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1. (WO2019025009) METHOD FOR PRODUCING AN OPTOELECTRONIC SEMICONDUCTOR DEVICE
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Veröff.-Nr.: WO/2019/025009 Internationale Anmeldenummer PCT/EP2017/069834
Veröffentlichungsdatum: 07.02.2019 Internationales Anmeldedatum: 04.08.2017
IPC:
H01L 33/50 (2010.01) ,H01L 33/48 (2010.01) ,H01L 33/54 (2010.01) ,H01L 33/56 (2010.01)
H Elektrotechnik
01
Grundlegende elektrische Bauteile
L
Halbleiterbauelemente; elektrische Festkörperbauelemente, soweit nicht anderweitig vorgesehen
33
Halbleiterbauelemente mit wenigstens einer Potenzialsprung-Sperrschicht oder Oberflächensperrschicht, besonders ausgebildet zur Lichtemission; Verfahren oder Vorrichtungen, besonders ausgebildet für die Herstellung oder Behandlung dieser Bauelemente oder Teilen davon; Einzelheiten dieser Bauelemente
48
charakterisiert durch das Gehäuse
50
Bestandteile zur Wellenlängenkonversion
H Elektrotechnik
01
Grundlegende elektrische Bauteile
L
Halbleiterbauelemente; elektrische Festkörperbauelemente, soweit nicht anderweitig vorgesehen
33
Halbleiterbauelemente mit wenigstens einer Potenzialsprung-Sperrschicht oder Oberflächensperrschicht, besonders ausgebildet zur Lichtemission; Verfahren oder Vorrichtungen, besonders ausgebildet für die Herstellung oder Behandlung dieser Bauelemente oder Teilen davon; Einzelheiten dieser Bauelemente
48
charakterisiert durch das Gehäuse
H Elektrotechnik
01
Grundlegende elektrische Bauteile
L
Halbleiterbauelemente; elektrische Festkörperbauelemente, soweit nicht anderweitig vorgesehen
33
Halbleiterbauelemente mit wenigstens einer Potenzialsprung-Sperrschicht oder Oberflächensperrschicht, besonders ausgebildet zur Lichtemission; Verfahren oder Vorrichtungen, besonders ausgebildet für die Herstellung oder Behandlung dieser Bauelemente oder Teilen davon; Einzelheiten dieser Bauelemente
48
charakterisiert durch das Gehäuse
52
Einkapselungen
54
mit besonderer Form
H Elektrotechnik
01
Grundlegende elektrische Bauteile
L
Halbleiterbauelemente; elektrische Festkörperbauelemente, soweit nicht anderweitig vorgesehen
33
Halbleiterbauelemente mit wenigstens einer Potenzialsprung-Sperrschicht oder Oberflächensperrschicht, besonders ausgebildet zur Lichtemission; Verfahren oder Vorrichtungen, besonders ausgebildet für die Herstellung oder Behandlung dieser Bauelemente oder Teilen davon; Einzelheiten dieser Bauelemente
48
charakterisiert durch das Gehäuse
52
Einkapselungen
56
Materialien, z.B. Epoxid- oder Silikonharze
Anmelder:
OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH [DE/DE]; Leibnizstr. 4 93055 Regensburg, DE
Erfinder:
CHANG, Seng-Teong; MY
OR, Choon Keat; MY
NG, Lee-Ying Jacqueline; MY
LOOI, Chai-Yun Jade; MY
Vertreter:
EPPING HERMANN FISCHER PATENTANWALTSGESELLSCHAFT MBH; Schloßschmidstr. 5 80639 München, DE
Prioritätsdaten:
Titel (EN) METHOD FOR PRODUCING AN OPTOELECTRONIC SEMICONDUCTOR DEVICE
(FR) PROCÉDÉ DE PRODUCTION DE DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR OPTOÉLECTRONIQUE
Zusammenfassung:
(EN) A method for producing an optoelectronic semiconductor device (10) is specified, said method comprising the following steps: - providing a frame part (1) which comprises a plurality of openings (11), - providing an auxiliary carrier (2), - connecting the auxiliary carrier (2) to the frame part (1) such that the auxiliary carrier (2) covers at least some of the openings (11) at an underside (1a) of the frame part (1), - placing conversion elements (3) onto the auxiliary carrier (2) in at least some of the openings (11), - placing optoelectronic semiconductor chips (4) onto the conversion elements (3) in at least some of the openings (11), - applying a housing (5) onto the conversion elements (3) and around the semiconductor chips (4) in at least some of the openings (11), - removing the frame part (1) and the auxiliary carrier (2).
(FR) L'invention concerne un procédé de production d'un dispositif à semi-conducteur optoélectronique (10), ledit procédé comprenant les étapes suivantes : - fournir une partie cadre (1) qui comprend une pluralité d'ouvertures (11), - fournir un support auxiliaire (2), - relier le support auxiliaire (2) à la partie cadre (1) de telle sorte que le support auxiliaire (2) recouvre au moins certaines des ouvertures (11) sur une face inférieure (1a) de la partie cadre (1), - placer des éléments de conversion (3) sur le support auxiliaire (2) dans au moins certaines des ouvertures (11), - placer des puces semi-conductrices optoélectroniques (4) sur les éléments de conversion (3) dans au moins certaines des ouvertures (11), - appliquer un boîtier (5) sur les éléments de conversion (3) et autour des puces semi-conductrices (4) dans au moins certaines des ouvertures (11), - retirer la partie cadre (1) et le support auxiliaire (2).
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Afrikanische regionale Organisation für geistiges Eigentum (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
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Europäisches Patentamt (EPA) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Afrikanische Organisation für geistiges Eigentum (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Veröffentlichungssprache: Englisch (EN)
Anmeldesprache: Englisch (EN)