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1. (WO2019029237) WAFER BONDING METHOD AND STRUCTURE THEREOF
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Veröff.-Nr.: WO/2019/029237 Internationale Anmeldenummer PCT/CN2018/088954
Veröffentlichungsdatum: 14.02.2019 Internationales Anmeldedatum: 30.05.2018
IPC:
H01L 21/02 (2006.01) ,H01L 21/50 (2006.01)
H Elektrotechnik
01
Grundlegende elektrische Bauteile
L
Halbleiterbauelemente; elektrische Festkörperbauelemente, soweit nicht anderweitig vorgesehen
21
Verfahren oder Geräte, besonders ausgebildet für die Herstellung oder Behandlung von Halbleiter- oder Festkörperbauelementen oder Teilen davon
02
Herstellung oder Behandlung von Halbleiterbauelementen oder Teilen davon
H Elektrotechnik
01
Grundlegende elektrische Bauteile
L
Halbleiterbauelemente; elektrische Festkörperbauelemente, soweit nicht anderweitig vorgesehen
21
Verfahren oder Geräte, besonders ausgebildet für die Herstellung oder Behandlung von Halbleiter- oder Festkörperbauelementen oder Teilen davon
02
Herstellung oder Behandlung von Halbleiterbauelementen oder Teilen davon
04
Bauelemente mit mindestens einer Potenzialsprung-Sperrschicht oder Oberflächensperrschicht, z.B. PN-Übergang, Verarmungsschicht, Anreicherungsschicht
50
Zusammenbau von Halbleiterbauelementen unter Verwendung von Verfahren oder Vorrichtungen, soweit nicht in einer der Untergruppen H01L21/06-H01L21/326180
Anmelder:
YANGTZE MEMORY TECHNOLOGIES CO., LTD. [CN/CN]; Room 7018, No.18, Huaguang Road, Guandong Science and Technology Industrial Park East Lake High-Tech Development Zone Wuhan, Hubei 430074, CN
Erfinder:
GUO, Shuai; CN
WANG, Jiawen; CN
DING, Taotao; CN
XING, Ruiyuan; CN
WANG, Xiaojin; CN
WANG, Jiayou; CN
LI, Chunlong; CN
Vertreter:
NTD UNIVATION INTELLECTUAL PROPERTY AGENCY LTD.; 10th Floor, Tower C, Beijing Global Trade Center 36 North Third Ring Road East, Dongcheng District Beijing 100013, CN
Prioritätsdaten:
201710681131.410.08.2017CN
Titel (EN) WAFER BONDING METHOD AND STRUCTURE THEREOF
(FR) PROCÉDÉ DE LIAISON DE TRANCHE ET STRUCTURE ASSOCIÉE
Zusammenfassung:
(EN) Embodiments of wafer bonding method and structures thereof are disclosed. The wafer bonding method can include performing a plasma activation treatment on a front surface of a first and a front surface of a second wafer; performing a silica sol treatment on the front surfaces of the first and the second wafers; performing a preliminary bonding process of the first and second wafer; and performing a heat treatment of the first and the second wafers to bond the front surface of the first wafer to the front surface of the second wafers.
(FR) L'invention concerne des modes de réalisation d'un procédé de liaison de tranches et des structures de celles-ci. Le procédé de liaison de tranche peut comprendre la réalisation d'un traitement d'activation de plasma sur une surface avant d'une première et d'une surface avant d'une seconde tranche; la réalisation d'un traitement de sol de silice sur les surfaces avant des première et seconde tranches; la réalisation d'un processus de liaison préliminaire de la première et de la seconde tranche; et la réalisation d'un traitement thermique des première et seconde tranches pour lier la surface avant de la première tranche à la surface avant des secondes tranches.
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Eurasische Patentorganisation (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
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African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Veröffentlichungssprache: Englisch (EN)
Anmeldesprache: Englisch (EN)