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1. (WO2019038202) STRAHLUNGSEMITTIERENDER HALBLEITERKÖRPER UND VERFAHREN ZU DESSEN HERSTELLUNG
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Veröff.-Nr.: WO/2019/038202 Internationale Anmeldenummer PCT/EP2018/072332
Veröffentlichungsdatum: 28.02.2019 Internationales Anmeldedatum: 17.08.2018
IPC:
H01L 21/02 (2006.01) ,H01L 33/00 (2010.01) ,H01L 33/14 (2010.01)
H Elektrotechnik
01
Grundlegende elektrische Bauteile
L
Halbleiterbauelemente; elektrische Festkörperbauelemente, soweit nicht anderweitig vorgesehen
21
Verfahren oder Geräte, besonders ausgebildet für die Herstellung oder Behandlung von Halbleiter- oder Festkörperbauelementen oder Teilen davon
02
Herstellung oder Behandlung von Halbleiterbauelementen oder Teilen davon
H Elektrotechnik
01
Grundlegende elektrische Bauteile
L
Halbleiterbauelemente; elektrische Festkörperbauelemente, soweit nicht anderweitig vorgesehen
33
Halbleiterbauelemente mit wenigstens einer Potenzialsprung-Sperrschicht oder Oberflächensperrschicht, besonders ausgebildet zur Lichtemission; Verfahren oder Vorrichtungen, besonders ausgebildet für die Herstellung oder Behandlung dieser Bauelemente oder Teilen davon; Einzelheiten dieser Bauelemente
H Elektrotechnik
01
Grundlegende elektrische Bauteile
L
Halbleiterbauelemente; elektrische Festkörperbauelemente, soweit nicht anderweitig vorgesehen
33
Halbleiterbauelemente mit wenigstens einer Potenzialsprung-Sperrschicht oder Oberflächensperrschicht, besonders ausgebildet zur Lichtemission; Verfahren oder Vorrichtungen, besonders ausgebildet für die Herstellung oder Behandlung dieser Bauelemente oder Teilen davon; Einzelheiten dieser Bauelemente
02
charakterisiert durch den Halbleiterkörper
14
mit Struktur zur Kontrolle des Ladungsträgertransports, z.B. einer hoch dotierten Halbleiterschicht oder einer stromsperrenden Struktur
Anmelder:
OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH [DE/DE]; Leibnizstr. 4 93055 Regensburg, DE
Erfinder:
TONKIKH, Alexander; DE
Vertreter:
EPPING HERMANN FISCHER PATENTANWALTSGESELLSCHAFT MBH; Schloßschmidstr. 5 80639 München, DE
Prioritätsdaten:
10 2017 119 369.324.08.2017DE
Titel (EN) RADIATION-EMITTING SEMICONDUCTOR BODY, AND METHOD FOR PRODUCING SAME
(FR) CORPS À SEMI-CONDUCTEUR ÉMETTANT UN RAYONNEMENT ET PROCÉDÉ DE FABRICATION DE CELUI-CI
(DE) STRAHLUNGSEMITTIERENDER HALBLEITERKÖRPER UND VERFAHREN ZU DESSEN HERSTELLUNG
Zusammenfassung:
(EN) The invention relates to a radiation-emitting semiconductor body (1) comprising a semiconductor layer sequence (2) which has an active region (20) that is designed to generate radiation, an n-conductive semiconductor layer (21), and a p-conductive semiconductor layer (22). The active region (20) is arranged between the n-conductive semiconductor layer (21) and the p-conductive semiconductor layer (22). The n-conductive semiconductor layer (21) has a first doped region (211) and a second doped region (212), the first doped region (211) has a higher dopant concentration than the second doped region (212), and the first doped region (211) has a thickness of maximally 5 nm. The invention additionally relates to a method for producing the radiation-emitting semiconductor body (1).
(FR) L’invention concerne un corps à semi-conducteur (1), émettant un rayonnement, qui comprend une succession de couches semi-conductrices (2) pourvues d’une région active (20) destinée à générer un rayonnement, une couche semi-conductrice de type n (21) et une couche semi-conductrice de type p (22). La région active (20) est disposée entre la couche semi-conductrice de type n (21) et la couche semi-conductrice de type p (22). La couche semi-conductrice de type n (21) comporte une première région de dopage (211) et une deuxième région de dopage (212). La première région de dopage (211) a une concentration en dopant supérieure à celle de la deuxième région de dopage (212) et la première région de dopage (211) a une épaisseur d’au plus 5 nm. En outre, l’invention concerne un procédé de fabrication du corps à semi-conducteur (1) émettant un rayonnement.
(DE) Es wird ein strahlungsemittierender Halbleiterkörper (1) beschrieben, mit einer Halbleiterschichtenfolge (2), die einen zur Erzeugung von Strahlung vorgesehenen aktiven Bereich (20), eine n-leitende Halbleiterschicht (21) und eine p-leitende Halbleiterschicht (22) aufweist, wobei der aktive Bereich (20) zwischen der n-leitenden Halbleiterschicht (21) und der p-leitenden Halbleiterschicht (22) angeordnet ist, wobei die n-leitende Halbleiterschicht (21) einen ersten Dotierbereich (211) und einen zweiten Dotierbereich (212) aufweist, der erste Dotierbereich (211) eine höhere Dotierstoffkonzentration als der der zweite Dotierbereich (212) aufweist, und der erste Dotierbereich (211) eine Dicke von höchstens 5 nm aufweist. Weiterhin wird ein Verfahren zur Herstellung des Strahlungsemittierenden Halbleiterkörpers (1) angegeben.
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Designierte Staaten: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
African Regional Intellectual Property Organization (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasische Patentorganisation (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Europäisches Patentamt (EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Veröffentlichungssprache: Deutsch (DE)
Anmeldesprache: Deutsch (DE)