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1. (WO2019025110) OPTOELEKTRONISCHES HALBLEITERBAUELEMENT MIT EINER KONTAKTSTRUKTUR UND VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINER KONTAKTSTRUKTUR FÜR EIN OPTOELEKTRONISCHES HALBLEITERBAUELEMENT
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Veröff.-Nr.: WO/2019/025110 Internationale Anmeldenummer PCT/EP2018/068142
Veröffentlichungsdatum: 07.02.2019 Internationales Anmeldedatum: 04.07.2018
IPC:
H01L 33/00 (2010.01) ,H01L 33/38 (2010.01) ,H01L 33/02 (2010.01) ,H01L 33/20 (2010.01) ,H01L 33/30 (2010.01)
H Elektrotechnik
01
Grundlegende elektrische Bauteile
L
Halbleiterbauelemente; elektrische Festkörperbauelemente, soweit nicht anderweitig vorgesehen
33
Halbleiterbauelemente mit wenigstens einer Potenzialsprung-Sperrschicht oder Oberflächensperrschicht, besonders ausgebildet zur Lichtemission; Verfahren oder Vorrichtungen, besonders ausgebildet für die Herstellung oder Behandlung dieser Bauelemente oder Teilen davon; Einzelheiten dieser Bauelemente
H Elektrotechnik
01
Grundlegende elektrische Bauteile
L
Halbleiterbauelemente; elektrische Festkörperbauelemente, soweit nicht anderweitig vorgesehen
33
Halbleiterbauelemente mit wenigstens einer Potenzialsprung-Sperrschicht oder Oberflächensperrschicht, besonders ausgebildet zur Lichtemission; Verfahren oder Vorrichtungen, besonders ausgebildet für die Herstellung oder Behandlung dieser Bauelemente oder Teilen davon; Einzelheiten dieser Bauelemente
36
charakterisiert durch die Elektroden
38
mit besonderer Form
H Elektrotechnik
01
Grundlegende elektrische Bauteile
L
Halbleiterbauelemente; elektrische Festkörperbauelemente, soweit nicht anderweitig vorgesehen
33
Halbleiterbauelemente mit wenigstens einer Potenzialsprung-Sperrschicht oder Oberflächensperrschicht, besonders ausgebildet zur Lichtemission; Verfahren oder Vorrichtungen, besonders ausgebildet für die Herstellung oder Behandlung dieser Bauelemente oder Teilen davon; Einzelheiten dieser Bauelemente
02
charakterisiert durch den Halbleiterkörper
H Elektrotechnik
01
Grundlegende elektrische Bauteile
L
Halbleiterbauelemente; elektrische Festkörperbauelemente, soweit nicht anderweitig vorgesehen
33
Halbleiterbauelemente mit wenigstens einer Potenzialsprung-Sperrschicht oder Oberflächensperrschicht, besonders ausgebildet zur Lichtemission; Verfahren oder Vorrichtungen, besonders ausgebildet für die Herstellung oder Behandlung dieser Bauelemente oder Teilen davon; Einzelheiten dieser Bauelemente
02
charakterisiert durch den Halbleiterkörper
20
mit besonderer Form, z.B. gewölbte oder angeschrägte Substrate
H Elektrotechnik
01
Grundlegende elektrische Bauteile
L
Halbleiterbauelemente; elektrische Festkörperbauelemente, soweit nicht anderweitig vorgesehen
33
Halbleiterbauelemente mit wenigstens einer Potenzialsprung-Sperrschicht oder Oberflächensperrschicht, besonders ausgebildet zur Lichtemission; Verfahren oder Vorrichtungen, besonders ausgebildet für die Herstellung oder Behandlung dieser Bauelemente oder Teilen davon; Einzelheiten dieser Bauelemente
02
charakterisiert durch den Halbleiterkörper
26
Materialien des lichtemittierenden Bereichs
30
nur Elemente der Gruppen III und V des Periodensystems enthaltend
Anmelder:
OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH [DE/DE]; Leibnizstr. 4 93055 Regensburg, DE
Erfinder:
SCHMID, Wolfgang; DE
BRÖLL, Markus; DE
Vertreter:
ZUSAMMENSCHLUSS NR. 175 - EPPING HERMANN FISCHER PATENTANWALTSGESELLSCHAFT MBH; Schloßschmidstr. 5 80639 München, DE
Prioritätsdaten:
10 2017 117 650.003.08.2017DE
Titel (EN) OPTOELECTRONIC SEMICONDUCTOR COMPONENT HAVING A CONTACT STRUCTURE, AND METHOD FOR PRODUCING A CONTACT STRUCTURE FOR AN OPTOELECTRONIC SEMICONDUCTOR COMPONENT
(FR) COMPOSANT À SEMI-CONDUCTEUR OPTOÉLECTRONIQUE DOTÉ D'UNE STRUCTURE DE CONTACT ET PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UNE STRUCTURE DE CONTACT POUR UN COMPOSANT À SEMI-CONDUCTEUR OPTOÉLECTRONIQUE
(DE) OPTOELEKTRONISCHES HALBLEITERBAUELEMENT MIT EINER KONTAKTSTRUKTUR UND VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINER KONTAKTSTRUKTUR FÜR EIN OPTOELEKTRONISCHES HALBLEITERBAUELEMENT
Zusammenfassung:
(EN) The invention relates to a method for producing a contact structure (150) for an optoelectronic semiconductor component (1), comprising the following steps:a) providing a growth substrate (120) having a semiconductor body (10) which is grown thereon and has a first region (101), a second region (102) and an active region (103), b) producing at least one first cut-out (170) which extends from the second region (102), completely through the active region (103), into the first region (101) and does not pass completely through the first region (101), c) introducing a first electrically conductive contact material into the first cut-out (170), d) fastening the semiconductor body (10) to a support substrate (130) by the side facing away from the growth substrate (120), and detaching the growth substrate (120) from the semiconductor body (10), e) producing at least one second cut-out (180) which extends from the first region (101) to the first cut-out (170) so that the first cut-out (170) and the second cut-out (180) form a feed-through through the semiconductor body (10), and f) introducing a second electrically conductive contact material into the second cut-out (180) such that the first contact material and the second contact material form an electrically conductive contact structure through the semiconductor body (10).The invention also relates to an optoelectronic semiconductor component (1) having a contact structure (150).
(FR) L'invention concerne un procédé de fabrication d'une structure de contact (150) pour un composant à semi-conducteur optoélectronique (1), comprenant les étapes consistant à : a) fournir un substrat de croissance (120), doté d'un corps semi-conducteur (10) crû sur ledit substrat, qui comporte une première zone (101), une deuxième zone (102) et une zone active (103) ; b) générer au moins un premier évidement (170), qui s'étend de la deuxième zone (102) complètement à travers la zone active (103) jusqu'à la première zone (101) ; c) introduire un premier matériau de contact électriquement conducteur dans le premier évidement (170) ; d) fixer le corps semi-conducteur (10) par la face opposée au substrat de croissance (120) à un substrat porteur (130) et détacher le substrat de croissance (120) du corps semi-conducteur (10) ; e) générer au moins un deuxième évidement (180), qui s'étend de la première zone (101) jusqu'au premier évidement (170) de telle sorte que le premier évidement (170) et le deuxième évidement (180) forment un passage à travers le corps semi-conducteur (10) ; et f) introduire un deuxième matériau de contact électriquement conducteur dans le deuxième évidement (180) de telle sorte que le premier matériau de contact et le deuxième matériau de contact forment une structure de contact électriquement conductrice à travers le corps semi-conducteur (10). L'invention concerne en outre un composant à semi-conducteur optoélectronique (1) doté d’une structure de contact (150).
(DE) Es wird ein Verfahren zur Herstellung einer Kontaktstruktur (150) für ein optoelektronisches Halbleiterbauelement (1) angegeben, umfassend die Schritte: a) Bereitstellen eines Aufwachssubstrats (120) mit einem darauf aufgewachsenen Halbleiterkörper (10), der einen ersten Bereich (101), einen zweiten Bereich (102), und einen aktiven Bereich (103) aufweist, b) Erzeugen mindestens einer ersten Aussparung (170), die sich ausgehend vom zweiten Bereich (102) vollständig durch den aktiven Bereich (103) bis in den ersten Bereich (101) erstreckt und den ersten Bereich (101) nicht vollständig durchdringt, c) Einbringen eines ersten elektrisch leitfähigen Kontaktmaterials in die erste Aussparung (170), d) Befestigen des Halbleiterkörpers (10) mit der dem Aufwachssubstrat (120) abgewandten Seite auf einem Trägersubstrat (130), und Ablösen des Aufwachssubstrats (120) vom Halbleiterkörper (10), e) Erzeugen mindestens einer zweiten Aussparung (180), die sich ausgehend vom ersten Bereich (101) bis zur ersten Aussparung (170) erstreckt, so dass die erste Aussparung (170) und die zweite Aussparung (180) eine Durchführung durch den Halbleiterkörper (10) bilden, und f) Einbringen eines zweiten elektrisch leitfähigen Kontaktmaterials in die zweite Aussparung (180) derart, dass das erste Kontaktmaterial und das zweite Kontaktmaterial eine elektrisch leitfähige Kontaktstruktur durch den Halbleiterkörper (10) bilden. Weiterhin wird ein optoelektronisches Halbleiterbauelement (1) mit einer Kontaktstruktur (150) angegeben.
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Designierte Staaten: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
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Eurasische Patentorganisation (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Europäisches Patentamt (EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Veröffentlichungssprache: Deutsch (DE)
Anmeldesprache: Deutsch (DE)