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1. (WO2019011507) VERFAHREN ZUM KONTROLLIERTEN ABTRAGEN EINER SCHUTZSCHICHT VON EINER OBERFLÄCHE EINES BAUTEILS
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Veröff.-Nr.: WO/2019/011507 Internationale Anmeldenummer PCT/EP2018/062384
Veröffentlichungsdatum: 17.01.2019 Internationales Anmeldedatum: 14.05.2018
IPC:
C23C 16/02 (2006.01) ,C23C 16/44 (2006.01) ,H01J 37/32 (2006.01)
C Chemie; Hüttenwesen
23
Beschichten metallischer Werkstoffe; Beschichten von Werkstoffen mit metallischen Stoffen; Chemische Oberflächenbehandlung; Diffusionsbehandlung von metallischen Werkstoffen; Beschichten allgemein durch Vakuumbedampfen, Aufstäuben, Ionenimplantation oder chemisches Abscheiden aus der Dampfphase; Inhibieren von Korrosion metallischer Werkstoffe oder von Verkrustung allgemein
C
Beschichten metallischer Werkstoffe; Beschichten von Werkstoffen mit metallischen Stoffen; Oberflächenbehandlung metallischer Werkstoffe durch Diffusion in die Oberfläche, durch chemische Umwandlung oder Substitution; Beschichten allgemein durch Vakuumbedampfen, durch Aufstäuben, durch Ionenimplantation oder durch chemisches Abscheiden aus der Dampfphase
16
Chemisches Beschichten durch Zersetzen gasförmiger Verbindungen ohne Verbleiben von Reaktionsprodukten des Oberflächenmaterials im Überzug, d.h. Verfahren zur chemischen Abscheidung aus der Dampfphase [chemical vapour deposition = CVD]
02
Vorbehandlung des zu beschichtenden Werkstoffs
C Chemie; Hüttenwesen
23
Beschichten metallischer Werkstoffe; Beschichten von Werkstoffen mit metallischen Stoffen; Chemische Oberflächenbehandlung; Diffusionsbehandlung von metallischen Werkstoffen; Beschichten allgemein durch Vakuumbedampfen, Aufstäuben, Ionenimplantation oder chemisches Abscheiden aus der Dampfphase; Inhibieren von Korrosion metallischer Werkstoffe oder von Verkrustung allgemein
C
Beschichten metallischer Werkstoffe; Beschichten von Werkstoffen mit metallischen Stoffen; Oberflächenbehandlung metallischer Werkstoffe durch Diffusion in die Oberfläche, durch chemische Umwandlung oder Substitution; Beschichten allgemein durch Vakuumbedampfen, durch Aufstäuben, durch Ionenimplantation oder durch chemisches Abscheiden aus der Dampfphase
16
Chemisches Beschichten durch Zersetzen gasförmiger Verbindungen ohne Verbleiben von Reaktionsprodukten des Oberflächenmaterials im Überzug, d.h. Verfahren zur chemischen Abscheidung aus der Dampfphase [chemical vapour deposition = CVD]
44
gekennzeichnet durch das Beschichtungsverfahren
H Elektrotechnik
01
Grundlegende elektrische Bauteile
J
Elektrische Entladungsröhren oder Entladungslampen
37
Entladungsröhren mit Vorkehrung zum Einführen von Gegenständen oder Werkstoffen, die der Entladung ausgesetzt werden sollen, z.B. zur Prüfung oder Bearbeitung derselben
32
Gasgefüllte Entladungsröhren
Anmelder:
INFICON GMBH [CH/CH]; Hintergasse 15B 7310 Bad Ragaz, CH
Erfinder:
ANDREAUS, Bernhard; CH
CHRISTOFFEL, Claudio; CH
SPRING, Philip; CH
Vertreter:
TROESCH SCHEIDEGGER WERNER AG; Peter D. Rigling Schwäntenmos 14 8126 Zumikon, CH
Prioritätsdaten:
17181544.214.07.2017EP
Titel (EN) METHOD FOR THE CONTROLLED REMOVAL OF A PROTECTIVE LAYER FROM A SURFACE OF A COMPONENT
(FR) PROCÉDÉ POUR ENLEVER DE MANIÈRE CONTRÔLÉE UNE COUCHE DE PROTECTION D'UNE SURFACE D'UNE PIÈCE
(DE) VERFAHREN ZUM KONTROLLIERTEN ABTRAGEN EINER SCHUTZSCHICHT VON EINER OBERFLÄCHE EINES BAUTEILS
Zusammenfassung:
(EN) A method (14) for the controlled removal of a protective layer (3) from a surface of a component (10), the component comprising: - a main body (1); - an intermediate layer (2) which at least partially covers the main body; and - said protective layer (3), which comprises an amorphous solid, in particular an amorphous non-metal, in particular an amorphous ceramic, at least partially covers the intermediate layer; wherein the method comprises the following steps: - bringing (11) the protective layer (3) into contact with an etching or dissolving medium (4); and - removing (12) the protective layer (3) under the action of the etching or dissolving medium (4) until the intermediate layer (2) is exposed; and wherein the etching or dissolving medium effects a first etching or dissolving rate on the protective layer and a second etching or dissolving rate on the intermediate layer, and wherein the first etching or dissolving rate is greater than the second etching or dissolving rate. The invention also relates to a method for replacing an old protective layer on a component, a method for operating a thin film process installation, a component for use in a thin film process installation, and a method for producing the component.
(FR) L'invention concerne un procédé (14) permettant d'enlever de manière contrôlée une couche de protection (3) d'une surface d'une pièce (10), ladite pièce comprenant : un corps de base (1), une couche intermédiaire (2) qui recouvre au moins en partie le corps de base, et ladite couche de protection (3), laquelle comprend un solide amorphe, en particulier un non-métal amorphe, en particulier de la céramique amorphe, recouvre au moins en partie la couche intermédiaire. Ledit procédé comprend les étapes suivantes : mettre en contact (11) la couche de protection (3) avec un milieu d'attaque ou solvant (4), et enlever (12) la couche de protection (3) sous l'effet du milieu d'attaque ou solvant (4) jusqu'à ce que la couche intermédiaire (2) se trouve dégagée, et le milieu d'attaque ou solvant provoquant une première vitesse d'attaque ou de dissolution de la couche de protection et ladite première vitesse d'attaque ou de dissolution étant supérieure à la seconde vitesse d'attaque ou de dissolution. L'invention concerne en outre un procédé permettant de remplacer une couche de protection ancienne sur la pièce, un procédé pour faire fonctionner une installation de traitement de couche mince, une pièce à utiliser dans une installation de traitement de couche mince et un procédé de fabrication pour la pièce.
(DE) Verfahren (14) zum kontrollierten Abtragen einer Schutzschicht (3) von einer Oberfläche eines Bauteils (10), wobei das Bauteil umfasst: - einen Grundkörper (1); - eine Zwischenschicht (2), welche den Grundkörper zumindest teilweise überdeckt; und - die besagte Schutzschicht (3), welche einen amorphen Festkörper, insbesondere ein amorphes Nichtmetall, insbesondere amorphe Keramik, umfasst und die Zwischenschicht zumindest teilweise überdeckt; wobei das Verfahren folgende Schritte umfasst: - in Kontakt Bringen (11) der Schutzschicht (3) mit einem Ätz- oder Lösemedium (4); und - Abtragen (12) der Schutzschicht (3) unter Einwirkung des Ätz- oder Lösemediums (4) bis die Zwischenschicht (2) freigelegt ist; und wobei das Ätz- oder Lösemedium eine erste Ätz- oder Lösegeschwindigkeit der Schutzschicht und eine zweite Ätz- oder Lösegeschwindigkeit der Zwischenschicht bewirkt und wobei die erste Ätz- oder Lösegeschwindigkeit grösser ist als die zweite Ätz- oder Lösegeschwindigkeit. Die Erfindung betrifft weiter ein Verfahren zum Austauschen einer alten Schutzschicht auf einem Bauteil, ein Verfahren zum Betrieb einer Dünnschicht-Prozessanlage, ein Bauteil zur Verwendung in einer Dünnschicht-Prozessanlage und ein Herstellungsverfahren für das Bauteil.
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Designierte Staaten: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
African Regional Intellectual Property Organization (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasische Patentorganisation (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Europäisches Patentamt (EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Veröffentlichungssprache: Deutsch (DE)
Anmeldesprache: Deutsch (DE)