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1. (WO2019012797) SEMICONDUCTOR DEVICE PRODUCTION METHOD, SUBSTRATE PROCESSING DEVICE, AND PROGRAM
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Veröff.-Nr.: WO/2019/012797 Internationale Anmeldenummer PCT/JP2018/018354
Veröffentlichungsdatum: 17.01.2019 Internationales Anmeldedatum: 11.05.2018
IPC:
H01L 21/316 (2006.01) ,C23C 16/42 (2006.01) ,H01L 21/31 (2006.01) ,H01L 21/318 (2006.01)
H Elektrotechnik
01
Grundlegende elektrische Bauteile
L
Halbleiterbauelemente; elektrische Festkörperbauelemente, soweit nicht anderweitig vorgesehen
21
Verfahren oder Geräte, besonders ausgebildet für die Herstellung oder Behandlung von Halbleiter- oder Festkörperbauelementen oder Teilen davon
02
Herstellung oder Behandlung von Halbleiterbauelementen oder Teilen davon
04
Bauelemente mit mindestens einer Potenzialsprung-Sperrschicht oder Oberflächensperrschicht, z.B. PN-Übergang, Verarmungsschicht, Anreicherungsschicht
18
Bauelemente mit Halbleiterkörpern aus Elementen der Gruppe IV des Periodensystems oder AIIIBV-Verbindungen mit oder ohne Fremdstoffe, z.B. Dotierungsmaterialien
30
Behandlung von Halbleiterkörpern unter Verwendung von Verfahren oder Vorrichtungen, soweit nicht von H01L21/20-H01L21/26152
31
zur Bildung isolierender Schichten auf Halbleiterkörpern, z.B. für Maskierungszwecke oder bei Verwendung fotolithografischer Techniken; Nachbehandlung dieser Schichten; Auswahl von Materalien für diese Schichten
314
Anorganische Schichten
316
zusammengesetzt aus Oxiden oder glasigen Oxiden oder Gläsern auf Oxidbasis
C Chemie; Hüttenwesen
23
Beschichten metallischer Werkstoffe; Beschichten von Werkstoffen mit metallischen Stoffen; Chemische Oberflächenbehandlung; Diffusionsbehandlung von metallischen Werkstoffen; Beschichten allgemein durch Vakuumbedampfen, Aufstäuben, Ionenimplantation oder chemisches Abscheiden aus der Dampfphase; Inhibieren von Korrosion metallischer Werkstoffe oder von Verkrustung allgemein
C
Beschichten metallischer Werkstoffe; Beschichten von Werkstoffen mit metallischen Stoffen; Oberflächenbehandlung metallischer Werkstoffe durch Diffusion in die Oberfläche, durch chemische Umwandlung oder Substitution; Beschichten allgemein durch Vakuumbedampfen, durch Aufstäuben, durch Ionenimplantation oder durch chemisches Abscheiden aus der Dampfphase
16
Chemisches Beschichten durch Zersetzen gasförmiger Verbindungen ohne Verbleiben von Reaktionsprodukten des Oberflächenmaterials im Überzug, d.h. Verfahren zur chemischen Abscheidung aus der Dampfphase [chemical vapour deposition = CVD]
22
gekennzeichnet durch das Abscheiden anderer anorganischer Stoffe als metallischer Stoffe
30
Abscheiden von Verbindungen, Gemischen oder festen Lösungen, z.B. von Boriden, Carbiden, Nitriden
42
von Siliciden
H Elektrotechnik
01
Grundlegende elektrische Bauteile
L
Halbleiterbauelemente; elektrische Festkörperbauelemente, soweit nicht anderweitig vorgesehen
21
Verfahren oder Geräte, besonders ausgebildet für die Herstellung oder Behandlung von Halbleiter- oder Festkörperbauelementen oder Teilen davon
02
Herstellung oder Behandlung von Halbleiterbauelementen oder Teilen davon
04
Bauelemente mit mindestens einer Potenzialsprung-Sperrschicht oder Oberflächensperrschicht, z.B. PN-Übergang, Verarmungsschicht, Anreicherungsschicht
18
Bauelemente mit Halbleiterkörpern aus Elementen der Gruppe IV des Periodensystems oder AIIIBV-Verbindungen mit oder ohne Fremdstoffe, z.B. Dotierungsmaterialien
30
Behandlung von Halbleiterkörpern unter Verwendung von Verfahren oder Vorrichtungen, soweit nicht von H01L21/20-H01L21/26152
31
zur Bildung isolierender Schichten auf Halbleiterkörpern, z.B. für Maskierungszwecke oder bei Verwendung fotolithografischer Techniken; Nachbehandlung dieser Schichten; Auswahl von Materalien für diese Schichten
H Elektrotechnik
01
Grundlegende elektrische Bauteile
L
Halbleiterbauelemente; elektrische Festkörperbauelemente, soweit nicht anderweitig vorgesehen
21
Verfahren oder Geräte, besonders ausgebildet für die Herstellung oder Behandlung von Halbleiter- oder Festkörperbauelementen oder Teilen davon
02
Herstellung oder Behandlung von Halbleiterbauelementen oder Teilen davon
04
Bauelemente mit mindestens einer Potenzialsprung-Sperrschicht oder Oberflächensperrschicht, z.B. PN-Übergang, Verarmungsschicht, Anreicherungsschicht
18
Bauelemente mit Halbleiterkörpern aus Elementen der Gruppe IV des Periodensystems oder AIIIBV-Verbindungen mit oder ohne Fremdstoffe, z.B. Dotierungsmaterialien
30
Behandlung von Halbleiterkörpern unter Verwendung von Verfahren oder Vorrichtungen, soweit nicht von H01L21/20-H01L21/26152
31
zur Bildung isolierender Schichten auf Halbleiterkörpern, z.B. für Maskierungszwecke oder bei Verwendung fotolithografischer Techniken; Nachbehandlung dieser Schichten; Auswahl von Materalien für diese Schichten
314
Anorganische Schichten
318
zusammengesetzt aus Nitriden
Anmelder:
株式会社KOKUSAI ELECTRIC KOKUSAI ELECTRIC CORPORATION [JP/JP]; 東京都千代田区神田鍛冶町三丁目4番地 3-4, Kandakaji-cho, Chiyoda-ku, TOKYO 1010045, JP
Erfinder:
佐野 敦 SANO Atsushi; JP
中谷 公彦 NAKATANI Kimihiko; JP
松岡 樹 MATSUOKA Tatsuru; JP
亀田 賢治 KAMEDA Kenji; JP
島本 聡 SHIMAMOTO Satoshi; JP
Vertreter:
福岡 昌浩 FUKUOKA Masahiro; JP
阿仁屋 節雄 ANIYA Setuo; JP
Prioritätsdaten:
2017-13709913.07.2017JP
Titel (EN) SEMICONDUCTOR DEVICE PRODUCTION METHOD, SUBSTRATE PROCESSING DEVICE, AND PROGRAM
(FR) PROCÉDÉ DE FABRICATION DE DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR, DISPOSITIF DE TRAITEMENT DE SUBSTRAT, ET PROGRAMME
(JA) 半導体装置の製造方法、基板処理装置およびプログラム
Zusammenfassung:
(EN) In this invention, a film containing silicon, oxygen, carbon, and nitrogen is formed on a substrate by performing the following cycle of steps a predetermined number of times: the step of forming a first layer containing silicon, carbon, and nitrogen by performing a predetermined number of times a set of steps including the step of supplying a first raw material containing at least two Si-N bonds and at least one Si-C bond within one molecule to a substrate and the step of supplying a second raw material containing nitrogen and hydrogen to the substrate; and the step of forming a second layer by supplying an oxidant to the substrate to oxidize the first layer.
(FR) Selon la présente invention, un film contenant du silicium, de l'oxygène, du carbone et de l'azote est formé sur un substrat en effectuant le cycle suivant d'étapes un nombre prédéterminé de fois : l'étape de formation d'une première couche contenant du silicium, du carbone et de l'azote en effectuant un nombre prédéterminé de fois un ensemble d'étapes comprenant l'étape consistant à fournir une première matière première contenant au moins deux liaisons Si-N et au moins une liaison Si-C à l'intérieur d'une molécule à un substrat et l'étape consistant à fournir une seconde matière première contenant de l'azote et de l'hydrogène au substrat ; et l'étape de formation d'une seconde couche par fourniture d'un oxydant au substrat pour oxyder la première couche.
(JA) 基板に対して1分子中に少なくとも2つのSi-N結合と少なくとも1つのSi-C結合とを含む第1原料を供給する工程と、基板に対して窒素および水素を含む第2原料を供給する工程と、を含むセットを所定回数行うことで、シリコン、炭素および窒素を含む第1層を形成する工程と、基板に対して酸化剤を供給することで、第1層を酸化させて第2層を形成する工程と、を含むサイクルを所定回数行うことで、基板上に、シリコン、酸素、炭素および窒素を含む膜を形成する。
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Designierte Staaten: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
African Regional Intellectual Property Organization (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasische Patentorganisation (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Europäisches Patentamt (EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Veröffentlichungssprache: Japanisch (JA)
Anmeldesprache: Japanisch (JA)