyclische Verbindungen, die Sauerstoffatome als einzige Ring-Heteroatome in dem kondensierten System enthalten
02
in welchen das kondensierte System zwei Heteroringe enthält
04
ortho-kondensierte Systeme
C Chemie; Hüttenwesen
07
Organische Chemie
D
Heterocyclische Verbindungen
493
Heterocyclische Verbindungen, die Sauerstoffatome als einzige Ring-Heteroatome in dem kondensierten System enthalten
02
in welchen das kondensierte System zwei Heteroringe enthält
08
verbrückte Systeme
C Chemie; Hüttenwesen
08
Organische makromolekulare Verbindungen; deren Herstellung oder chemische Verarbeitung; Massen auf deren Basis
K
Verwendung von anorganischen oder nichtmakromolekularen organischen Stoffen als Zusatzstoffe
5
Verwendung von organischen Zusatzstoffen
36
Schwefel, Selen oder Tellur enthaltende Verbindungen
41
Verbindungen, die Schwefel gebunden an Sauerstoff enthalten
42
Sulfonsäuren; Derivate davon
C Chemie; Hüttenwesen
08
Organische makromolekulare Verbindungen; deren Herstellung oder chemische Verarbeitung; Massen auf deren Basis
L
Massen auf Basis makromolekularer Verbindungen
101
Massen auf Basis von nicht näher gekennzeichneten makromolekularen Verbindungen
G Physik
03
Fotografie; Kinematografie; vergleichbare Techniken unter Verwendung von nicht optischen Wellen; Elektrografie; Holografie
F
Fotomechanische Herstellung strukturierter oder gemusterter Oberflächen, z.B. zum Drucken, zum Herstellen von Halbleiterbauelementen; Materialien dafür; Kopiervorlagen dafür; Vorrichtungen besonders ausgebildet dafür
1
Kopiervorlagen für die fotomechanische Herstellung von strukturierten oder gemusterten Oberflächen, z.B. Masken, Fotomasken oder Zielmarken; zugehörige Maskenrohlinge oder Pellicles; besonders hierfür ausgebildete Behälter; Herstellung derselben
68
Herstellungsprozesse, die nicht durch die Gruppen G03F1/20-G03F1/50101
82
Hilfsprozesse, z.B. Reinigen
G Physik
03
Fotografie; Kinematografie; vergleichbare Techniken unter Verwendung von nicht optischen Wellen; Elektrografie; Holografie
F
Fotomechanische Herstellung strukturierter oder gemusterter Oberflächen, z.B. zum Drucken, zum Herstellen von Halbleiterbauelementen; Materialien dafür; Kopiervorlagen dafür; Vorrichtungen besonders ausgebildet dafür
7
Fotomechanische, z.B. fotolithografische Herstellung von strukturierten oder gemusterten Oberflächen, z.B. Druckflächen; Materialien dafür, z.B. mit Fotolacken [Resists]; Vorrichtungen besonders ausgebildet dafür
004
Lichtempfindliche Materialien
038
makromolekulare Verbindungen, die unlöslich oder unterschiedlich benetzbar gemacht werden
G Physik
03
Fotografie; Kinematografie; vergleichbare Techniken unter Verwendung von nicht optischen Wellen; Elektrografie; Holografie
F
Fotomechanische Herstellung strukturierter oder gemusterter Oberflächen, z.B. zum Drucken, zum Herstellen von Halbleiterbauelementen; Materialien dafür; Kopiervorlagen dafür; Vorrichtungen besonders ausgebildet dafür
7
Fotomechanische, z.B. fotolithografische Herstellung von strukturierten oder gemusterten Oberflächen, z.B. Druckflächen; Materialien dafür, z.B. mit Fotolacken [Resists]; Vorrichtungen besonders ausgebildet dafür
004
Lichtempfindliche Materialien
039
Makromolekulare fotodepolymerisierbare Verbindungen, z.B. positiv arbeitende elektronenempfindliche Fotolacke [Resists]
G Physik
03
Fotografie; Kinematografie; vergleichbare Techniken unter Verwendung von nicht optischen Wellen; Elektrografie; Holografie
F
Fotomechanische Herstellung strukturierter oder gemusterter Oberflächen, z.B. zum Drucken, zum Herstellen von Halbleiterbauelementen; Materialien dafür; Kopiervorlagen dafür; Vorrichtungen besonders ausgebildet dafür
7
Fotomechanische, z.B. fotolithografische Herstellung von strukturierten oder gemusterten Oberflächen, z.B. Druckflächen; Materialien dafür, z.B. mit Fotolacken [Resists]; Vorrichtungen besonders ausgebildet dafür
20
Belichten; Vorrichtungen dafür
C Chemie; Hüttenwesen
09
Farbstoffe; Anstrichstoffe; Polituren; Naturharze; Klebstoffe; Zusammensetzungen, soweit nicht anderweitig vorgesehen; Anwendungen von Stoffen, soweit nicht anderweitig vorgesehen
K
Materialien für Anwendungen, soweit nicht anderweitig vorgesehen; Verwendung von Materialien, soweit nicht anderweitig vorgesehen
3
Materialien, soweit nicht anderweitig vorgesehen
Anmelder:
富士フイルム株式会社 FUJIFILM CORPORATION [JP/JP]; 東京都港区西麻布2丁目26番30号 26-30, Nishiazabu 2-chome, Minato-ku, Tokyo 1068620, JP
Erfinder:
土村 智孝 TSUCHIMURA Tomotaka; JP
八木 一成 YAGI Kazunari; JP
Vertreter:
中島 順子 NAKASHIMA Junko; JP
米倉 潤造 YONEKURA Junzo; JP
村上 泰規 MURAKAMI Yasunori; JP
Prioritätsdaten:
2017-16086424.08.2017JP
Titel (EN) ACTINIC RAY-SENSITIVE OR RADIATION-SENSITIVE RESIN COMPOSITION, RESIST FILM, PATTERN-FORMING METHOD, METHOD FOR PRODUCING ELECTRONIC DEVICE, RESIST FILM-EQUIPPED MASK BLANK, PATTERN-FORMING METHOD FOR RESIST FILM-EQUIPPED MASK BLANK
(FR) COMPOSITION DE RÉSINE SENSIBLE AUX RAYONS ACTINIQUES OU AU RAYONNEMENT, FILM DE RÉSERVE, PROCÉDÉ DE FORMATION DE MOTIF, PROCÉDÉ DE FABRICATION DE DISPOSITIF ÉLECTRONIQUE, DÉCOUPE DE MASQUE ÉQUIPÉE D'UN FILM DE RÉSERVE, PROCÉDÉ DE FORMATION DE MOTIF DESTINÉ À UNE DÉCOUPE DE MASQUE ÉQUIPÉE D'UN FILM DE RÉSERVE
(JA) 感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、レジスト膜、パターン形成方法、電子デバイスの製造方法、レジスト膜付きマスクブランクス、レジスト膜付きマスクブランクスのパターン形成方法
Zusammenfassung:
(EN) Provided are: an actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition that has excellent resolution, exposure latitude, and pattern shape properties; and a resist film, a pattern-forming method, a method for producing an electronic device, a resist film-equipped mask blank, and a pattern-forming method for a resist film-equipped mask blank, which use said actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition. This actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition comprises: a compound that generates an acid represented by specific general formula (I) upon being irradiated with an actinic ray or radiation; and a resin.
(FR) L'invention concerne : une composition de résine sensible aux rayons actiniques ou au rayonnement qui présente une excellente résolution, une excellente latitude d'exposition et des propriétés de forme de motif ; un film de réserve, un procédé de formation de motif, un procédé de fabrication d'un dispositif électronique, une découpe de masque équipée d'un film de réserve, et un procédé de formation de motif destiné à une découpe de masque équipée d'un film de réserve, qui utilisent ladite composition de résine sensible aux rayons actiniques ou au rayonnement. Cette composition de résine sensible aux rayons actiniques ou au rayonnement comporte : un composé qui génère un acide représenté par la formule générale spécifique (I) lorsqu'il est exposé à un rayon actinique ou à un rayonnement ; une résine.
(JA) 解像力、露光ラチチュード、および、パターン形状特性に優れた感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、上記感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物を用いたレジスト膜、パターン形成方法、電子デバイスの製造方法、レジスト膜付きマスクブランクス、及び、レジスト膜付きマスクブランクスのパターン形成方法を提供する。感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物は、活性光線又は放射線の照射により特定の一般式(I)で表される酸を発生する化合物と、樹脂とを含有する。
Designierte Staaten: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Afrikanische regionale Organisation für geistiges Eigentum (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasisches Patentamt (EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Europäisches Patentamt (EPA) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Afrikanische Organisation für geistiges Eigentum (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Veröffentlichungssprache: Japanisch (JA)
Anmeldesprache: Japanisch (JA)