In Bearbeitung

Bitte warten ...

Einstellungen

Einstellungen

1. WO2019034504 - VERFAHREN ZUM ANSTEUERN MINDESTENS EINES HALBLEITER-SCHALTERS, INSBESONDERE IN EINEM BAUTEIL EINES KRAFTFAHRZEUGS

Veröffentlichungsnummer WO/2019/034504
Veröffentlichungsdatum 21.02.2019
Internationale Veröffentlichungsnummer PCT/EP2018/071576
Internationales Anmeldedatum 09.08.2018
IPC
H Elektrotechnik
03
Grundlegende elektronische Schaltkreise
K
Impulstechnik
17
Kontaktloses elektronisches Schalten oder Austasten, d.h. nicht durch Öffnen oder Schließen von Kontakten bewirkt
08
Ausbildung von Schaltern zum Schutz vor Überstrom oder Überspannung
081
ohne Rückführung vom Ausgangskreis zum Steuerkreis
0812
mit im Steuerkreis vorgenommenen Maßnahmen
H Elektrotechnik
03
Grundlegende elektronische Schaltkreise
K
Impulstechnik
17
Kontaktloses elektronisches Schalten oder Austasten, d.h. nicht durch Öffnen oder Schließen von Kontakten bewirkt
16
Ausbildung von Schaltern zum Eliminieren von Störspannungen oder Störströmen
H Elektrotechnik
03
Grundlegende elektronische Schaltkreise
K
Impulstechnik
17
Kontaktloses elektronisches Schalten oder Austasten, d.h. nicht durch Öffnen oder Schließen von Kontakten bewirkt
18
Ausbildung von Schaltern zur Anzeige des Schaltzustandes
H03K 17/0812 (2006.01)
H03K 17/16 (2006.01)
H03K 17/18 (2006.01)
CPC
G01R 31/3277
G01R 31/40
H03K 17/08128
H03K 17/18
Anmelder
  • ROBERT BOSCH GMBH [DE/DE]; Postfach 30 02 20 70442 Stuttgart, DE
Erfinder
  • BAUMHOEFER, Thorsten; DE
  • ROGOV, Rostislav; DE
Prioritätsdaten
10 2017 214 217.015.08.2017DE
Veröffentlichungssprache Deutsch (DE)
Anmeldesprache Deutsch (DE)
Designierte Staaten
Titel
(DE) VERFAHREN ZUM ANSTEUERN MINDESTENS EINES HALBLEITER-SCHALTERS, INSBESONDERE IN EINEM BAUTEIL EINES KRAFTFAHRZEUGS
(EN) METHOD FOR ACTUATING AT LEAST ONE SEMICONDUCTOR SWITCH, IN PARTICULAR IN A COMPONENT OF A MOTOR VEHICLE
(FR) PROCÉDÉ D’ACTIVATION D’AU MOINS UN COMMUTATEUR À SEMI-CONDUCTEUR, EN PARTICULIER DANS UN COMPOSANT D’UN VÉHICULE AUTOMOBILE
Zusammenfassung
(DE)
Verfahren zum Ansteuern mindestens eines Halbleiter-Schalters insbesondere in einem Bauteil eines Kraftfahrzeugs, wobei der mindestens eine Halbleiter-Schalter mit einer Steuerungsspannung (1) gemäß der folgenden Verfahrensschritte geschaltet werden kann: a1) Vorgeben der Steuerungsspannung (1) in einem Toleranzbereich (2), a2) Überwachen, ob eine tatsächlich an dem mindestens einen Halbleiter-Schalter anliegende Steuerungsspannung (1) mindestens einen Grenzwert (4,5) überschreitet, wobei an mindestens einem Kontrollzeitpunkt zumindest der folgende Verfahrensschritt durchgeführt wird: b1) Ermitteln einer Differenz zwischen der tatsächlich an dem mindestens einen Halbleiter-Schalter anliegenden Steuerungsspannung (1) und dem mindestens einen Grenzwert, wobei die gemäß Schritt al) vorgegebene Steuerungsspannung (1) nach dem mindestens einen Kontrollzeitpunkt unter Verwendung des Ergebnisses von Schritt b1) manipuliert wird.
(EN)
The invention relates to a method for actuating at least one semiconductor switch, in particular in a component of a motor vehicle. The at least one semiconductor switch can be switched with a control voltage (1) according to the following method steps: a1) specifying the control voltage (1) in a tolerance range (2) and a2) monitoring whether a control voltage (1) actually being applied to the at least one semiconductor switch exceeds at least one threshold (4, 5), wherein at least the following method step is carried out at at least one control time: b1) ascertaining a difference between the control voltage (1) actually being applied to the at least one semiconductor switch and the at least one threshold, the control voltage (1) specified according to step a1) being manipulated according to the at least one control time using the result from step b1).
(FR)
L’invention concerne un procédé d’activation d’au moins un commutateur à semi-conducteur, en particulier dans un composant d’un véhicule automobile, selon lequel le ou les commutateurs à semi-conducteur peuvent être commutés par une tension de commande (1) selon les étapes suivantes : a1) spécification de la tension de commande (1) dans une plage de tolérance (2), a2) surveillance permettant de savoir si une tension de commande (1) effectivement présente au niveau du ou des commutateurs à semi-conducteur dépasse au moins une valeur limite (4, 5), au moins l'étape suivante étant mise en œuvre à au moins un instant de contrôle : b1) détermination d’une différence entre la tension de commande (1) effectivement présente au niveau du ou des commutateurs à semi-conducteur et la ou les valeurs limites, la tension de commande (1) spécifiée à l’étape a1) étant modifiée après le ou les instants de contrôle en utilisant le résultat de l’étape b1).
Aktuellste beim Internationalen Büro vorliegende bibliographische Daten