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1. (WO2019031036) ESD PROTECTION DEVICE AND SIGNAL TRANSMISSION LINE
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Veröff.-Nr.: WO/2019/031036 Internationale Anmeldenummer PCT/JP2018/021243
Veröffentlichungsdatum: 14.02.2019 Internationales Anmeldedatum: 01.06.2018
IPC:
H01L 21/822 (2006.01) ,H01L 27/04 (2006.01) ,H01L 27/06 (2006.01) ,H02H 7/20 (2006.01)
H Elektrotechnik
01
Grundlegende elektrische Bauteile
L
Halbleiterbauelemente; elektrische Festkörperbauelemente, soweit nicht anderweitig vorgesehen
21
Verfahren oder Geräte, besonders ausgebildet für die Herstellung oder Behandlung von Halbleiter- oder Festkörperbauelementen oder Teilen davon
70
Herstellung oder Behandlung von Bauelementanordnungen bestehend aus einer Vielzahl von einzelnen Schaltungselementen oder integrierten Schaltungen, die in oder auf einem gemeinsamen Substrat ausgebildet sind, oder von bestimmten Teilen hiervon; Herstellung von integrierten Schaltungsanordnungen oder von bestimmten Teilen hiervon
77
Herstellung oder Behandlung von Bauelementanordnungen bestehend aus einer Vielzahl von einzelnen Schaltungselementen oder integrierten Schaltungen, die in oder auf einem gemeinsamen Substrat ausgebildet sind
78
mit nachfolgender Unterteilung des Substrats in eine Vielzahl einzelner Bauelemente
82
zur Herstellung von Bauelementen, die jeweils aus einer Vielzahl von Schaltungselementen bestehen, z.B. integrierte Schaltungen
822
wobei das Substrat ein Halbleiter ist und Silicium-Technologie verwendet wird
H Elektrotechnik
01
Grundlegende elektrische Bauteile
L
Halbleiterbauelemente; elektrische Festkörperbauelemente, soweit nicht anderweitig vorgesehen
27
Bauelemente, die aus einer Mehrzahl von in oder auf einem gemeinsamen Substrat ausgebildeten Halbleiter- oder anderen Festkörperschaltungselementen bestehen [integrierte Schaltungen]
02
mit Halbleiterschaltungselementen, besonders ausgebildet zum Gleichrichten, Verstärken, Schalten oder zur Schwingungserzeugung mit wenigstens einer Potenzialsprung-Sperrschicht oder Oberflächensperrschicht; mit integrierten passiven Schaltungselementen mit wenigstens einer Potenzialsprung-Sperrschicht oder Oberflächensperrschicht
04
wobei das Substrat aus einem Halbleiterkörper besteht
H Elektrotechnik
01
Grundlegende elektrische Bauteile
L
Halbleiterbauelemente; elektrische Festkörperbauelemente, soweit nicht anderweitig vorgesehen
27
Bauelemente, die aus einer Mehrzahl von in oder auf einem gemeinsamen Substrat ausgebildeten Halbleiter- oder anderen Festkörperschaltungselementen bestehen [integrierte Schaltungen]
02
mit Halbleiterschaltungselementen, besonders ausgebildet zum Gleichrichten, Verstärken, Schalten oder zur Schwingungserzeugung mit wenigstens einer Potenzialsprung-Sperrschicht oder Oberflächensperrschicht; mit integrierten passiven Schaltungselementen mit wenigstens einer Potenzialsprung-Sperrschicht oder Oberflächensperrschicht
04
wobei das Substrat aus einem Halbleiterkörper besteht
06
mit einer Mehrzahl einzelner Schaltungselemente in sich nicht wiederholender Konfiguration
H Elektrotechnik
02
Erzeugung, Umwandlung oder Verteilung von elektrischer Energie
H
Schutzschaltungsanordnungen
7
Schutzschaltungsanordnungen, die in besonderer Weise für bestimmte Arten von elektrischen Maschinen oder Geräten oder für den abschnittsweisen Schutz von Kabel- oder Leitungssystemen ausgebildet sind und ein selbsttätiges Abschalten im Falle eines unerwünschten Abweichens von normalen Betriebsbedingungen bewirken
20
für elektronische Einrichtung
Anmelder:
株式会社村田製作所 MURATA MANUFACTURING CO., LTD. [JP/JP]; 京都府長岡京市東神足1丁目10番1号 10-1, Higashikotari 1-chome, Nagaokakyo-shi, Kyoto 6178555, JP
Erfinder:
植木 紀行 UEKI Noriyuki; JP
Vertreter:
特許業務法人 楓国際特許事務所 KAEDE PATENT ATTORNEYS' OFFICE; 大阪府大阪市中央区農人橋1丁目4番34号 1-4-34, Noninbashi, Chuo-ku, Osaka-shi, Osaka 5400011, JP
Prioritätsdaten:
2017-15511910.08.2017JP
Titel (EN) ESD PROTECTION DEVICE AND SIGNAL TRANSMISSION LINE
(FR) DISPOSITIF DE PROTECTION CONTRE LES DÉCHARGES ÉLECTROSTATIQUES ET LIGNE DE TRANSMISSION DE SIGNAL
(JA) ESD保護デバイス、および、信号伝送線路
Zusammenfassung:
(EN) An ESD protection device (10) is provided with: a semiconductor substrate (20) having a first main surface (201); terminal electrodes (41, 42) formed on the first main surface (201) and a terminal electrode (43) connected to the ground; and a wiring electrode (51) that connects the terminal electrodes (41, 42) and constitutes a part of a main line. The semiconductor substrate has a rectangular parallelepiped shape in a plan view. A first semiconductor area connected to the wiring electrode (51), a second semiconductor area connected to a third terminal electrode, and a third semiconductor area are formed on the semiconductor substrate (20). The first semiconductor area and the second semiconductor area are aligned along short sides of the semiconductor substrate (20), and are electrically connected to each other via the third semiconductor area formed along the short sides.
(FR) L'invention concerne un dispositif de protection contre les décharges électrostatiques (ESD) comprenant : un substrat semi-conducteur (20) ayant une première surface principale (201); des électrodes de borne (41, 42) formées sur la première surface principale (201) et une électrode de borne (43) connectée à la masse; et une électrode de câblage (51) qui connecte les électrodes de borne (41, 42) et constitue une partie d'une ligne principale. Le substrat semi-conducteur a une forme parallélépipédique rectangulaire dans une vue en plan. Une première zone semi-conductrice connectée à l'électrode de câblage (51), une seconde zone semi-conductrice connectée à une troisième électrode de borne et une troisième zone semi-conductrice sont formées sur le substrat semi-conducteur (20). La première zone semi-conductrice et la seconde zone semi-conductrice sont alignées le long de côtés courts du substrat semi-conducteur (20), et sont électroconnectées l'une à l'autre par l'intermédiaire de la troisième zone semi-conductrice formée le long des côtés courts.
(JA) ESD保護デバイス(10)は、第1主面(201)を有する半導体基板(20)と、第1主面(201)に形成された端子電極(41、42)、および、グランドに接続される端子電極(43)と、端子電極(41、42)とを接続し、主線路の一部を構成する配線電極(51)と、を備える。半導体基板は、平面視で直方体形状である。半導体基板(20)には、配線電極(51)に接続される第1の半導体領域と、第3端子電極に接続される第2の半導体領域と、第3の半導体領域とが形成されている。第1の半導体領域と第2の半導体領域とが、半導体基板(20)の短辺に沿って並ぶとともに、短辺に沿って形成される第3の半導体領域を介して、電気的に接続される。
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Designierte Staaten: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
African Regional Intellectual Property Organization (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
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Europäisches Patentamt (EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Veröffentlichungssprache: Japanisch (JA)
Anmeldesprache: Japanisch (JA)