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1. (WO2019025197) HALBLEITERSCHEIBE AUS EINKRISTALLINEM SILIZIUM UND VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG DER HALBLEITERSCHEIBE
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Veröff.-Nr.: WO/2019/025197 Internationale Anmeldenummer PCT/EP2018/069584
Veröffentlichungsdatum: 07.02.2019 Internationales Anmeldedatum: 19.07.2018
IPC:
H01L 21/02 (2006.01) ,C30B 15/02 (2006.01) ,C30B 15/04 (2006.01) ,C30B 15/20 (2006.01) ,H01L 21/322 (2006.01) ,C30B 33/02 (2006.01)
H Elektrotechnik
01
Grundlegende elektrische Bauteile
L
Halbleiterbauelemente; elektrische Festkörperbauelemente, soweit nicht anderweitig vorgesehen
21
Verfahren oder Geräte, besonders ausgebildet für die Herstellung oder Behandlung von Halbleiter- oder Festkörperbauelementen oder Teilen davon
02
Herstellung oder Behandlung von Halbleiterbauelementen oder Teilen davon
C Chemie; Hüttenwesen
30
Züchten von Kristallen
B
Züchten von Einkristallen; Gerichtetes Erstarren von eutektischen Stoffen oder gerichtetes Entmischen von eutektischen Stoffen; Reinigen von Stoffen durch Zonenschmelzen; Herstellung eines homogenen polykristallinen Stoffes mit definierter Struktur; Einkristalle oder homogene polykristalline Stoffe mit definierter Struktur; Nachbehandlung von Einkristallen oder eines homogenen polykristallinen Stoffes mit definierter Struktur; Apparate hierfür
15
Erzeugen von Einkristallen durch Ziehen aus einer Schmelze, z.B. Czochralsky-Verfahren
02
Einbringen der zu kristallisierenden Stoffe oder der den Stoff in situ bildenden Komponenten in die Schmelze
C Chemie; Hüttenwesen
30
Züchten von Kristallen
B
Züchten von Einkristallen; Gerichtetes Erstarren von eutektischen Stoffen oder gerichtetes Entmischen von eutektischen Stoffen; Reinigen von Stoffen durch Zonenschmelzen; Herstellung eines homogenen polykristallinen Stoffes mit definierter Struktur; Einkristalle oder homogene polykristalline Stoffe mit definierter Struktur; Nachbehandlung von Einkristallen oder eines homogenen polykristallinen Stoffes mit definierter Struktur; Apparate hierfür
15
Erzeugen von Einkristallen durch Ziehen aus einer Schmelze, z.B. Czochralsky-Verfahren
02
Einbringen der zu kristallisierenden Stoffe oder der den Stoff in situ bildenden Komponenten in die Schmelze
04
unter Zusetzen von Dotierstoffen, z.B. für n-p-Übergang
C Chemie; Hüttenwesen
30
Züchten von Kristallen
B
Züchten von Einkristallen; Gerichtetes Erstarren von eutektischen Stoffen oder gerichtetes Entmischen von eutektischen Stoffen; Reinigen von Stoffen durch Zonenschmelzen; Herstellung eines homogenen polykristallinen Stoffes mit definierter Struktur; Einkristalle oder homogene polykristalline Stoffe mit definierter Struktur; Nachbehandlung von Einkristallen oder eines homogenen polykristallinen Stoffes mit definierter Struktur; Apparate hierfür
15
Erzeugen von Einkristallen durch Ziehen aus einer Schmelze, z.B. Czochralsky-Verfahren
20
Steuern oder Regeln
H Elektrotechnik
01
Grundlegende elektrische Bauteile
L
Halbleiterbauelemente; elektrische Festkörperbauelemente, soweit nicht anderweitig vorgesehen
21
Verfahren oder Geräte, besonders ausgebildet für die Herstellung oder Behandlung von Halbleiter- oder Festkörperbauelementen oder Teilen davon
02
Herstellung oder Behandlung von Halbleiterbauelementen oder Teilen davon
04
Bauelemente mit mindestens einer Potenzialsprung-Sperrschicht oder Oberflächensperrschicht, z.B. PN-Übergang, Verarmungsschicht, Anreicherungsschicht
18
Bauelemente mit Halbleiterkörpern aus Elementen der Gruppe IV des Periodensystems oder AIIIBV-Verbindungen mit oder ohne Fremdstoffe, z.B. Dotierungsmaterialien
30
Behandlung von Halbleiterkörpern unter Verwendung von Verfahren oder Vorrichtungen, soweit nicht von H01L21/20-H01L21/26152
322
zur Änderung ihrer inneren Eigenschaften, z.B. zur Erzeugung von Gitterfehlern
C Chemie; Hüttenwesen
30
Züchten von Kristallen
B
Züchten von Einkristallen; Gerichtetes Erstarren von eutektischen Stoffen oder gerichtetes Entmischen von eutektischen Stoffen; Reinigen von Stoffen durch Zonenschmelzen; Herstellung eines homogenen polykristallinen Stoffes mit definierter Struktur; Einkristalle oder homogene polykristalline Stoffe mit definierter Struktur; Nachbehandlung von Einkristallen oder eines homogenen polykristallinen Stoffes mit definierter Struktur; Apparate hierfür
33
Nachbehandlung von Einkristallen oder homogenen polykristallinen Stoffen mit definierter Struktur
02
Wärmebehandlung
Anmelder:
SILTRONIC AG [DE/DE]; Hanns-Seidel-Platz 4 81737 München, DE
Erfinder:
SATTLER, Andreas; DE
VOLLKOPF, Alexander; DE
MANGELBERGER, Karl; AT
Vertreter:
STAUDACHER, Wolfgang; DE
Prioritätsdaten:
10 2017 213 587.504.08.2017DE
Titel (EN) SEMICONDUCTOR WAFER MADE OF MONOCRYSTALLINE SILICON AND METHOD FOR PRODUCING THE SEMICONDUCTOR WAFER
(FR) PLAQUETTE DE SEMI-CONDUCTEUR EN SILICIUM MONOCRISTALLIN ET PROCÉDÉ DE FABRICATION DE LA PLAQUETTE DE SEMI-CONDUCTEUR
(DE) HALBLEITERSCHEIBE AUS EINKRISTALLINEM SILIZIUM UND VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG DER HALBLEITERSCHEIBE
Zusammenfassung:
(EN) The invention relates to an epitaxially coated semiconductor wafer made of monocrystalline silicon and to a method for producing a p/p+ epitaxially coated semiconductor wafer. The epitaxially coated semiconductor wafer made of monocrystalline silicon comprises: a p+-doped substrate layer; a p-doped epitaxial layer made of monocrystalline silicon, which covers a top side surface of the substrate layer; an oxygen concentration of the substrate layer of no less than 5.3 x 1017 atoms/cm3 and no more than 6.0 x 1017 atoms/cm3; a resistivity of the substrate layer of no less than 5 mΩcm and no more than 10 mΩcm; and the potential of the substrate layer, following heat treatment of the epitaxially coated semiconductor wafer, to form BMDs, the BMD density having certain properties.
(FR) L’invention concerne une plaquette de semi-conducteur, revêtue par épitaxie, en silicium monocristallin et un procédé de fabrication d’une plaquette de semi-conducteur revêtue par épitaxie p/p+. La plaquette de semi-conducteur, revêtue par épitaxie, en silicium monocristallin comprend une plaquette de substrat dopée p ; une couche épitaxiale dopée p en silicium monocristallin qui recouvre une surface latérale supérieure de la plaquette de substrat ; et a une concentration en oxygène de la plaquette de substrat d’au moins 5,3 x 10 17 atomes/cm3 et d’au plus 6,0 x 10 17 atomes/cm3; une résistivité de la plaquette de substrat d’au moins 5 mΩcm et d’au plus 10 mΩcm ; et le potentiel de la plaquette de substrat à former des BMD à la suite d’un traitement thermique de la plaquette de semi-conducteur revêtue par épitaxie, la densité de BMD ayant des propriétés déterminées.
(DE) Epitaktisch beschichtete Halbleiterscheibe aus einkristallinem Silizium und Verfahren zur Herstellung einer p/p+ epitaktisch beschichteten Halbleiterscheibe. Die epitaktisch beschichtete Halbleiterscheibe aus einkristallinem Silizium umfasst eine p+-dotierte Substratscheibe; eine p-dotierte epitaktische Schicht aus einkristallinem Silizium, die eine obere Seitenfläche der Substratscheibe bedeckt; eine Sauerstoff-Konzentration der Substratscheibe von nicht weniger als 5,3 x 1017 Atome/cm3 und nicht mehr als 6,0 x 1017 Atome/cm3; eine Resistivität der Substratscheibe von nicht weniger als 5 mΩcm und nicht mehr als 10 mΩcm; und das Potenzial der Substratscheibe in Folge einer Wärmebehandlung der epitaktisch beschichteten Halbleiterscheibe BMDs auszubilden, wobei die Dichte an BMDs bestimmte Eigenschaften aufweist.
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Designierte Staaten: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
African Regional Intellectual Property Organization (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasische Patentorganisation (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Europäisches Patentamt (EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Veröffentlichungssprache: Deutsch (DE)
Anmeldesprache: Deutsch (DE)