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1. (WO2019029990) SPIEGEL, INSBESONDERE FÜR EINE MIKROLITHOGRAPHISCHE PROJEKTIONSBELICHTUNGSANLAGE
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Veröff.-Nr.: WO/2019/029990 Internationale Anmeldenummer PCT/EP2018/070157
Veröffentlichungsdatum: 14.02.2019 Internationales Anmeldedatum: 25.07.2018
IPC:
G03F 7/20 (2006.01) ,G02B 27/00 (2006.01) ,G21K 1/06 (2006.01)
G Physik
03
Fotografie; Kinematografie; vergleichbare Techniken unter Verwendung von nicht optischen Wellen; Elektrografie; Holografie
F
Fotomechanische Herstellung strukturierter oder gemusterter Oberflächen, z.B. zum Drucken, zum Herstellen von Halbleiterbauelementen; Materialien dafür; Kopiervorlagen dafür; Vorrichtungen besonders ausgebildet dafür
7
Fotomechanische, z.B. fotolithografische Herstellung von strukturierten oder gemusterten Oberflächen, z.B. Druckflächen; Materialien dafür, z.B. mit Fotolacken [Resists]; Vorrichtungen besonders ausgebildet dafür
20
Belichten; Vorrichtungen dafür
G Physik
02
Optik
B
Optische Elemente, Systeme oder Geräte
27
Andere optische Systeme; andere optische Geräte
G Physik
21
Kernphysik; Kerntechnik
K
Verfahren und Vorrichtungen zur Handhabung von Teilchen oder ionisierender Strahlung, soweit nicht anderweitig vorgesehen; Bestrahlungsvorrichtungen; Gamma- oder Röntgenstrahlmikroskope
1
Anordnungen zur Handhabung von ionisierender Strahlung oder von Teilchen, z.B. Fokussieren oder Moderieren
06
unter Anwendung von Beugung, Brechung oder Reflexion, z.B. Monochromatoren
Anmelder:
WYLIE-VAN EERD, Ben [NZ/NZ]; NZ (US)
BIJKERK, Frederik [NL/NL]; NL (US)
HILD, Kerstin [DE/DE]; DE (US)
GRUNER, Toralf [DE/DE]; DE (US)
SCHULTE, Stefan [DE/DE]; DE (US)
WEYLER, Simone [DE/DE]; DE (US)
CARL ZEISS SMT GMBH [DE/DE]; Rudolf-Eber-Strasse 2 73447 Oberkochen, DE (AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BE, BF, BG, BH, BJ, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CF, CG, CH, CI, CL, CM, CN, CO, CR, CU, CY, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, FR, GA, GB, GD, GE, GH, GM, GN, GQ, GR, GT, GW, HN, HR, HU, ID, IE, IL, IN, IR, IS, IT, JO, JP, KE, KG, KH, KM, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MC, MD, ME, MG, MK, ML, MN, MR, MT, MW, MX, MY, MZ, NA, NE, NG, NI, NL, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SI, SK, SL, SM, SN, ST, SV, SY, SZ, TD, TG, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW)
Erfinder:
WYLIE-VAN EERD, Ben; NZ
BIJKERK, Frederik; NL
HILD, Kerstin; DE
GRUNER, Toralf; DE
SCHULTE, Stefan; DE
WEYLER, Simone; DE
Vertreter:
FRANK, Hartmut; DE
Prioritätsdaten:
10 2017 213 900.509.08.2017DE
Titel (EN) MIRROR, IN PARTICULAR FOR A MICROLITHOGRAPHIC PROJECTION EXPOSURE SYSTEM
(FR) MIROIR, NOTAMMENT POUR INSTALLATION DE MICROLITHOGRAPHIE PAR PROJECTION
(DE) SPIEGEL, INSBESONDERE FÜR EINE MIKROLITHOGRAPHISCHE PROJEKTIONSBELICHTUNGSANLAGE
Zusammenfassung:
(EN) The invention relates to a mirror, in particular for a microlithographic projection exposure system, comprising a mirror substrate (12, 32, 52), which mirror has a reflection layer stack (21, 41, 61) for reflecting electromagnetic radiation of a working wavelength hitting the optical active surface (11, 31, 51) and has at least one piezoelectric layer (16, 36, 56), which is arranged between the mirror substrate and the reflection layer stack and to which an electric field for producing locally variable deformation can be applied by means of a first electrode arrangement (20, 40, 60) located on the side of the piezoelectric layer facing the reflection layer stack and by means of a second electrode arrangement (14, 34, 54) located on the side of the piezoelectric layer facing the mirror substrate. According to one aspect, a bracing layer (98) is provided, which reduces a sinking of the piezoelectric layer (96) into the mirror substrate (92) accompanying the application of an electric field in comparison with an analogous design without the bracing layer and thus increases the effective deflection of the piezoelectric layer (96).
(FR) L'invention concerne un miroir de l’invention, destiné en particulier à une installation de microlithographie par projection, pourvu d’un substrat de miroir (12, 32, 52), comprenant : un empilement de couches de réflexion (21, 41, 61) destiné à réfléchir le rayonnement électromagnétique incident à la surface active optique (11, 31, 51) et ayant une longueur d’onde de travail, et au moins une couche piézoélectrique (16, 36, 56) qui est disposée entre le substrat de miroir et l’empilement de couches de réflexion et qui, pour générer une déformation localement variable, peut être soumis à un champ électrique par le biais d’un premier ensemble d’électrodes (20, 40, 60) situé du côté de la couche piézoélectrique faisant face à l’empilement de couches de réflexion et d’un deuxième ensemble d’électrodes (14, 34, 54) situé du côté de la couche piézoélectrique faisant face au substrat miroir. Selon un aspect, une couche de contrainte (98) est prévue qui réduit l’enfoncement, dû au champ électrique, de la couche piézoélectrique (96) dans le substrat de miroir (92) par rapport à une structure analogue sans la couche de contrainte, et augmente ainsi la déviation effective de la couche piézoélectrique (96).
(DE) Ein erfindungsgemäßer Spiegel, insbesondere für eine mikrolithographische Projektionsbelichtungsanlage, mit einem Spiegelsubstrat (12, 32, 52) weist auf: Einen Reflexionsschichtstapel (21, 41, 61) zur Reflexion von auf die optische Wirkfläche (11, 31, 51 ) auftreffender elektromagnetischer Strahlung einer Arbeitswellenlänge, und wenigstens eine piezoelektrische Schicht (16, 36, 56), welche zwischen Spiegelsubstrat und Reflexionsschichtstapel angeordnet und über eine erste, auf der dem Reflexionsschichtstapel zugewandten Seite der piezoelektrischen Schicht befindliche Elektrodenanordnung (20, 40, 60) und eine zweite, auf der dem Spiegelsubstrat zugewandten Seite der piezoelektrischen Schicht befindliche Elektrodenanordnung (14, 34, 54) mit einem elektrischen Feld zur Erzeugung einer lokal variablen Deformation beaufschlagbar ist. Gemäß einem Aspekt ist eine Verspannungsschicht (98) vorgesehen, welche ein mit der Beaufschlagung mit einem elektrischen Feld einhergehendes Einsinken der piezoelektrischen Schicht (96) in das Spiegelsubstrat (92) im Vergleich zu einem analogen Aufbau ohne die Verspannungsschicht reduziert und damit die effektive Auslenkung der piezoelektrischen Schicht (96) erhöht.
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Designierte Staaten: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
African Regional Intellectual Property Organization (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasische Patentorganisation (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Europäisches Patentamt (EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Veröffentlichungssprache: Deutsch (DE)
Anmeldesprache: Deutsch (DE)