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1. (WO2019038327) BEHANDLUNGSVORRICHTUNG FÜR SUBSTRATE UND VERFAHREN ZUM BETRIEB EINER SOLCHEN BEHANDLUNGSVORRICHTUNG
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Veröff.-Nr.: WO/2019/038327 Internationale Anmeldenummer PCT/EP2018/072666
Veröffentlichungsdatum: 28.02.2019 Internationales Anmeldedatum: 22.08.2018
IPC:
C23C 16/44 (2006.01) ,H01L 21/67 (2006.01) ,H01J 37/32 (2006.01) ,F04C 28/02 (2006.01) ,F04D 25/16 (2006.01) ,B01D 53/74 (2006.01) ,F04D 25/00 (2006.01)
C Chemie; Hüttenwesen
23
Beschichten metallischer Werkstoffe; Beschichten von Werkstoffen mit metallischen Stoffen; Chemische Oberflächenbehandlung; Diffusionsbehandlung von metallischen Werkstoffen; Beschichten allgemein durch Vakuumbedampfen, Aufstäuben, Ionenimplantation oder chemisches Abscheiden aus der Dampfphase; Inhibieren von Korrosion metallischer Werkstoffe oder von Verkrustung allgemein
C
Beschichten metallischer Werkstoffe; Beschichten von Werkstoffen mit metallischen Stoffen; Oberflächenbehandlung metallischer Werkstoffe durch Diffusion in die Oberfläche, durch chemische Umwandlung oder Substitution; Beschichten allgemein durch Vakuumbedampfen, durch Aufstäuben, durch Ionenimplantation oder durch chemisches Abscheiden aus der Dampfphase
16
Chemisches Beschichten durch Zersetzen gasförmiger Verbindungen ohne Verbleiben von Reaktionsprodukten des Oberflächenmaterials im Überzug, d.h. Verfahren zur chemischen Abscheidung aus der Dampfphase [chemical vapour deposition = CVD]
44
gekennzeichnet durch das Beschichtungsverfahren
H Elektrotechnik
01
Grundlegende elektrische Bauteile
L
Halbleiterbauelemente; elektrische Festkörperbauelemente, soweit nicht anderweitig vorgesehen
21
Verfahren oder Geräte, besonders ausgebildet für die Herstellung oder Behandlung von Halbleiter- oder Festkörperbauelementen oder Teilen davon
67
Vorrichtungen, besonders ausgebildet zur Handhabung von Halbleiterbauelementen oder elektrischen Festkörperbauelementen während ihrer Herstellung oder Behandlung; Vorrichtungen, besonders ausgebildet zur Handhabung von Wafern während der Herstellung oder Behandlung von Halbleiterbauelementen, elektrischen Festkörperbauelementen oder einzelnen Schaltungselementen
H Elektrotechnik
01
Grundlegende elektrische Bauteile
J
Elektrische Entladungsröhren oder Entladungslampen
37
Entladungsröhren mit Vorkehrung zum Einführen von Gegenständen oder Werkstoffen, die der Entladung ausgesetzt werden sollen, z.B. zur Prüfung oder Bearbeitung derselben
32
Gasgefüllte Entladungsröhren
F Maschinenbau; Beleuchtung; Heizung; Waffen; Sprengen
04
Verdrängerkraft- und Verdrängerarbeitsmaschinen für Flüssigkeiten; Arbeitsmaschinen [insbesondere Pumpen] für Flüssigkeiten oder Gase, Dämpfe
C
Rotationskolben- oder Schwenkkolbenmaschinen [Kraft- und Arbeitsmaschinen] für Flüssigkeiten; Rotationskolben- oder Schwenkkolbenarbeitsmaschinen, insbesondere Pumpen
28
Steuern, Regeln oder Überwachen von oder Sicherheitsmaßnahmen für Pumpen oder Pumpenanlagen, besonders ausgebildet für Gase oder Dämpfe
02
besonders ausgebildet für mehrere in Reihe oder parallel geschaltete Pumpen
F Maschinenbau; Beleuchtung; Heizung; Waffen; Sprengen
04
Verdrängerkraft- und Verdrängerarbeitsmaschinen für Flüssigkeiten; Arbeitsmaschinen [insbesondere Pumpen] für Flüssigkeiten oder Gase, Dämpfe
D
Strömungsarbeitsmaschinen
25
Verdichter-, Gebläseeinrichtungen oder -systeme
16
Kombinationen von zwei oder mehr Lüftern [Gebläsen, Verdichtern]
B Arbeitsverfahren; Transportieren
01
Physikalische oder chemische Verfahren oder Vorrichtungen allgemein
D
Trennen
53
Trennen von Gasen oder Dämpfen voneinander; Wiedergewinnen von Dämpfen flüchtiger Lösungsmittel aus Gasen; Chemische oder biologische Reinigung von Abgasen, z.B. Motorabgasen, Rauch, Abdampf, Rauchgasen, Aerosolen
34
Chemische oder biologische Reinigung von Abgasen
74
Allgemeine Verfahren zur Reinigung von Abgasen; Apparate oder Geräte, die speziell hierfür geeignet sind
F Maschinenbau; Beleuchtung; Heizung; Waffen; Sprengen
04
Verdrängerkraft- und Verdrängerarbeitsmaschinen für Flüssigkeiten; Arbeitsmaschinen [insbesondere Pumpen] für Flüssigkeiten oder Gase, Dämpfe
D
Strömungsarbeitsmaschinen
25
Verdichter-, Gebläseeinrichtungen oder -systeme
Anmelder:
CENTROTHERM INTERNATIONAL AG [DE/DE]; Württemberger Str. 31 89143 Blaubeuren, DE
Erfinder:
SCHULZ, Sebastian Hubertus; DE
GUGGOLZ, Lars; DE
PERNAU, Thomas; DE
Vertreter:
KLANG, Alexander H.; DE
Prioritätsdaten:
10 2017 214 687.722.08.2017DE
Titel (EN) TREATMENT DEVICE FOR SUBSTRATES AND METHOD FOR OPERATING A TREATMENT DEVICE FOR SUBSTRATES OF THIS KIND
(FR) DISPOSITIF DE TRAITEMENT POUR DES SUBSTRATS ET PROCÉDÉ POUR LE FONCTIONNEMENT D'UN TEL DISPOSITIF DE TRAITEMENT
(DE) BEHANDLUNGSVORRICHTUNG FÜR SUBSTRATE UND VERFAHREN ZUM BETRIEB EINER SOLCHEN BEHANDLUNGSVORRICHTUNG
Zusammenfassung:
(EN) The invention describes a device for providing a vacuum on different vacuum units, more particularly a treatment device for substrates, more particularly semiconductor substrates and substrates for photovoltaics. The invention further describes a method for operating a device of this kind. The treatment device has the following: at least three separate vacuum units; a first pump and a first pipeline system that connects the first pump to each vacuum unit; a second pump and a second pipeline system that connects the second pump to each vacuum unit; at least a number of first valves corresponding to the number of vacuum units, said valves being arranged in the first pipeline system such that a first valve is allocated to each vacuum unit to control the connection between the corresponding vacuum unit and the first pump; at least a number of second valves corresponding to the number of vacuum units, said valves being arranged in the second pipeline system such that a second valve is allocated to each vacuum unit to control the connection between the corresponding vacuum unit and the second pump; and a control unit for controlling at least the first and second valves to individually control an evacuation of the vacuum units by means of the first and/or second pump. During operation of the treatment device, the respective vacuum units are preferably evacuated by means of the second pump so that a predefined pressure is obtained, and during a processing are held at a predefined pressure by the first pump, the connection between the corresponding vacuum unit and the first pipe being closed during evacuation, and the connection between the corresponding vacuum unit and the second pump being closed during processing.
(FR) L'invention concerne un dispositif pour la mise à disposition d'un vide au niveau de différentes unités sous vide, en particulier un dispositif de traitement pour des substrats, en particulier des substrats semi-conducteurs et des substrats pour la photovoltaïque ainsi qu'un procédé pour le fonctionnement d'un tel dispositif. Le dispositif de traitement présente les éléments suivants : au moins trois unités sous vide séparées les unes des autres, une première pompe et un premier système de conduites qui relie la première pompe à chacune des unités sous vide, une deuxième pompe et un deuxième système de conduites qui relie la deuxième pompe à chacune des unités sous vide, au moins un nombre de premières soupapes, correspondant au nombre d'unités sous vide, qui sont disposées dans le premier système de conduites de manière telle qu'une première soupape est associée à chaque unité sous vide, pour commander la liaison entre l'unité sous vide correspondante et la première pompe, au moins un nombre de deuxièmes soupapes, correspondant au nombre d'unités sous vide, qui sont disposées dans le deuxième système de conduites de manière telle qu'une deuxième soupape est associée à chaque unité sous vide, pour commander la liaison entre l'unité sous vide correspondante et la deuxième pompe, et une unité de commande pour commander au moins les premières et les deuxièmes soupapes, pour commander individuellement un pompage des unités sous vide via la première et/ou la deuxième pompe. Lors de fonctionnement du dispositif de traitement, les différentes unités sous vide sont pompées, de préférence via la deuxième pompe, à une pression prédéfinie et maintenues à une pression prédéfinie pendant le traitement via la première pompe, la liaison entre l'unité sous vide respective et la première pompe étant fermée pendant le pompage et la liaison entre les unités sous vide respectives et la deuxième pompe étant fermée pendant le traitement.
(DE) Es wird eine Vorrichtung zum Bereitstellen von Vakuum an unterschiedliche Vakuumeinheiten, insbesondere eine Behandlungsvorrichtung für Substrate, insbesondere Halbleitersubstrate und Substrate für die Photovoltaik sowie ein Verfahren zum Betrieb einer solchen Vorrichtung beschrieben. Die Behandlungsvorrichtung weist folgendes auf: wenigstens drei voneinander getrennte Vakuumeinheiten, eine erste Pumpe und ein erstes Leitungssystem welches die erste Pumpe mit jeder der Vakuumeinheiten verbindet, eine zweite Pumpe und ein zweites Leitungssystem welches die zweite Pumpe mit jeder der Vakuumeinheiten verbindet, wenigstens eine der Anzahl der Vakuumeinheiten entsprechende Anzahl von ersten Ventilen, die derart im ersten Leitungssystem angeordnet sind, dass jeder Vakuumeinheit ein erstes Ventil zugeordnet ist, um die Verbindung zwischen der entsprechenden Vakuumeinheit und der ersten Pumpe zu steuern, wenigstens eine der Anzahl der Vakuumeinheiten entsprechende Anzahl von zweiten Ventilen, die derart im zweiten Leitungssystem angeordnet sind, dass jeder Vakuumeinheit ein zweites Ventil zugeordnet ist, um die Verbindung zwischen der entsprechenden Vakuumeinheit und der zweiten Pumpe zu steuern, und eine Steuereinheit zum Ansteuern wenigstens der ersten und zweiten Ventile, um individuell ein Abpumpen der Vakuumeinheiten über die erste und/oder die zweite Pumpe zu steuern. Beim Betrieb der Behandlungsvorrichtung werden die jeweiligen Vakuumeinheiten bevorzugt über die zweite Pumpe auf einen vorbestimmten Druck abgepumpt und während einer Prozessierung über die erste Pumpe auf einem vorbestimmten Druck gehalten, wobei während des Abpumpens die Verbindung zwischen der jeweiligen Vakuumeinheit und der ersten Pumpe geschlossen ist, und während der Prozessierung die Verbindung zwischen der jeweiligen Vakuumeinheiten und der zweiten Pumpe geschlossen ist.
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Designierte Staaten: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
African Regional Intellectual Property Organization (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasische Patentorganisation (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Europäisches Patentamt (EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Veröffentlichungssprache: Deutsch (DE)
Anmeldesprache: Deutsch (DE)