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1. (WO2019027604) FIELD EFFECT SENSORS
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Veröff.-Nr.: WO/2019/027604 Internationale Anmeldenummer PCT/US2018/040439
Veröffentlichungsdatum: 07.02.2019 Internationales Anmeldedatum: 29.06.2018
IPC:
G01N 27/414 (2006.01) ,G01N 33/543 (2006.01) ,B82Y 15/00 (2011.01) ,B82Y 40/00 (2011.01)
G Physik
01
Messen; Prüfen
N
Untersuchen oder Analysieren von Stoffen durch Bestimmen ihrer chemischen oder physikalischen Eigenschaften
27
Untersuchen oder Analysieren von Stoffen durch Anwendung elektrischer, elektrochemischer oder magnetischer Mittel
26
durch Untersuchen elektrochemischer Größen; Anwendung der Elektrolyse oder der Elektrophorese
403
Messzellen und Elektrodenanordnungen
414
ionensensitive oder chemischsensitive Transistoren, d.h. ISFETS oder CHEMFETS
G Physik
01
Messen; Prüfen
N
Untersuchen oder Analysieren von Stoffen durch Bestimmen ihrer chemischen oder physikalischen Eigenschaften
33
Untersuchen oder Analysieren von Stoffen durch spezifische Methoden, soweit sie nicht von den Gruppen G01N1/-G01N31/153
48
Biologische Stoffe, z.B. Blut, Urin; Hämocytometer
50
Chemische Analyse von biologischen Stoffen, z.B. Blut, Urin; Untersuchung unter Anwendung biospezifischer Ligandenbindungsverfahren; Immunologische Untersuchungsverfahren
53
Immunoassay; biospezifische Bindungsverfahren; Stoffe hierfür
543
unter Verwendung eines unlöslichen Trägers zur Immobilisierung des immunochemischen Testmaterials
B Arbeitsverfahren; Transportieren
82
Nanotechnik
Y
Bestimmter Gebrauch oder bestimmte Anwendung von Nanostrukturen; Messung oder Analyse von Nanostrukturen; Herstellung oder Behandlung von Nanostrukturen
15
Nanotechnologie für eine Wechselwirkung, eine Abtastung oder einen Antrieb, z.B. Quantenpunkte als Marker bei der Eiweißbestimmung oder Molekularmotoren
B Arbeitsverfahren; Transportieren
82
Nanotechnik
Y
Bestimmter Gebrauch oder bestimmte Anwendung von Nanostrukturen; Messung oder Analyse von Nanostrukturen; Herstellung oder Behandlung von Nanostrukturen
40
Herstellung oder Behandlung von Nanostrukturen
Anmelder:
ILLUMINA, INC. [US/US]; 5200 Illumina Way San Diego, California 92122, US
Erfinder:
BOYANOV, Boyan; US
Vertreter:
DIERKER, Julia Church; US
KAVANAUGH, Juliet R.; US
Prioritätsdaten:
62/539,81301.08.2017US
Titel (EN) FIELD EFFECT SENSORS
(FR) CAPTEURS À EFFET DE CHAMP
Zusammenfassung:
(EN) Apparatus and methods are disclosed for single molecule field effect sensors having conductive channels functionalized with a single active moiety. A region of a nanostructure (e.g., such as a silicon nanowire or a carbon nanotube) provide the conductive channel. Trapped state density of the nanostructure is modified for a portion of the nanostructure in proximity with a location where the active moiety is linked to the nanostructure. In one example, the semiconductor device includes a source, a drain, a channel including a nanostructure having a modified portion with an increased trap state density, the modified portion being further functionalized with an active moiety. A gate terminal is in electrical communication with the nanostructure. As a varying electrical signal is applied to an ionic solution in contact with the nanostructure channel, changes in current observed from the semiconductor device can be used to identify composition of the analyte.
(FR) L'invention concerne un appareil et des procédés pour des capteurs à effet de champ à une seule molécule ayant des canaux conducteurs fonctionnalisés avec une seule fraction active. Une région d'une nanostructure (par exemple, telle qu'un nanofil de silicium ou un nanotube de carbone) forme le canal conducteur. La densité d'états piégés de la nanostructure est modifiée sur une partie de la nanostructure à proximité d'un site où la fraction active est liée à la nanostructure. Dans un exemple, le dispositif semiconducteur comprend une source, un drain, un canal comprenant une nanostructure ayant une partie modifiée avec une densité d'états piégés accrue, la partie modifiée étant en outre fonctionnalisée avec une fraction active. Une borne de grille est en communication électrique avec la nanostructure. Lorsqu'un signal électrique variable est appliqué à une solution ionique en contact avec le canal à nanostructure, des changements de courant observés sur le dispositif semiconducteur peuvent être utilisés pour identifier la composition de l'analyte.
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Veröffentlichungssprache: Englisch (EN)
Anmeldesprache: Englisch (EN)