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1. (WO2019039103) TUNGSTEN COMPOUND, RAW MATERIAL FOR THIN FILM FORMATION AND METHOD FOR PRODUCING THIN FILM
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Veröff.-Nr.: WO/2019/039103 Internationale Anmeldenummer PCT/JP2018/025392
Veröffentlichungsdatum: 28.02.2019 Internationales Anmeldedatum: 04.07.2018
IPC:
C07F 17/00 (2006.01) ,C07F 11/00 (2006.01) ,C23C 16/40 (2006.01) ,H01L 21/316 (2006.01)
C Chemie; Hüttenwesen
07
Organische Chemie
F
Acyclische, carbocyclische oder heterocyclische Verbindungen, die andere Elemente als Kohlenstoff, Wasserstoff, Halogen, Sauerstoff, Stickstoff, Schwefel, Selen oder Tellur enthalten
17
Metallocene
C Chemie; Hüttenwesen
07
Organische Chemie
F
Acyclische, carbocyclische oder heterocyclische Verbindungen, die andere Elemente als Kohlenstoff, Wasserstoff, Halogen, Sauerstoff, Stickstoff, Schwefel, Selen oder Tellur enthalten
11
Verbindungen, die Elemente der sechsten Gruppe des Periodensystems enthalten
C Chemie; Hüttenwesen
23
Beschichten metallischer Werkstoffe; Beschichten von Werkstoffen mit metallischen Stoffen; Chemische Oberflächenbehandlung; Diffusionsbehandlung von metallischen Werkstoffen; Beschichten allgemein durch Vakuumbedampfen, Aufstäuben, Ionenimplantation oder chemisches Abscheiden aus der Dampfphase; Inhibieren von Korrosion metallischer Werkstoffe oder von Verkrustung allgemein
C
Beschichten metallischer Werkstoffe; Beschichten von Werkstoffen mit metallischen Stoffen; Oberflächenbehandlung metallischer Werkstoffe durch Diffusion in die Oberfläche, durch chemische Umwandlung oder Substitution; Beschichten allgemein durch Vakuumbedampfen, durch Aufstäuben, durch Ionenimplantation oder durch chemisches Abscheiden aus der Dampfphase
16
Chemisches Beschichten durch Zersetzen gasförmiger Verbindungen ohne Verbleiben von Reaktionsprodukten des Oberflächenmaterials im Überzug, d.h. Verfahren zur chemischen Abscheidung aus der Dampfphase [chemical vapour deposition = CVD]
22
gekennzeichnet durch das Abscheiden anderer anorganischer Stoffe als metallischer Stoffe
30
Abscheiden von Verbindungen, Gemischen oder festen Lösungen, z.B. von Boriden, Carbiden, Nitriden
40
von Oxiden
H Elektrotechnik
01
Grundlegende elektrische Bauteile
L
Halbleiterbauelemente; elektrische Festkörperbauelemente, soweit nicht anderweitig vorgesehen
21
Verfahren oder Geräte, besonders ausgebildet für die Herstellung oder Behandlung von Halbleiter- oder Festkörperbauelementen oder Teilen davon
02
Herstellung oder Behandlung von Halbleiterbauelementen oder Teilen davon
04
Bauelemente mit mindestens einer Potenzialsprung-Sperrschicht oder Oberflächensperrschicht, z.B. PN-Übergang, Verarmungsschicht, Anreicherungsschicht
18
Bauelemente mit Halbleiterkörpern aus Elementen der Gruppe IV des Periodensystems oder AIIIBV-Verbindungen mit oder ohne Fremdstoffe, z.B. Dotierungsmaterialien
30
Behandlung von Halbleiterkörpern unter Verwendung von Verfahren oder Vorrichtungen, soweit nicht von H01L21/20-H01L21/26152
31
zur Bildung isolierender Schichten auf Halbleiterkörpern, z.B. für Maskierungszwecke oder bei Verwendung fotolithografischer Techniken; Nachbehandlung dieser Schichten; Auswahl von Materalien für diese Schichten
314
Anorganische Schichten
316
zusammengesetzt aus Oxiden oder glasigen Oxiden oder Gläsern auf Oxidbasis
Anmelder:
株式会社ADEKA ADEKA CORPORATION [JP/JP]; 東京都荒川区東尾久七丁目2番35号 2-35, Higashiogu 7-chome, Arakawa-ku, Tokyo 1168554, JP
Erfinder:
齋藤 昭夫 SAITO, Akio; JP
白鳥 翼 SHIRATORI, Tsubasa; JP
青木 雄太郎 AOKI, Yutaro; JP
Vertreter:
曾我 道治 SOGA, Michiharu; JP
梶並 順 KAJINAMI, Jun; JP
大宅 一宏 OHYA, Kazuhiro; JP
Prioritätsdaten:
2017-15856521.08.2017JP
Titel (EN) TUNGSTEN COMPOUND, RAW MATERIAL FOR THIN FILM FORMATION AND METHOD FOR PRODUCING THIN FILM
(FR) COMPOSÉ DE TUNGSTÈNE, MATIÈRE PREMIÈRE POUR LA FORMATION DE FILM MINCE ET PROCÉDÉS DE PRODUCTION DE FILM MINCE
(JA) タングステン化合物、薄膜形成用原料及び薄膜の製造方法
Zusammenfassung:
(EN) The present invention provides a tungsten compound represented by general formula (1) (wherein X represents a halogen atom, R1-R5 each independently represent a hydrogen atom or a C1-C5 alkyl group, R6 represents a tert-butyl group or a tert-pentyl group, and R7 represents a C1-C5 alkyl group; however, R7 represents a C1-C3 or C5 alkyl group when R1-R5 are all hydrogen atoms and R6 is a tert-butyl group, and when R1-R5 are all methyl groups and R6 is a tert-butyl group.)
(FR) La présente invention concerne un composé de tungstène représenté par la formule générale (1) (dans laquelle X représente un atome d'halogène, R1-R5 représentent chacun indépendamment un atome d'hydrogène ou un groupe alkyle en C1-C5, R6 représente un groupe tert-butyle ou un groupe tert-pentyle, et R7 représente un groupe alkyle en C1-C5; cependant, R7 représente un groupe alkyle en C1-C3 ou C5 lorsque R1-R5 représentent tous des atomes d'hydrogène et R6 représente un groupe tert-butyle, et lorsque R1-R5 représentent tous des groupes méthyle et R6 représente un groupe tert-butyle.)
(JA) 本発明は、下記一般式(1)で表されるタングステン化合物を提供することにある: (式中、Xは、ハロゲン原子を表し、R1~R5は、各々独立に、水素原子又は炭素原子数1~5のアルキル基を表し、R6は、第三ブチル基又は第三ペンチル基を表し、R7は、炭素数原子数1~5のアルキル基を表す。ただし、R1~R5が全て水素原子であり、R6が第三ブチル基である場合、及びR1~R5が全てメチル基であり、R6が第三ブチル基である場合は、R7は、炭素原子数1~3又は5のアルキル基を表す。)
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Designierte Staaten: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Afrikanische regionale Organisation für geistiges Eigentum (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasisches Patentamt (EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Europäisches Patentamt (EPA) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Afrikanische Organisation für geistiges Eigentum (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Veröffentlichungssprache: Japanisch (JA)
Anmeldesprache: Japanisch (JA)