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1. (WO2019026954) SPUTTERING TARGET, OXIDE SEMICONDUCTOR THIN FILM, THIN FILM TRANSISTOR, AND ELECTRONIC DEVICE
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Veröff.-Nr.: WO/2019/026954 Internationale Anmeldenummer PCT/JP2018/028842
Veröffentlichungsdatum: 07.02.2019 Internationales Anmeldedatum: 01.08.2018
IPC:
C23C 14/34 (2006.01) ,C04B 35/01 (2006.01) ,C04B 35/453 (2006.01) ,H01L 21/363 (2006.01)
C Chemie; Hüttenwesen
23
Beschichten metallischer Werkstoffe; Beschichten von Werkstoffen mit metallischen Stoffen; Chemische Oberflächenbehandlung; Diffusionsbehandlung von metallischen Werkstoffen; Beschichten allgemein durch Vakuumbedampfen, Aufstäuben, Ionenimplantation oder chemisches Abscheiden aus der Dampfphase; Inhibieren von Korrosion metallischer Werkstoffe oder von Verkrustung allgemein
C
Beschichten metallischer Werkstoffe; Beschichten von Werkstoffen mit metallischen Stoffen; Oberflächenbehandlung metallischer Werkstoffe durch Diffusion in die Oberfläche, durch chemische Umwandlung oder Substitution; Beschichten allgemein durch Vakuumbedampfen, durch Aufstäuben, durch Ionenimplantation oder durch chemisches Abscheiden aus der Dampfphase
14
Beschichten durch Vakuumbedampfen, durch Aufstäuben oder durch Ionenimplantation des Beschichtungsmaterials
22
gekennzeichnet durch das Beschichtungsverfahren
34
durch Aufstäuben
C Chemie; Hüttenwesen
04
Zemente; Beton; Kunststein; keramische Massen; feuerfeste Massen
B
Kalk; Magnesia; Schlacke; Zemente; Massen hieraus z.B. Mörtel, Beton oder ähnliche Baumaterialien; künstliche Steine; keramische Massen; feuerfeste Massen; Behandlung von Naturstein
35
Geformte keramische Erzeugnisse, die durch ihre Zusammensetzung gekennzeichnet sind; keramische Werkstoffe; Pulver aus anorganischen Verbindungen als Ausgangsstoffe für die Herstellung keramischer Produkte
01
auf Oxidbasis
C Chemie; Hüttenwesen
04
Zemente; Beton; Kunststein; keramische Massen; feuerfeste Massen
B
Kalk; Magnesia; Schlacke; Zemente; Massen hieraus z.B. Mörtel, Beton oder ähnliche Baumaterialien; künstliche Steine; keramische Massen; feuerfeste Massen; Behandlung von Naturstein
35
Geformte keramische Erzeugnisse, die durch ihre Zusammensetzung gekennzeichnet sind; keramische Werkstoffe; Pulver aus anorganischen Verbindungen als Ausgangsstoffe für die Herstellung keramischer Produkte
01
auf Oxidbasis
453
auf Zink-, Zinn- oder Bismutoxidbasis oder auf Basis ihrer festen Lösungen mit anderen Oxiden, z.B. Zinkaten, Stannaten oder Bismutaten
H Elektrotechnik
01
Grundlegende elektrische Bauteile
L
Halbleiterbauelemente; elektrische Festkörperbauelemente, soweit nicht anderweitig vorgesehen
21
Verfahren oder Geräte, besonders ausgebildet für die Herstellung oder Behandlung von Halbleiter- oder Festkörperbauelementen oder Teilen davon
02
Herstellung oder Behandlung von Halbleiterbauelementen oder Teilen davon
04
Bauelemente mit mindestens einer Potenzialsprung-Sperrschicht oder Oberflächensperrschicht, z.B. PN-Übergang, Verarmungsschicht, Anreicherungsschicht
34
Bauelemente mit Halbleiterkörpern, soweit nicht von H01L21/06 , H01L21/16 und H01L21/18155
36
Ablagerung von Halbleitermaterialien auf einem Substrat, z.B. epitaxiales Aufwachsen
363
durch physikalische Ablagerung, z.B. Aufdampfen in Vakuum, Kathodenzerstäubung
Anmelder:
出光興産株式会社 IDEMITSU KOSAN CO.,LTD. [JP/JP]; 東京都千代田区丸の内三丁目1番1号 1-1, Marunouchi 3-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1008321, JP
Erfinder:
大山 正嗣 OYAMA Masashi; JP
糸瀬 麻美 ITOSE Mami; JP
Vertreter:
特許業務法人樹之下知的財産事務所 KINOSHITA & ASSOCIATES; 東京都杉並区荻窪五丁目26番13号 3階 3rd Floor, 26-13, Ogikubo 5-chome, Suginami-ku, Tokyo 1670051, JP
Prioritätsdaten:
2017-14939801.08.2017JP
Titel (EN) SPUTTERING TARGET, OXIDE SEMICONDUCTOR THIN FILM, THIN FILM TRANSISTOR, AND ELECTRONIC DEVICE
(FR) CIBLE DE PULVÉRISATION, COUCHE MINCE SEMI-CONDUCTRICE À OXYDE, TRANSISTOR À COUCHES MINCES ET DISPOSITIF ÉLECTRONIQUE
(JA) スパッタリングターゲット、酸化物半導体薄膜、薄膜トランジスタおよび電子機器
Zusammenfassung:
(EN) A sputtering target provided with an oxide sintered compact including a spinel structure compound containing indium element (In), tin element (Sn), zinc element (Zn), an element X, and oxygen, the atomic ratios of the elements satisfying formula (1), and the spinel structure compound furthermore being represented by the formula Zn2SnO4. (1): 0.001 ≤ X/(In + Sn + Zn + X) ≤ 0.05. (In formula (1), In, Zn, Sn, and X represent the amounts of indium element, zinc element, tin element, and element X, respectively, contained in the oxide sintered compact. Element X is at least one species selected from Ge, Si, Y, Zr, Al, Mg, Yb, and Ga.)
(FR) L'invention concerne une cible de pulvérisation pourvue d'un compact fritté d'oxyde comprenant un composé à structure de spinelle contenant un élément indium (In), un élément étain (Sn), un élément zinc (Zn), un élément X et de l'oxygène, les rapports atomiques des éléments satisfaisant la formule (1), et le composé de structure de spinelle étant en outre représenté par la formule Zn2SnO4. (1) : 0,001 ≤ X/ (In + Sn + Zn + X) ≤ 0,05. (Dans la formule (1), In, Zn, Sn et X représentent les quantités respectives d'élément indium, d'élément zinc, d'élément étain et d'élément X contenus dans le compact fritté d'oxyde. L'élément X est au moins une espèce choisie parmi Ge, Si, Y, Zr, Al, Mg, Yb et Ga).
(JA) インジウム元素(In)、スズ元素(Sn)、亜鉛元素(Zn)、X元素、および酸素を含有し、各元素の原子比が下記式(1)を満たし、さらにZn2SnO4で表されるスピネル構造化合物を含む、酸化物焼結体を備える、スパッタリングターゲット。 0.001≦X/(In+Sn+Zn+X)≦0.05 ・・・(1) (式(1)中、In、Zn、SnおよびXは、それぞれ酸化物焼結体中のインジウム元素、亜鉛元素、スズ元素およびX元素の含有量を表す。X元素は、Ge、Si、Y、Zr、Al、Mg、Yb、およびGaから少なくとも1種以上が選択される。)
Designierte Staaten: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
African Regional Intellectual Property Organization (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasische Patentorganisation (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Europäisches Patentamt (EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Veröffentlichungssprache: Japanisch (JA)
Anmeldesprache: Japanisch (JA)