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1. (WO2019031105) OXIDE SINTERED COMPACT AND SPUTTERING TARGET
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Veröff.-Nr.: WO/2019/031105 Internationale Anmeldenummer PCT/JP2018/025106
Veröffentlichungsdatum: 14.02.2019 Internationales Anmeldedatum: 02.07.2018
IPC:
C23C 14/34 (2006.01) ,C04B 35/01 (2006.01) ,C23C 14/08 (2006.01) ,H01B 1/08 (2006.01) ,H01B 5/14 (2006.01) ,H01B 13/00 (2006.01)
C Chemie; Hüttenwesen
23
Beschichten metallischer Werkstoffe; Beschichten von Werkstoffen mit metallischen Stoffen; Chemische Oberflächenbehandlung; Diffusionsbehandlung von metallischen Werkstoffen; Beschichten allgemein durch Vakuumbedampfen, Aufstäuben, Ionenimplantation oder chemisches Abscheiden aus der Dampfphase; Inhibieren von Korrosion metallischer Werkstoffe oder von Verkrustung allgemein
C
Beschichten metallischer Werkstoffe; Beschichten von Werkstoffen mit metallischen Stoffen; Oberflächenbehandlung metallischer Werkstoffe durch Diffusion in die Oberfläche, durch chemische Umwandlung oder Substitution; Beschichten allgemein durch Vakuumbedampfen, durch Aufstäuben, durch Ionenimplantation oder durch chemisches Abscheiden aus der Dampfphase
14
Beschichten durch Vakuumbedampfen, durch Aufstäuben oder durch Ionenimplantation des Beschichtungsmaterials
22
gekennzeichnet durch das Beschichtungsverfahren
34
durch Aufstäuben
C Chemie; Hüttenwesen
04
Zemente; Beton; Kunststein; keramische Massen; feuerfeste Massen
B
Kalk; Magnesia; Schlacke; Zemente; Massen hieraus z.B. Mörtel, Beton oder ähnliche Baumaterialien; künstliche Steine; keramische Massen; feuerfeste Massen; Behandlung von Naturstein
35
Geformte keramische Erzeugnisse, die durch ihre Zusammensetzung gekennzeichnet sind; keramische Werkstoffe; Pulver aus anorganischen Verbindungen als Ausgangsstoffe für die Herstellung keramischer Produkte
01
auf Oxidbasis
C Chemie; Hüttenwesen
23
Beschichten metallischer Werkstoffe; Beschichten von Werkstoffen mit metallischen Stoffen; Chemische Oberflächenbehandlung; Diffusionsbehandlung von metallischen Werkstoffen; Beschichten allgemein durch Vakuumbedampfen, Aufstäuben, Ionenimplantation oder chemisches Abscheiden aus der Dampfphase; Inhibieren von Korrosion metallischer Werkstoffe oder von Verkrustung allgemein
C
Beschichten metallischer Werkstoffe; Beschichten von Werkstoffen mit metallischen Stoffen; Oberflächenbehandlung metallischer Werkstoffe durch Diffusion in die Oberfläche, durch chemische Umwandlung oder Substitution; Beschichten allgemein durch Vakuumbedampfen, durch Aufstäuben, durch Ionenimplantation oder durch chemisches Abscheiden aus der Dampfphase
14
Beschichten durch Vakuumbedampfen, durch Aufstäuben oder durch Ionenimplantation des Beschichtungsmaterials
06
gekennzeichnet durch das Beschichtungsmaterial
08
Oxide
H Elektrotechnik
01
Grundlegende elektrische Bauteile
B
Kabel; Leiter; Isolatoren; Auswahl der Werkstoffe hinsichtlich ihrer leitenden, isolierenden oder dielektrischen Eigenschaften
1
Leiter oder leitende Körper, die durch den leitenden Werkstoff gekennzeichnet sind; Auswahl von Werkstoffen als Leiter
06
hauptsächlich aus anderen nichtmetallischen Stoffen bestehend
08
aus Oxiden
H Elektrotechnik
01
Grundlegende elektrische Bauteile
B
Kabel; Leiter; Isolatoren; Auswahl der Werkstoffe hinsichtlich ihrer leitenden, isolierenden oder dielektrischen Eigenschaften
5
Nichtisolierte Leiter oder leitende Körper, gekennzeichnet durch ihre Form
14
mit leitenden Schichten oder Filmen auf isolierenden Trägern
H Elektrotechnik
01
Grundlegende elektrische Bauteile
B
Kabel; Leiter; Isolatoren; Auswahl der Werkstoffe hinsichtlich ihrer leitenden, isolierenden oder dielektrischen Eigenschaften
13
Apparate oder Verfahren, die in besonderer Weise der Herstellung von Leitern oder Kabeln angepasst sind
Anmelder:
三井金属鉱業株式会社 MITSUI MINING & SMELTING CO., LTD. [JP/JP]; 東京都品川区大崎一丁目11番1号 1-11-1, Osaki, Shinagawa-ku, Tokyo 1418584, JP
Erfinder:
松元 謙士 MATSUMOTO, Kenshi; JP
井上 雅樹 INOUE, Masaki; JP
中村 信一郎 NAKAMURA, Shinichiro; JP
矢野 智泰 YANO, Tomoyasu; JP
Vertreter:
特許業務法人SSINPAT SSINPAT PATENT FIRM; 東京都品川区西五反田七丁目13番6号 五反田山崎ビル6階 Gotanda Yamazaki Bldg. 6F, 13-6, Nishigotanda 7-chome, Shinagawa-ku, Tokyo 1410031, JP
Prioritätsdaten:
2017-15304308.08.2017JP
Titel (EN) OXIDE SINTERED COMPACT AND SPUTTERING TARGET
(FR) COMPACT FRITTÉ D’OXYDE ET CIBLE DE PULVÉRISATION CATHODIQUE
(JA) 酸化物焼結体およびスパッタリングターゲット
Zusammenfassung:
(EN) The present invention relates to an oxide sintered compact, the component elements of which are In, Sn, Ti and O, the In content being 88.0-98.2 mass% calculated as In2O3, Sn content being 1.0-8.0 mass% calculated as SnO2 and Ti content being 0.8-4.0 mass% calculated as TiO2. With this oxide sintered contact, it is possible to obtain a sputtering target, which can form a thin film from which a transparent electrically conductive film of high transparency can be obtained and from which a transparent electrically conductive film that also has low resistance can be obtained without performing heat treatment at high temperature.
(FR) La présente invention concerne un comprimé fritté d’oxyde, dont les éléments constitutifs sont In, Sn, Ti et O, la teneur en In étant de 88,0 à 98,2 % en masse calculée en In2O3, la teneur en Sn étant de 1,0 à 8,0 % en masse calculée en SnO2 et la teneur en Ti étant de 0,8 à 4,0 % en masse calculée en TiO2. Avec ce compact fritté d’oxyde, il est possible d’obtenir une cible de pulvérisation cathodique, qui peut former un film mince à partir duquel un film électriquement conducteur transparent de transparence élevée peut être obtenu et à partir duquel un film électriquement conducteur transparent qui a également une faible résistance peut être obtenu sans effectuer un traitement thermique à haute température.
(JA) 本発明は、構成元素がIn、Sn、TiおよびOであり、Inの含有比率がIn23換算で88.0~98.2質量%であり、Snの含有比率がSnO2換算で1.0~8.0質量%であり、Tiの含有比率がTiO2換算で0.8~4.0質量%である酸化物焼結体である。本発明の酸化物焼結体により、透明性が高い透明導電膜、また、さらに抵抗が低い透明導電膜を、高温の熱処理をしなくても得ることができる薄膜を成膜できるスパッタリングターゲットを得ることができる。
front page image
Designierte Staaten: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Afrikanische regionale Organisation für geistiges Eigentum (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasisches Patentamt (EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Europäisches Patentamt (EPA) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Afrikanische Organisation für geistiges Eigentum (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Veröffentlichungssprache: Japanisch (JA)
Anmeldesprache: Japanisch (JA)