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1. (WO2019030247) FERTIGUNGSANLAGE ZUM ABTRENNEN VON WAFERN VON SPENDERSUBSTRATEN
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Veröff.-Nr.: WO/2019/030247 Internationale Anmeldenummer PCT/EP2018/071438
Veröffentlichungsdatum: 14.02.2019 Internationales Anmeldedatum: 07.08.2018
IPC:
B28D 5/00 (2006.01) ,B23K 26/53 (2014.01)
B Arbeitsverfahren; Transportieren
28
Ver- bzw. Bearbeiten von Zement, Ton oder Stein
D
Bearbeiten von Stein oder steinähnlichen Werkstoffen
5
Feinbearbeitung von Edelsteinen, Juwelen, Kristallen, z.B. von Halbleiter-Werkstoff; Vorrichtungen hierfür
[IPC code unknown for B23K 26/53]
Anmelder:
SILTECTRA GMBH [DE/DE]; Manfred-von-Ardenne-Ring 7 01099 Dresden, DE
Erfinder:
SWOBODA, Marco; DE
BEYER, Christian; DE
RIESKE, Ralf; DE
ULLRICH, Albrecht; DE
RICHTER, Jan; DE
Vertreter:
ASCHERL, Andreas; DE
ETTMAYR, Andreas; DE
OHMER, Benjamin; DE
CABRERIZO, Dominik; DE
Prioritätsdaten:
10 2017 007 586.711.08.2017DE
Titel (EN) PRODUCTION FACILITY FOR SEPARATING WAFERS FROM DONOR SUBSTRATES
(FR) INSTALLATION DE FABRICATION POUR SÉPARER DES TRANCHES DE SUBSTRATS DONNEURS
(DE) FERTIGUNGSANLAGE ZUM ABTRENNEN VON WAFERN VON SPENDERSUBSTRATEN
Zusammenfassung:
(EN) The invention relates to a production facility (40) for detaching wafers (2) from donor substrates (4). According to the invention, the production facility comprises at least one analysis device (6) for determining at least one individual property, particularly the doping, of the respective donor substrate (4), a data device (10) for producing donor substrate process data for individual donor substrates (4), wherein the donor substrate process data comprise analysis data of the analysis device (6), and the analysis data describe at least the individal property of the donor substrate (4), a laser device (12) for producing modifications (14) inside the donor substrate (4) in order to form a region of detachment (16) inside the respective donor substrate (4), wherein the laser device (12) can be operated according to the donor substrate process data of a concrete donor substrate (4) for the machining of the concrete donor substrate (4), and a detachment device (18) for producing mechanical voltages inside the respective donor substrate (4) for triggering and/or guiding a crack for separating respectively at least one wafer (2) from a donor substrate (4).
(FR) La présente invention concerne une installation de fabrication (40) destinée à détacher des tranches (2) de substrats donneurs (4). Selon l'invention, l'installation de fabrication comporte au moins un dispositif d'analyse (6) pour la détermination d'au moins une propriété individuelle, en particulier le dopage, des substrats donneurs (4) respectifs, un dispositif de données (10) pour la génération de données de processus de substrat donneur de manière à obtenir des substrats donneurs (4) individuels, les données de processus de substrat donneur comportant des données d'analyse du dispositif d'analyse (6), les données d'analyse décrivant au moins l'une propriété individuelle du substrat donneur (4), un dispositif laser (12) pour la génération de modifications (14) à l'intérieur des substrats donneurs (4) pour la formation d'une zone de détachement (16) à l'intérieur du substrat donneur (4) respectif, le dispositif laser (12) pouvant fonctionner pour usiner le substrat donneur (4) concret en fonction des données de processus de substrat donneur d'un substrat donneur (4) concret, un dispositif de détachement (18) pour générer des tensions mécaniques à l'intérieur du substrat donneur (4) respectif afin de déclencher et/ou provoquer une tapure permettant la séparation de respectivement au moins une tranche (2) d'un substrat donneur (4).
(DE) Die vorliegende Erfindung bezieht sich auf eine Fertigungsanlage (40) zur Ablösung von Wafern (2) von Spendersubstraten (4). Erfindungsgemäß umfasst die Fertigungsanlage mindestens eine Analyseeinrichtung (6) zum Bestimmen von mindestens einer individuellen Eigenschaft, insbesondere der Dotierung, der jeweiligen Spendersubstrate (4), eine Dateneinrichtung (10) zum Erzeugen von Spendersubstrat-Prozessdaten zu individuellen Spendersubstraten (4), wobei die Spendersubstrat-Prozessdaten Analysedaten der Analyseeinrichtung (6) umfassen, wobei die Analysedaten zumindest die eine individuelle Eigenschaft des Spendersubstrats (4) beschreiben, eine Lasereinrichtung (12) zum Erzeugen von Modifikationen (14) im Inneren der Spendersubstrate (4) zum Ausbilden eines Ablösebereichs (16) im Inneren des jeweiligen Spendersubstrats (4), wobei die Lasereinrichtung (12) in Abhängigkeit der Spendersubstrat-Prozessdaten eines konkreten Spendersubstrats (4) zur Bearbeitung des konkreten Spendersubstrats (4) betreibbar ist, eine Ablöseeinrichtung (18) zum Erzeugen von mechanischen Spannungen im Inneren des jeweiligen Spendersubstrats (4) zum Auslösen und/oder Führen eines Risses zum Abtrennen von jeweils mindestens einem Wafer (2) von einem Spendersubstrat (4).
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Designierte Staaten: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
African Regional Intellectual Property Organization (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasische Patentorganisation (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Europäisches Patentamt (EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Veröffentlichungssprache: Deutsch (DE)
Anmeldesprache: Deutsch (DE)