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1. (WO2019025896) THREE TERMINAL SPIN HALL MRAM
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Veröff.-Nr.: WO/2019/025896 Internationale Anmeldenummer PCT/IB2018/055419
Veröffentlichungsdatum: 07.02.2019 Internationales Anmeldedatum: 20.07.2018
IPC:
G11C 11/16 (2006.01)
G Physik
11
Informationsspeicherung
C
Statische Speicher
11
Digitale Speicher, gekennzeichnet durch die Verwendung besonderer elektrischer oder magnetischer Speicherelemente; Speicherelemente hierfür
02
mit magnetischen Elementen
16
mit Elementen, in denen der Speichereffekt auf dem magnetischen Spineffekt beruht
Anmelder:
INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION [US/US]; New Orchard Road Armonk, New York 10504, US
IBM UNITED KINGDOM LIMITED [GB/GB]; PO Box 41, North Harbour Portsmouth Hampshire PO6 3AU, GB (MG)
IBM (CHINA) INVESTMENT COMPANY LIMITED [CN/CN]; 25/F, Pangu Plaza No.27, Central North 4th Ring Road, Chaoyang District, Beijing 100101, CN (MG)
Erfinder:
WORLEDGE, Daniel; US
DE BROSSE, John, Kenneth; US
SUN, Jonathan, Zanhong; US
Vertreter:
WILLIAMS, Julian; GB
Prioritätsdaten:
15/666,23601.08.2017US
Titel (EN) THREE TERMINAL SPIN HALL MRAM
(FR) MRAM À EFFET HALL DE SPIN À TROIS TERMINAUX
Zusammenfassung:
(EN) Improved spin hall MRAM designs are provided that enable writing of all of the bits along a given word line together using a separate spin hall wire for each MTJ. In one aspect, a magnetic memory cell includes: a spin hall wire exclusive to the magnetic memory cell; an MTJ disposed on the spin hall wire, wherein the MTJ includes a fixed magnetic layer separated from a free magnetic layer by a tunnel barrier; and a pair of selection transistors connected to opposite ends of the spin hall wire. An MRAM device and method for operation thereof are also provided.
(FR) L'invention concerne des conceptions MRAM à effet Hall de spin améliorées qui permettent l'écriture de tous les bits le long d'une ligne de mots donnée conjointement à l'aide d'un fil à effet Hall de spin séparé pour chaque MTJ. Selon un aspect, une cellule de mémoire magnétique comprend : un fil à effet Hall de spin exclusif à la cellule de mémoire magnétique ; une MTJ disposée sur le fil à effet Hall de spin, la MTJ comprenant une couche magnétique fixe séparée d'une couche magnétique libre par une barrière tunnel ; et une paire de transistors de sélection connectés aux extrémités opposées du fil à effet Hall de spin. L'invention concerne également un dispositif MRAM et son procédé de fonctionnement.
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Designierte Staaten: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
African Regional Intellectual Property Organization (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasische Patentorganisation (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Europäisches Patentamt (EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Veröffentlichungssprache: Englisch (EN)
Anmeldesprache: Englisch (EN)