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1. (WO2019024773) PHOTODETECTION FILM, PHOTODETECTION SENSOR AND PHOTODETECTION DISPLAY APPARATUS INCLUDING THE PHOTODETECTION FILM, AND METHOD OF MAKING THE PHOTODETECTION FILM
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Veröff.-Nr.: WO/2019/024773 Internationale Anmeldenummer PCT/CN2018/097356
Veröffentlichungsdatum: 07.02.2019 Internationales Anmeldedatum: 27.07.2018
IPC:
H01L 31/113 (2006.01) ,H01L 31/112 (2006.01) ,H01L 31/0224 (2006.01)
H Elektrotechnik
01
Grundlegende elektrische Bauteile
L
Halbleiterbauelemente; elektrische Festkörperbauelemente, soweit nicht anderweitig vorgesehen
31
Halbleiterbauelemente, die auf Infrarot-Strahlung, Licht, elektromagnetische Strahlung kürzerer Wellenlänge als Licht oder Korpuskularstrahlung ansprechen und besonders ausgebildet sind, entweder für die Umwandlung der Energie einer derartigen Strahlung in elektrische Energie oder für die Steuerung elektrischer Energie durch eine derartige Strahlung eingerichtet sind; Verfahren oder Vorrichtungen, besonders ausgebildet für die Herstellung oder Behandlung dieser Halbleiterbauelemente oder Teilen davon; Einzelheiten dieser Bauelemente
08
in denen die Strahlung den Stromfluss durch das Bauelement steuert, z.B. Fotowiderstände
10
gekennzeichnet durch wenigstens eine Potenzialsprung-Sperrschicht oder Oberflächensperrschicht, z.B. Fototransistoren
101
Bauelemente die auf infrarote, sichtbare oder ultraviolette Strahlung ansprechen
112
gekennzeichnet durch Feldeffekt, z.B. Sperrschicht-Feldeffekt- Fototransistor
113
mit einer Leiter-Isolator- Halbleiter-Anordnung, z.B. Metall-Isolator-Halbleiter- Feldeffekttransistor
H Elektrotechnik
01
Grundlegende elektrische Bauteile
L
Halbleiterbauelemente; elektrische Festkörperbauelemente, soweit nicht anderweitig vorgesehen
31
Halbleiterbauelemente, die auf Infrarot-Strahlung, Licht, elektromagnetische Strahlung kürzerer Wellenlänge als Licht oder Korpuskularstrahlung ansprechen und besonders ausgebildet sind, entweder für die Umwandlung der Energie einer derartigen Strahlung in elektrische Energie oder für die Steuerung elektrischer Energie durch eine derartige Strahlung eingerichtet sind; Verfahren oder Vorrichtungen, besonders ausgebildet für die Herstellung oder Behandlung dieser Halbleiterbauelemente oder Teilen davon; Einzelheiten dieser Bauelemente
08
in denen die Strahlung den Stromfluss durch das Bauelement steuert, z.B. Fotowiderstände
10
gekennzeichnet durch wenigstens eine Potenzialsprung-Sperrschicht oder Oberflächensperrschicht, z.B. Fototransistoren
101
Bauelemente die auf infrarote, sichtbare oder ultraviolette Strahlung ansprechen
112
gekennzeichnet durch Feldeffekt, z.B. Sperrschicht-Feldeffekt- Fototransistor
H Elektrotechnik
01
Grundlegende elektrische Bauteile
L
Halbleiterbauelemente; elektrische Festkörperbauelemente, soweit nicht anderweitig vorgesehen
31
Halbleiterbauelemente, die auf Infrarot-Strahlung, Licht, elektromagnetische Strahlung kürzerer Wellenlänge als Licht oder Korpuskularstrahlung ansprechen und besonders ausgebildet sind, entweder für die Umwandlung der Energie einer derartigen Strahlung in elektrische Energie oder für die Steuerung elektrischer Energie durch eine derartige Strahlung eingerichtet sind; Verfahren oder Vorrichtungen, besonders ausgebildet für die Herstellung oder Behandlung dieser Halbleiterbauelemente oder Teilen davon; Einzelheiten dieser Bauelemente
02
Einzelheiten
0224
Elektroden
Anmelder:
SHANGHAI HARVEST INTELLIGENCE TECHNOLOGY CO., LTD. [CN/CN]; Room J2990, Building 2, No.4268 Zhennan Road, Jiading District Shanghai 201800, CN
Erfinder:
HUANG, Jiandong; CN
Vertreter:
TIE CHI PATENT FIRM; Rm. 705, 7F, Jialong International Tower No. 19, Chaoyang Park Road, Chaoyang Dist. Beijing 100026, CN
Prioritätsdaten:
201710640248.831.07.2017CN
Titel (EN) PHOTODETECTION FILM, PHOTODETECTION SENSOR AND PHOTODETECTION DISPLAY APPARATUS INCLUDING THE PHOTODETECTION FILM, AND METHOD OF MAKING THE PHOTODETECTION FILM
(FR) FILM DE PHOTODÉTECTION, CAPTEUR DE PHOTODÉTECTION ET APPAREIL D'AFFICHAGE DE PHOTODÉTECTION COMPRENANT LE FILM DE PHOTODÉTECTION, ET PROCÉDÉ DE FABRICATION DU FILM DE PHOTODÉTECTION
Zusammenfassung:
(EN) A photodetection film includes a photodetection transistor. The photodetection transistor includes a gate electrode, a gate insulating layer surroundingly formed on the gate electrode, at least one drain terminal disposed on the gate insulating layer and is spaced apart from the gate electrode, at least one source terminal disposed on the gate insulating layer and is spaced apart from the gate electrode and the at least one drain terminal, and a light-absorbing semiconductor layer disposed on the gate insulating layer and extends between the drain and source terminals. A photodetection sensor, a photodetection display apparatus, and a method of making the photodetection film are also disclosed.
(FR) La présente invention concerne un film de photodétection qui comprend un transistor de photodétection. Le transistor de photodétection comprend une électrode de grille, une couche d'isolation de grille formée de manière à entourer l'électrode de grille, au moins une borne de drain disposée sur la couche d'isolation de grille et espacée de l'électrode de grille, au moins une borne de source disposée sur la couche d'isolation de grille et espacée de l'électrode de grille et de ladite borne de drain, et une couche semi-conductrice d'absorption de lumière disposée sur la couche d'isolation de grille et s'étendant entre les bornes de drain et de source. L'invention concerne également un capteur de photodétection, un appareil d'affichage de photodétection, et un procédé de fabrication du film de photodétection.
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Designierte Staaten: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
African Regional Intellectual Property Organization (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasische Patentorganisation (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Europäisches Patentamt (EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Veröffentlichungssprache: Englisch (EN)
Anmeldesprache: Englisch (EN)