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1. (WO2019030400) VORRICHTUNG UND VERFAHREN ZUM BEAUFSCHLAGEN VON SPANNUNGSERZEUGUNGSSCHICHTEN MIT DRUCK ZUM VERBESSERTEN FÜHREN EINES ABTRENNRISSES
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Veröff.-Nr.: WO/2019/030400 Internationale Anmeldenummer PCT/EP2018/071814
Veröffentlichungsdatum: 14.02.2019 Internationales Anmeldedatum: 10.08.2018
IPC:
B23K 26/00 (2014.01) ,B23K 26/53 (2014.01) ,B23K 26/0622 (2014.01) ,B28D 5/00 (2006.01) ,B23K 26/70 (2014.01) ,B23K 26/14 (2014.01) ,B23K 26/146 (2014.01) ,H01L 21/304 (2006.01) ,H01L 21/78 (2006.01) ,B23K 103/00 (2006.01)
B Arbeitsverfahren; Transportieren
23
Werkzeugmaschinen; Metallbearbeitung, soweit nicht anderweitig vorgesehen
K
Löten; Schweißen; Beschichten oder Plattieren durch Löten oder Schweißen; Schneiden durch örtliches Zuführen von Hitze, z.B. Brennschneiden; Arbeiten mit Laserstrahlen
26
Bearbeitung durch Laserstrahlen z.B. Schweißen, Schneiden, Bohren
[IPC code unknown for B23K 26/53][IPC code unknown for B23K 26/0622]
B Arbeitsverfahren; Transportieren
28
Ver- bzw. Bearbeiten von Zement, Ton oder Stein
D
Bearbeiten von Stein oder steinähnlichen Werkstoffen
5
Feinbearbeitung von Edelsteinen, Juwelen, Kristallen, z.B. von Halbleiter-Werkstoff; Vorrichtungen hierfür
[IPC code unknown for B23K 26/70]
B Arbeitsverfahren; Transportieren
23
Werkzeugmaschinen; Metallbearbeitung, soweit nicht anderweitig vorgesehen
K
Löten; Schweißen; Beschichten oder Plattieren durch Löten oder Schweißen; Schneiden durch örtliches Zuführen von Hitze, z.B. Brennschneiden; Arbeiten mit Laserstrahlen
26
Bearbeitung durch Laserstrahlen z.B. Schweißen, Schneiden, Bohren
14
unter Verwendung eines Strömungsmittels, z.B. eines Gasstrahls in Verbindung mit den Laserstrahlen
[IPC code unknown for B23K 26/146]
H Elektrotechnik
01
Grundlegende elektrische Bauteile
L
Halbleiterbauelemente; elektrische Festkörperbauelemente, soweit nicht anderweitig vorgesehen
21
Verfahren oder Geräte, besonders ausgebildet für die Herstellung oder Behandlung von Halbleiter- oder Festkörperbauelementen oder Teilen davon
02
Herstellung oder Behandlung von Halbleiterbauelementen oder Teilen davon
04
Bauelemente mit mindestens einer Potenzialsprung-Sperrschicht oder Oberflächensperrschicht, z.B. PN-Übergang, Verarmungsschicht, Anreicherungsschicht
18
Bauelemente mit Halbleiterkörpern aus Elementen der Gruppe IV des Periodensystems oder AIIIBV-Verbindungen mit oder ohne Fremdstoffe, z.B. Dotierungsmaterialien
30
Behandlung von Halbleiterkörpern unter Verwendung von Verfahren oder Vorrichtungen, soweit nicht von H01L21/20-H01L21/26152
302
zur Änderung der physikalischen Oberflächenbeschaffenheit oder zur Änderung der Form, z.B. Ätzen, Polieren, Sägen, Schneiden
304
Mechanische Behandlung, z.B. Schleifen, Polieren, Sägen, Schneiden
H Elektrotechnik
01
Grundlegende elektrische Bauteile
L
Halbleiterbauelemente; elektrische Festkörperbauelemente, soweit nicht anderweitig vorgesehen
21
Verfahren oder Geräte, besonders ausgebildet für die Herstellung oder Behandlung von Halbleiter- oder Festkörperbauelementen oder Teilen davon
70
Herstellung oder Behandlung von Bauelementanordnungen bestehend aus einer Vielzahl von einzelnen Schaltungselementen oder integrierten Schaltungen, die in oder auf einem gemeinsamen Substrat ausgebildet sind, oder von bestimmten Teilen hiervon; Herstellung von integrierten Schaltungsanordnungen oder von bestimmten Teilen hiervon
77
Herstellung oder Behandlung von Bauelementanordnungen bestehend aus einer Vielzahl von einzelnen Schaltungselementen oder integrierten Schaltungen, die in oder auf einem gemeinsamen Substrat ausgebildet sind
78
mit nachfolgender Unterteilung des Substrats in eine Vielzahl einzelner Bauelemente
B Arbeitsverfahren; Transportieren
23
Werkzeugmaschinen; Metallbearbeitung, soweit nicht anderweitig vorgesehen
K
Löten; Schweißen; Beschichten oder Plattieren durch Löten oder Schweißen; Schneiden durch örtliches Zuführen von Hitze, z.B. Brennschneiden; Arbeiten mit Laserstrahlen
103
Werkstoffe, die gelötet, geschweißt oder geschnitten werden sollen
Anmelder:
SILTECTRA GMBH [DE/DE]; Manfred-von-Ardenne-Ring 7 01099 Dresden, DE
Erfinder:
SWOBODA, Marko; DE
RIESKE, Ralf; DE
BEYER, Christian; DE
RICHTER, Jan; DE
Vertreter:
ASCHERL, Andreas; DE
CABRERIZO, Dominik; DE
ETTMAYR, Andreas; DE
OHMER, Benjamin; DE
Prioritätsdaten:
10 2017 007 585.911.08.2017DE
Titel (EN) DEVICE AND METHOD FOR APPLYING PRESSURE TO STRESS-PRODUCING LAYERS FOR IMPROVED GUIDANCE OF A SEPARATION CRACK
(FR) DISPOSITIF ET PROCÉDÉ POUR SOLLICITER DES COUCHES DE GÉNÉRATION DE TENSION AVEC UNE PRESSION EN VUE D’UN GUIDAGE AMÉLIORÉ D’UNE FISSURE DE SÉPARATION
(DE) VORRICHTUNG UND VERFAHREN ZUM BEAUFSCHLAGEN VON SPANNUNGSERZEUGUNGSSCHICHTEN MIT DRUCK ZUM VERBESSERTEN FÜHREN EINES ABTRENNRISSES
Zusammenfassung:
(EN) The present invention relates to a method, according to claim 1, for separating at least one solid body layer (1), particularly a solid body disk, from a donor substrate (2). The method according to the invention comprises preferably at least the following steps: providing a donor substrate (2); producing or arranging a stress-producing layer (4) on a particularly flat surface (5) of the donor substrate (2) which axially defines the donor substrate (2); pressing at least one pressure application element (6) of a pressure application device (8) onto at least one pre-determined portion of the stress-producing layer (4), in order to press the stress-producing layer (4) onto the surface (5); separating the solid body layer (1) from the donor substrate (2) by thermally applying the stress-producing layer (4), thereby producing mechanical stress in the donor substrate (2), the mechanical stress creating a crack for separating a solid body layer (1), and the pressure application element (6) being pressed onto the stress-producing layer (4) during the thermal application of the stress-producing layer (4).
(FR) La présente invention concerne un procédé, selon la revendication 1, de séparation d’au moins une couche de solide (1), notamment un disque de solide, d’un substrat donneur (2). Le procédé selon l’invention comprend ici de préférence au moins les étapes suivantes : fourniture d’un substrat donneur (2), génération ou disposition d’une couche de génération de tension (4) au niveau d’une surface (5), notamment plane, du substrat donneur (2) qui délimite le substrat donneur (2) dans le sens axial, pressage d’au moins un élément d’application de pression (6) d’un dispositif d’application de pression (8) au niveau d’au moins une part prédéfinie de la couche de génération de tension (4) en vue de presser la couche de génération de tension (4) contre la surface (5), séparation de la couche de solide (1) du substrat donneur (2) par sollicitation thermique de la couche de génération de tension (4), ce qui produit des tensions mécaniques dans le substrat donneur (2). Une fissure destinée à séparer une couche de solide (1) est produite par les tensions mécaniques et l’élément d’application de pression (6) est pressé contre la couche de génération de tension (4) pendant la sollicitation thermique de la couche de génération de tension (4).
(DE) Die vorliegende Erfindung bezieht sich gemäß Anspruch 1 auf ein Verfahren zum Abtrennen von mindestens einer Festkörperlage (1), insbesondere einer Festkörperscheibe, von einem Spendersubstrat (2). Das erfindungsgemäße Verfahren umfasst dabei bevorzugt mindestens die Schritte: Bereitstellen eines Spendersubstrats (2), Erzeugen oder Anordnen einer Spannungserzeugungsschicht (4) an einer das Spendersubstrat (2) axial begrenzenden, insbesondere ebenen, Oberfläche (5) des Spendersubstrats (2), Anpressen von mindestens einem Druckbeaufschlagungselement (6) einer Druckbeaufschlagungseinrichtung (8) an zumindest einen vorbestimmten Anteil der Spannungserzeugungsschicht (4) zum Anpressen der Spannungserzeugungsschicht (4) an die Oberfläche (5), Abtrennen der Festkörperlage (1) von dem Spendersubstrat (2) durch thermisches Beaufschlagen der Spannungserzeugungsschicht (4), wodurch mechanische Spannungen in dem Spendersubstrat (2) erzeugt werden, wobei durch die mechanischen Spannungen ein Riss zum Abtrennen einer Festkörperlage (1) entsteht, wobei das Druckbeaufschlagungselement (6) während der thermischen Beaufschlagung der Spannungserzeugungsschicht (4) an die Spannungserzeugungsschicht (4) angepresst wird.
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Designierte Staaten: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
African Regional Intellectual Property Organization (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasische Patentorganisation (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Europäisches Patentamt (EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Veröffentlichungssprache: Deutsch (DE)
Anmeldesprache: Deutsch (DE)