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1. (WO2019029861) OPTOELEKTRONISCHES HALBLEITERBAUELEMENT
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Veröff.-Nr.: WO/2019/029861 Internationale Anmeldenummer PCT/EP2018/065055
Veröffentlichungsdatum: 14.02.2019 Internationales Anmeldedatum: 07.06.2018
IPC:
H01L 31/0725 (2012.01) ,H01L 31/0745 (2012.01)
H Elektrotechnik
01
Grundlegende elektrische Bauteile
L
Halbleiterbauelemente; elektrische Festkörperbauelemente, soweit nicht anderweitig vorgesehen
31
Halbleiterbauelemente, die auf Infrarot-Strahlung, Licht, elektromagnetische Strahlung kürzerer Wellenlänge als Licht oder Korpuskularstrahlung ansprechen und besonders ausgebildet sind, entweder für die Umwandlung der Energie einer derartigen Strahlung in elektrische Energie oder für die Steuerung elektrischer Energie durch eine derartige Strahlung eingerichtet sind; Verfahren oder Vorrichtungen, besonders ausgebildet für die Herstellung oder Behandlung dieser Halbleiterbauelemente oder Teilen davon; Einzelheiten dieser Bauelemente
04
die für die Energie-Umwandlung eingerichtet sind
06
gekennzeichnet durch wenigstens eine Potenzialsprung-Sperrschicht oder Oberflächensperrschicht
072
wobei die Sperrschicht ausschließlich durch einen PN-Heteroübergang gebildet wird
0725
Mehrfachübergang- oder Tandem-Solarzellen
H Elektrotechnik
01
Grundlegende elektrische Bauteile
L
Halbleiterbauelemente; elektrische Festkörperbauelemente, soweit nicht anderweitig vorgesehen
31
Halbleiterbauelemente, die auf Infrarot-Strahlung, Licht, elektromagnetische Strahlung kürzerer Wellenlänge als Licht oder Korpuskularstrahlung ansprechen und besonders ausgebildet sind, entweder für die Umwandlung der Energie einer derartigen Strahlung in elektrische Energie oder für die Steuerung elektrischer Energie durch eine derartige Strahlung eingerichtet sind; Verfahren oder Vorrichtungen, besonders ausgebildet für die Herstellung oder Behandlung dieser Halbleiterbauelemente oder Teilen davon; Einzelheiten dieser Bauelemente
04
die für die Energie-Umwandlung eingerichtet sind
06
gekennzeichnet durch wenigstens eine Potenzialsprung-Sperrschicht oder Oberflächensperrschicht
072
wobei die Sperrschicht ausschließlich durch einen PN-Heteroübergang gebildet wird
0745
mit einem AIVBIV-Heteroübergang, z.B. Si/Ge-, SiGe/Si- oder Si/SiC-Solarzellen
Anmelder:
AE 111 AUTARKE ENERGIE GMBH [AT/AT]; St. Veiter Str. 5 9556 Liebenfels, AT
Erfinder:
SCHÜPPEN, Andreas Paul; AT
Vertreter:
EPPING HERMANN FISCHER PATENTANWALTSGESELLSCHAFT MBH; Schloßschmidstr. 5 80639 München, DE
Prioritätsdaten:
17185538.009.08.2017EP
Titel (EN) OPTOELECTRONIC SEMICONDUCTOR COMPONENT
(FR) COMPOSANT SEMI-CONDUCTEUR OPTOÉLECTRONIQUE
(DE) OPTOELEKTRONISCHES HALBLEITERBAUELEMENT
Zusammenfassung:
(EN) In one embodiment an optoelectronic semiconductor component (1), preferably being a silicon-based tandem solar cell, has a front side (10), a first diode (2) and a second diode (4). The first diode (2) is situated closer to the front side (10) than the second diode (4) and the diodes (2, 4) are arranged successively in a direction away from the front face (10) An electrical tunnel contact (3) is situated between the first and second diode (2, 4). The semiconductor component (1) is silicon-based. The first diode (2) comprises at least one sublayer (21, 22, 23) made of SiGeC. The second diode is a Si-diode with a diode layer (41) made of SinGe1-n, where 0 ≤ n ≤ 1.
(FR) L'invention concerne, selon un mode de réalisation, un élément semi-conducteur (1) optoélectronique qui est de préférence une cellule solaire tandem à base de silicium et qui comporte un côté avant (10) ainsi qu'une première diode (2) et une seconde diode (4). La première diode (2) se trouve davantage à proximité du côté avant (10) que la seconde diode (4), et les diodes (2, 4) se suivent l'une l'autre dans une direction s'éloignant du côté avant (10). Un contact tunnel (3) électrique se trouve entre la première et la seconde diode (2, 4). Le composant semi-conducteur (1) est à base de silicium. La première diode (2) comprend au moins une couche partielle (21, 22, 23) composée de SiGeC. La seconde diode est une diode en Si avec une couche (41) de diode composée de SinGe1-n. S'applique ici 0 ≤ n ≤ 1.
(DE) In einer Ausführungsform weist das optoelektronische Halbleiterbauelement (1), das bevorzugt eine auf Silizium basierende Tandemsolarzelle ist, eine Vorderseite (10) sowie eine erste Diode (2) und eine zweite Diode (4) auf. Die erste Diode (2) befindet sich näher an der Vorderseite (10) als die zweite Diode (4) und die Dioden (2, 4) folgen in Richtung weg von der Vorderseite (10) einander nach. Ein elektrischer Tunnelkontakt (3) befindet sich zwischen der ersten und der zweiten Diode (2, 4). Das Halbleiterbauelement (1) basiert auf Silizium. Die erste Diode (2) umfasst zumindest eine Teilschicht (21, 22, 23) aus SiGeC. Die zweite Diode ist eine Si-Diode mit einer Diodenschicht (41) aus SinGe1-n. Dabei gilt 0 ≤ n ≤ 1.
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Veröffentlichungssprache: Deutsch (DE)
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