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1. (WO2019020255) HALBLEITERANORDNUNG MIT EINER PIN-DIODE
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Veröff.-Nr.: WO/2019/020255 Internationale Anmeldenummer PCT/EP2018/065301
Veröffentlichungsdatum: 31.01.2019 Internationales Anmeldedatum: 11.06.2018
IPC:
H01L 29/868 (2006.01) ,H01L 29/32 (2006.01) ,H01L 21/329 (2006.01) ,H01L 29/06 (2006.01) ,H01L 29/16 (2006.01)
H Elektrotechnik
01
Grundlegende elektrische Bauteile
L
Halbleiterbauelemente; elektrische Festkörperbauelemente, soweit nicht anderweitig vorgesehen
29
Halbleiterbauelemente, besonders ausgebildet zum Gleichrichten, Verstärken, Schalten oder zur Schwingungserzeugung mit wenigstens einer Potenzialsprung-Sperrschicht oder Oberflächensperrschicht; Kondensatoren oder Widerstände mit wenigstens einer Potenzialsprung-Sperrschicht oder Oberflächensperrschicht, z.B. PN-Übergang mit Verarmungs- oder Anreicherungsschicht; Einzelheiten von Halbleiterkörpern oder von Elektroden auf diesen Halbleiterkörpern
66
Typen von Halbleiterbauelementen
86
steuerbar allein durch die Veränderung des an einer oder mehreren Elektroden, die den gleichzurichtenden, zu verstärkenden, schwingungsanzuregenden oder zu schaltenden Strom führen, zugeführten elektrischen Stroms oder allein durch die Veränderung des an eine oder mehrere solcher Elektroden angelegten, elektrischen Potenzials
861
Dioden
868
PIN-Dioden
H Elektrotechnik
01
Grundlegende elektrische Bauteile
L
Halbleiterbauelemente; elektrische Festkörperbauelemente, soweit nicht anderweitig vorgesehen
29
Halbleiterbauelemente, besonders ausgebildet zum Gleichrichten, Verstärken, Schalten oder zur Schwingungserzeugung mit wenigstens einer Potenzialsprung-Sperrschicht oder Oberflächensperrschicht; Kondensatoren oder Widerstände mit wenigstens einer Potenzialsprung-Sperrschicht oder Oberflächensperrschicht, z.B. PN-Übergang mit Verarmungs- oder Anreicherungsschicht; Einzelheiten von Halbleiterkörpern oder von Elektroden auf diesen Halbleiterkörpern
02
Halbleiterkörper
30
gekennzeichnet durch physikalische Gitterfehler; mit polierten oder aufgerauten Oberflächen
32
mit Gitterfehlern im Halbleiterkörper
H Elektrotechnik
01
Grundlegende elektrische Bauteile
L
Halbleiterbauelemente; elektrische Festkörperbauelemente, soweit nicht anderweitig vorgesehen
21
Verfahren oder Geräte, besonders ausgebildet für die Herstellung oder Behandlung von Halbleiter- oder Festkörperbauelementen oder Teilen davon
02
Herstellung oder Behandlung von Halbleiterbauelementen oder Teilen davon
04
Bauelemente mit mindestens einer Potenzialsprung-Sperrschicht oder Oberflächensperrschicht, z.B. PN-Übergang, Verarmungsschicht, Anreicherungsschicht
18
Bauelemente mit Halbleiterkörpern aus Elementen der Gruppe IV des Periodensystems oder AIIIBV-Verbindungen mit oder ohne Fremdstoffe, z.B. Dotierungsmaterialien
328
Mehrstufenprozesse zur Herstellung von bipolaren Bauelementen, z.B. Dioden, Transistoren, Thyristoren
329
bei denen das Bauelement eine oder zwei Elektroden aufweist, z.B. Dioden
H Elektrotechnik
01
Grundlegende elektrische Bauteile
L
Halbleiterbauelemente; elektrische Festkörperbauelemente, soweit nicht anderweitig vorgesehen
29
Halbleiterbauelemente, besonders ausgebildet zum Gleichrichten, Verstärken, Schalten oder zur Schwingungserzeugung mit wenigstens einer Potenzialsprung-Sperrschicht oder Oberflächensperrschicht; Kondensatoren oder Widerstände mit wenigstens einer Potenzialsprung-Sperrschicht oder Oberflächensperrschicht, z.B. PN-Übergang mit Verarmungs- oder Anreicherungsschicht; Einzelheiten von Halbleiterkörpern oder von Elektroden auf diesen Halbleiterkörpern
02
Halbleiterkörper
06
gekennzeichnet durch ihre Form; gekennzeichnet durch die Formen, relativen Größen oder Anordnungen der Halbleiterbereiche
H Elektrotechnik
01
Grundlegende elektrische Bauteile
L
Halbleiterbauelemente; elektrische Festkörperbauelemente, soweit nicht anderweitig vorgesehen
29
Halbleiterbauelemente, besonders ausgebildet zum Gleichrichten, Verstärken, Schalten oder zur Schwingungserzeugung mit wenigstens einer Potenzialsprung-Sperrschicht oder Oberflächensperrschicht; Kondensatoren oder Widerstände mit wenigstens einer Potenzialsprung-Sperrschicht oder Oberflächensperrschicht, z.B. PN-Übergang mit Verarmungs- oder Anreicherungsschicht; Einzelheiten von Halbleiterkörpern oder von Elektroden auf diesen Halbleiterkörpern
02
Halbleiterkörper
12
gekennzeichnet durch die Materialien, aus denen sie bestehen
16
nur mit Elementen der vierten Gruppe des Periodensystems in elementarer Form, abgesehen von Dotierungsmaterialien oder anderen Fremdstoffen
Anmelder:
ROBERT BOSCH GMBH [DE/DE]; Postfach 30 02 20 70442 Stuttgart, DE
Erfinder:
GOERLACH, Alfred; DE
FEILER, Wolfgang; DE
Prioritätsdaten:
10 2017 212 673.624.07.2017DE
Titel (EN) SEMICONDUCTOR ARRANGEMENT WITH A PIN DIODE
(FR) ENSEMBLE SEMI-CONDUCTEUR COMPRENANT UNE DIODE PIN
(DE) HALBLEITERANORDNUNG MIT EINER PIN-DIODE
Zusammenfassung:
(EN) A semiconductor arrangement with a PIN diode is proposed, comprising a heavily n-doped layer (1), a lightly n-doped layer (2) arranged on the heavily n-doped layer (1) and a p-doped layer (3) arranged on the lightly n-doped layer (2), wherein the p-doped layer (3) forms an ohmic contact with a first metallization (5) and the heavily n-doped layer (1) forms an ohmic contact with a second metallization (7). During operation in the forward direction, a high injection takes place, in which the lightly n-doped layer (2) is flooded with charge carriers. At least two trench structures (4) are incorporated in the lightly n-doped layer (2), wherein the trench structures (4) have a dielectric layer (6) on a surface that is in contact with the n-doped surface. The surface (10) of the lightly n-doped layer (2) that is in contact with the dielectric layer (6) has an increased surface recombination velocity for charge carriers.
(FR) L'invention concerne un ensemble semi-conducteur comprenant une diode PIN pourvue d'une couche (1) à fort dopage n, une couche (2) à faible dopage n disposée sur la couche à fort dopage n (1) et une couche à dopage p (3) disposée sur la couche à faible dopage n (2). La couche à dopage p (3) forme avec une première métallisation (5) un contact ohmique, et la couche à fort dopage n (1) forme un contact ohmique avec une deuxième métallisation (7). Dans un fonctionnement dans une direction d'avance, une injection importante a lieu, dans laquelle la couche à faible dopage n (2) est submergée de porteurs de charge. Au moins deux structures de tranchée (4) sont pratiquées dans la couche à faible dopage n (2). Les structures de tranchée (4) comportent, sur une surface en contact avec la surface à dopage n, la couche diélectrique (6). La surface (10), en contact avec la couche diélectrique (6), de la couche à faible dopage n (2) présente une vitesse de recombinaison en surface plus élevée pour des porteurs de charge.
(DE) Es wird eine Halbleiteranordnung mit einer PIN-Diode mit einer stark n-dotierten Schicht (1), einer auf der stark n-dotierten Schicht (1) angeordneten schwach n-dotierten Schicht (2) und einer auf der schwach n-dotierten Schicht (2) angeordneten p-dotierten Schicht (3) vorgeschlagen, wobei die p-dotierte Schicht (3) mit einer ersten Metallisierung (5) einen ohmschen Kontakt bildet und die stark n-dotierte Schicht (1) einen ohmschen Kontakt zu einer zweiten Metallisierung (7) bildet. Bei einem Betrieb in Vorwärtsrichtung erfolgt eine Hochinjektion bei der die schwach n-dotierte Schicht (2) mit Ladungsträgern überflutet wird. In der schwach n-dotierten Schicht (2) sind mindestens zwei Grabenstrukturen (4) eingebracht, wobei die Grabenstrukturen (4) auf einer mit der n-dotierten Oberfläche in Kontakt stehenden Oberfläche eine dielektrische Schicht (6) aufweisen. Die mit der dielektrischen Schicht (6) in Kontakt stehende Oberfläche (10) der schwach n-dotierten Schicht (2) weist eine erhöhte Oberflächenrekombinationsgeschwindigkeit für Ladungsträger auf.
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Veröffentlichungssprache: Deutsch (DE)
Anmeldesprache: Deutsch (DE)