Einige Inhalte dieser Anwendung sind momentan nicht verfügbar.
Wenn diese Situation weiterhin besteht, kontaktieren Sie uns bitte unterFeedback&Kontakt
1. (WO2019025206) OPTOELEKTRONISCHER HALBLEITERCHIP UND VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES OPTOELEKTRONISCHEN HALBLEITERCHIPS
Aktuellste beim Internationalen Büro vorliegende bibliographische Daten    Einwendung einreichen

Veröff.-Nr.: WO/2019/025206 Internationale Anmeldenummer PCT/EP2018/069724
Veröffentlichungsdatum: 07.02.2019 Internationales Anmeldedatum: 20.07.2018
IPC:
H01L 33/38 (2010.01) ,H01L 31/02 (2006.01) ,H01L 31/0224 (2006.01)
H Elektrotechnik
01
Grundlegende elektrische Bauteile
L
Halbleiterbauelemente; elektrische Festkörperbauelemente, soweit nicht anderweitig vorgesehen
33
Halbleiterbauelemente mit wenigstens einer Potenzialsprung-Sperrschicht oder Oberflächensperrschicht, besonders ausgebildet zur Lichtemission; Verfahren oder Vorrichtungen, besonders ausgebildet für die Herstellung oder Behandlung dieser Bauelemente oder Teilen davon; Einzelheiten dieser Bauelemente
36
charakterisiert durch die Elektroden
38
mit besonderer Form
H Elektrotechnik
01
Grundlegende elektrische Bauteile
L
Halbleiterbauelemente; elektrische Festkörperbauelemente, soweit nicht anderweitig vorgesehen
31
Halbleiterbauelemente, die auf Infrarot-Strahlung, Licht, elektromagnetische Strahlung kürzerer Wellenlänge als Licht oder Korpuskularstrahlung ansprechen und besonders ausgebildet sind, entweder für die Umwandlung der Energie einer derartigen Strahlung in elektrische Energie oder für die Steuerung elektrischer Energie durch eine derartige Strahlung eingerichtet sind; Verfahren oder Vorrichtungen, besonders ausgebildet für die Herstellung oder Behandlung dieser Halbleiterbauelemente oder Teilen davon; Einzelheiten dieser Bauelemente
02
Einzelheiten
H Elektrotechnik
01
Grundlegende elektrische Bauteile
L
Halbleiterbauelemente; elektrische Festkörperbauelemente, soweit nicht anderweitig vorgesehen
31
Halbleiterbauelemente, die auf Infrarot-Strahlung, Licht, elektromagnetische Strahlung kürzerer Wellenlänge als Licht oder Korpuskularstrahlung ansprechen und besonders ausgebildet sind, entweder für die Umwandlung der Energie einer derartigen Strahlung in elektrische Energie oder für die Steuerung elektrischer Energie durch eine derartige Strahlung eingerichtet sind; Verfahren oder Vorrichtungen, besonders ausgebildet für die Herstellung oder Behandlung dieser Halbleiterbauelemente oder Teilen davon; Einzelheiten dieser Bauelemente
02
Einzelheiten
0224
Elektroden
Anmelder:
OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH [DE/DE]; Leibnizstr. 4 93055 Regensburg, DE
Erfinder:
KOPP, Fabian; MY
MOLNAR, Attila; MY
Vertreter:
EPPING HERMANN FISCHER PATENTANWALTSGESELLSCHAFT MBH; Schloßschmidstr. 5 80639 München, DE
Prioritätsdaten:
10 2017 117 645.403.08.2017DE
Titel (EN) OPTOELECTRONIC SEMICONDUCTOR CHIP AND METHOD FOR PRODUCING AN OPTOELECTRONIC SEMICONDUCTOR CHIP
(FR) PUCE SEMI-CONDUCTRICE OPTOÉLECTRONIQUE ET PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UNE PUCE SEMI-CONDUCTRICE OPTOÉLECTRONIQUE
(DE) OPTOELEKTRONISCHER HALBLEITERCHIP UND VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES OPTOELEKTRONISCHEN HALBLEITERCHIPS
Zusammenfassung:
(EN) The invention relates to an optoelectronic semiconductor chip (1) having a semiconductor layer sequence (2) with a first semiconductor layer (21), a second semiconductor layer (22) and an active area (20) provided between the first semiconductor layer and the second semiconductor layer for generating and/or capturing radiation, wherein - in the semiconductor layer sequence, a first trench structure (3) is formed, the first trench structure penetrating through the second semiconductor layer and the active area and is defined in the lateral direction by a first lateral surface (301) and a second side surface (302); in the semiconductor layer sequence a second trench structure (4) is formed, the second trench structure projecting into the first semiconductor layer and when viewed from above, extends on to the semiconductor chip at least in places between the first lateral surface of the first trench structure, and the second lateral surface of the first trench structure; and the semiconductor chip comprises a first contact finger structure (5) which is electrically conductively connected in the second trench structure to the first semiconductor layer. The invention also relates to an optoelectronic semiconductor chip.
(FR) L'invention concerne une puce semi-conductrice optoélectronique (1) pourvue d'une suite de couches semi-conductrices (2) comportant une première couche semi-conductrice (21), une deuxième couche semi-conductrice (22) et une zone active (20) disposée entre la première couche semi-conductrice et la deuxième couche semi-conductrice et destinée à produire et/ou recevoir un rayonnement, - une première structure de tranchée (3) étant réalisée dans la suite de couches semi-conductrices, la première structure de tranchée traversant la deuxième couche semi-conductrice et la zone active et étant délimitée dans la direction latérale par une première surface latérale (301) et une deuxième surface latérale (302) ; - une deuxième structure de tranchée (4) étant réalisée dans la suite de couches semi-conductrices, la deuxième structure de tranchée saillant dans la première couche semi-conductrice et s'étendant au moins par endroits entre la première surface latérale de la première structure de tranchée et la deuxième surface latérale de la première structure de tranchée dans une vue de dessus sur la puce semi-conductrice ; et - la puce semi-conductrice présentant une première structure de doigt de contact (5) en liaison électriquement conductrice à la première couche semi-conductrice dans la deuxième structure de tranchée. L'invention concerne également un procédé de fabrication d'une puce semi-conductrice optoélectronique.
(DE) Es wird ein optoelektronischer Halbleiterchip (1) mit einer Halbleiterschichtenfolge (2) mit einer ersten Halbleiterschicht (21), einer zweiten Halbleiterschicht (22) und einem zwischen der ersten Halbleiterschicht und der zweiten Halbleiterschicht angeordneten und zum Erzeugen und/oder Empfangen von Strahlung vorgesehenen aktiven Bereich (20) angegeben, wobei - in der Halbleiterschichtenfolge eine erste Grabenstruktur (3) ausgebildet ist, wobei die erste Grabenstruktur die zweite Halbleiterschicht und den aktiven Bereich durchdringt und in lateraler Richtung durch eine erste Seitenfläche (301) und eine zweite Seitenfläche (302) begrenzt ist; - in der Halbleiterschichtenfolge eine zweite Grabenstruktur (4) ausgebildet ist, wobei die zweite Grabenstruktur in die erste Halbleiterschicht hineinragt und in Draufsicht auf den Halbleiterchip zumindest stellenweise zwischen der ersten Seitenfläche der ersten Grabenstruktur und der zweiten Seitenfläche der ersten Grabenstruktur verläuft; und - der Halbleiterchip eine erste Kontaktfingerstruktur (5) aufweist, die in der zweiten Grabenstruktur mit der ersten Halbleiterschicht elektrisch leitend verbunden ist. Weiterhin wird ein Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterchips angegeben.
front page image
Designierte Staaten: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
African Regional Intellectual Property Organization (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasische Patentorganisation (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Europäisches Patentamt (EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Veröffentlichungssprache: Deutsch (DE)
Anmeldesprache: Deutsch (DE)