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1. (WO2019032099) STRESS-IMPAIRED SIGNAL CORRECTION CIRCUIT
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Veröff.-Nr.: WO/2019/032099 Internationale Anmeldenummer PCT/US2017/045974
Veröffentlichungsdatum: 14.02.2019 Internationales Anmeldedatum: 08.08.2017
IPC:
G05F 3/30 (2006.01) ,G01R 33/06 (2006.01) ,G05F 1/10 (2006.01) ,G05F 3/08 (2006.01) ,G05F 3/16 (2006.01)
G Physik
05
Steuern; Regeln
F
Systeme zum Regeln elektrischer oder magnetischer Veränderlicher
3
Systeme ohne geschlossenen Regelkreis zum Regeln [Stabilisieren] elektrisch veränderlicher Größen durch ein ungesteuertes Element mit selbstregelnden Eigenschaften oder durch eine ungesteuerte Kombination von Elementen, die selbstregelnde Eigenschaften aufweist
02
Regeln [Stabilisieren] der Spannung oder des Stromes
08
in Gleichstromkreisen
10
mit ungesteuerten Bauelementen, die nichtlineares Verhalten aufweisen
16
unter Verwendung von Halbleiterbauelementen
20
mit Diode-Transistor-Kombinationen
30
Regler, welche den Unterschied der Basis-Emitter-Spannungen zweier Bipolartransistoren ausnützen, die mit unterschiedlichen Stromdichten betrieben werden
G Physik
01
Messen; Prüfen
R
Messen elektrischer Größen; Messen magnetischer Größen
33
Anordnungen oder Instrumente zum Messen magnetischer Größen
02
Messen der Richtung oder des Betrages von magnetischen Feldern oder des magnetischen Kraftflusses
06
mit galvano-magnetischen Vorrichtungen
G Physik
05
Steuern; Regeln
F
Systeme zum Regeln elektrischer oder magnetischer Veränderlicher
1
Selbsttätige Systeme, in denen Abweichungen einer elektrischen Größe von einem oder mehreren Sollwerten am Ausgang der Regelstrecke gemessen und zu einer Vorrichtung innerhalb des Systems rückgeführt werden, um die gemessene elektrische Größe [Istwert] auf den oder die Sollwerte zu bringen, d.h. geschlossene Regelkreise
10
Regeln der Spannung oder des Stromes
G Physik
05
Steuern; Regeln
F
Systeme zum Regeln elektrischer oder magnetischer Veränderlicher
3
Systeme ohne geschlossenen Regelkreis zum Regeln [Stabilisieren] elektrisch veränderlicher Größen durch ein ungesteuertes Element mit selbstregelnden Eigenschaften oder durch eine ungesteuerte Kombination von Elementen, die selbstregelnde Eigenschaften aufweist
02
Regeln [Stabilisieren] der Spannung oder des Stromes
08
in Gleichstromkreisen
G Physik
05
Steuern; Regeln
F
Systeme zum Regeln elektrischer oder magnetischer Veränderlicher
3
Systeme ohne geschlossenen Regelkreis zum Regeln [Stabilisieren] elektrisch veränderlicher Größen durch ein ungesteuertes Element mit selbstregelnden Eigenschaften oder durch eine ungesteuerte Kombination von Elementen, die selbstregelnde Eigenschaften aufweist
02
Regeln [Stabilisieren] der Spannung oder des Stromes
08
in Gleichstromkreisen
10
mit ungesteuerten Bauelementen, die nichtlineares Verhalten aufweisen
16
unter Verwendung von Halbleiterbauelementen
Anmelder:
LINEAR TECHNOLOGY HOLDING LLC [US/US]; One Technology Way Norwood, Massachusetts 02062, US
Erfinder:
LAZAROV, Kalin V.; US
CHIACCHIA, Robert C.; US
Vertreter:
ARORA, Suneel; US
Prioritätsdaten:
15/671,08007.08.2017US
Titel (EN) STRESS-IMPAIRED SIGNAL CORRECTION CIRCUIT
(FR) CIRCUIT DE CORRECTION DE SIGNAL DÉGRADÉ PAR UNE CONTRAINTE
Zusammenfassung:
(EN) In a system and method for correcting a stress-impaired signal in a circuit, a calibration circuit produces a first calibrated voltage based on a base-emitter voltage of one or more pnp transistors, a second calibrated voltage based on a base-emitter voltage of one or more npn transistors, and a voltage proportional to absolute temperature. A set of reference values are generated based on these voltages. A gain correction factor is calculated based on a function of the set of reference values and a set of temperature-dependent values, and the stress-impaired signal is corrected based on the gain correction factor.
(FR) L'invention concerne un système et un procédé de correction d'un signal dégradé par une contrainte dans un circuit, dans lesquels un circuit d'étalonnage produit une première tension étalonnée sur la base d'une tension base-émetteur d'un ou plusieurs transistors PNP, une seconde tension étalonnée sur la base d'une tension base-émetteur d'un ou plusieurs transistors NPN, et une tension proportionnelle à la température absolue. Un ensemble de valeurs de référence sont générées sur la base de ces tensions. Un facteur de correction de gain est calculé sur la base d'une fonction de l'ensemble de valeurs de référence et d'un ensemble de valeurs dépendant de la température, et le signal dégradé par une contrainte est corrigé sur la base du facteur de correction de gain.
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Veröffentlichungssprache: Englisch (EN)
Anmeldesprache: Englisch (EN)