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1. (WO2019025157) OPTOELEKTRONISCHES HALBLEITERBAUELEMENT UND VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES OPTOELEKTRONISCHEN HALBLEITERBAUELEMENTS
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Veröff.-Nr.: WO/2019/025157 Internationale Anmeldenummer PCT/EP2018/069007
Veröffentlichungsdatum: 07.02.2019 Internationales Anmeldedatum: 12.07.2018
IPC:
H01L 33/54 (2010.01) ,H01L 33/56 (2010.01) ,H01L 33/00 (2010.01)
H Elektrotechnik
01
Grundlegende elektrische Bauteile
L
Halbleiterbauelemente; elektrische Festkörperbauelemente, soweit nicht anderweitig vorgesehen
33
Halbleiterbauelemente mit wenigstens einer Potenzialsprung-Sperrschicht oder Oberflächensperrschicht, besonders ausgebildet zur Lichtemission; Verfahren oder Vorrichtungen, besonders ausgebildet für die Herstellung oder Behandlung dieser Bauelemente oder Teilen davon; Einzelheiten dieser Bauelemente
48
charakterisiert durch das Gehäuse
52
Einkapselungen
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mit besonderer Form
H Elektrotechnik
01
Grundlegende elektrische Bauteile
L
Halbleiterbauelemente; elektrische Festkörperbauelemente, soweit nicht anderweitig vorgesehen
33
Halbleiterbauelemente mit wenigstens einer Potenzialsprung-Sperrschicht oder Oberflächensperrschicht, besonders ausgebildet zur Lichtemission; Verfahren oder Vorrichtungen, besonders ausgebildet für die Herstellung oder Behandlung dieser Bauelemente oder Teilen davon; Einzelheiten dieser Bauelemente
48
charakterisiert durch das Gehäuse
52
Einkapselungen
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Materialien, z.B. Epoxid- oder Silikonharze
H Elektrotechnik
01
Grundlegende elektrische Bauteile
L
Halbleiterbauelemente; elektrische Festkörperbauelemente, soweit nicht anderweitig vorgesehen
33
Halbleiterbauelemente mit wenigstens einer Potenzialsprung-Sperrschicht oder Oberflächensperrschicht, besonders ausgebildet zur Lichtemission; Verfahren oder Vorrichtungen, besonders ausgebildet für die Herstellung oder Behandlung dieser Bauelemente oder Teilen davon; Einzelheiten dieser Bauelemente
Anmelder:
OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH [DE/DE]; Leibnizstr. 4 93055 Regensburg, DE
Erfinder:
SCHWALENBERG, Simon; DE
LEISEN, Daniel; DE
Vertreter:
EPPING HERMANN FISCHER PATENTANWALTSGESELLSCHAFT MBH; Schloßschmidstr. 5 80639 München, DE
Prioritätsdaten:
10 2017 117 651.903.08.2017DE
Titel (EN) OPTOELECTRONIC SEMICONDUCTOR COMPONENT, AND METHOD FOR PRODUCING AN OPTOELECTRONIC SEMICONDUCTOR COMPONENT
(FR) COMPOSANT OPTOÉLECTRONIQUE À SEMI-CONDUCTEUR ET PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UN COMPOSANT OPTOÉLECTRONIQUE À SEMI-CONDUCTEUR
(DE) OPTOELEKTRONISCHES HALBLEITERBAUELEMENT UND VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES OPTOELEKTRONISCHEN HALBLEITERBAUELEMENTS
Zusammenfassung:
(EN) The invention relates to an optoelectronic semiconductor component (10) comprising: - at least one semiconductor chip (11) for generating electromagnetic radiation, and - a housing body (12) in which the semiconductor chip (11) is arranged and which is filled with a radiation-permeable potting (13), wherein - the potting (13) completely covers the semiconductor chip (11), - scattering particles (14) are introduced into the potting (13), - some of the scattering particles (14) on a potting (13) side facing away from the semiconductor chip (11) are free of potting (13) at least in some locations, and - the ratio of the refractive index of the potting (13) to the refractive index of the scattering particles (14) is at least 0.95 and maximally 1.05. The invention additionally relates to a method for producing an optoelectronic semiconductor component (10).
(FR) L'invention concerne un composant optoélectronique à semi-conducteur (10) comprenant : - au moins une puce semi-conductrice (11) destinée à produire un rayonnement électromagnétique, - un corps de boîtier (12), dans lequel la puce semi-conductrice (11) est agencée et qui est rempli d'un scellement (13) laissant passer un rayonnement, - le scellement (13) recouvrant entièrement la puce semi-conductrice (11), - des particules de diffusion (14) étant introduites dans le scellement (13), - certaines des particules de diffusion (14) sur une face du scellement (13) opposée à la puce semi-conductrice (11) étant au moins par endroits dégagées du scellement (13), et - le rapport de l'indice de réfraction du scellement (13) sur l'indice de réfraction des particules de diffusion (14) atteignant au minimum 0,95 et au maximum 1,05. L'invention concerne en outre un procédé de fabrication d'un composant optoélectronique (10) à semi-conducteur.
(DE) Es wird ein optoelektronisches Halbleiterbauelement (10) angegeben mit: - mindestens einem Halbleiterchip (11) zur Erzeugung von elektromagnetischer Strahlung, - einem Gehäusekörper (12), in dem der Halbleiterchip (11) angeordnet ist und der mit einem strahlungsdurchlässigen Verguss (13) befüllt ist, wobei - der Verguss (13) den Halbleiterchip (11) vollständig bedeckt, - Streupartikel (14) in den Verguss (13) eingebracht sind, - manche der Streupartikel (14) an einer dem Halbleiterchip (11) abgewandten Seite des Verguss (13) zumindest stellenweise frei vom Verguss (13) sind, und - das Verhältnis des Brechungsindex vom Verguss (13) zum Brechungsindex der Streupartikel (14) mindestens 0,95 und höchstens 1,05 beträgt. Außerdem wird ein Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterbauelements (10) angegeben.
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Designierte Staaten: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
African Regional Intellectual Property Organization (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
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Europäisches Patentamt (EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Veröffentlichungssprache: Deutsch (DE)
Anmeldesprache: Deutsch (DE)