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1. (WO2019009092) PLASMA TREATMENT METHOD AND PLASMA TREATMENT DEVICE
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Veröff.-Nr.: WO/2019/009092 Internationale Anmeldenummer PCT/JP2018/023662
Veröffentlichungsdatum: 10.01.2019 Internationales Anmeldedatum: 21.06.2018
IPC:
H01L 21/31 (2006.01) ,C23C 16/52 (2006.01) ,H01L 21/3065 (2006.01) ,H05H 1/46 (2006.01)
H Elektrotechnik
01
Grundlegende elektrische Bauteile
L
Halbleiterbauelemente; elektrische Festkörperbauelemente, soweit nicht anderweitig vorgesehen
21
Verfahren oder Geräte, besonders ausgebildet für die Herstellung oder Behandlung von Halbleiter- oder Festkörperbauelementen oder Teilen davon
02
Herstellung oder Behandlung von Halbleiterbauelementen oder Teilen davon
04
Bauelemente mit mindestens einer Potenzialsprung-Sperrschicht oder Oberflächensperrschicht, z.B. PN-Übergang, Verarmungsschicht, Anreicherungsschicht
18
Bauelemente mit Halbleiterkörpern aus Elementen der Gruppe IV des Periodensystems oder AIIIBV-Verbindungen mit oder ohne Fremdstoffe, z.B. Dotierungsmaterialien
30
Behandlung von Halbleiterkörpern unter Verwendung von Verfahren oder Vorrichtungen, soweit nicht von H01L21/20-H01L21/26152
31
zur Bildung isolierender Schichten auf Halbleiterkörpern, z.B. für Maskierungszwecke oder bei Verwendung fotolithografischer Techniken; Nachbehandlung dieser Schichten; Auswahl von Materalien für diese Schichten
C Chemie; Hüttenwesen
23
Beschichten metallischer Werkstoffe; Beschichten von Werkstoffen mit metallischen Stoffen; Chemische Oberflächenbehandlung; Diffusionsbehandlung von metallischen Werkstoffen; Beschichten allgemein durch Vakuumbedampfen, Aufstäuben, Ionenimplantation oder chemisches Abscheiden aus der Dampfphase; Inhibieren von Korrosion metallischer Werkstoffe oder von Verkrustung allgemein
C
Beschichten metallischer Werkstoffe; Beschichten von Werkstoffen mit metallischen Stoffen; Oberflächenbehandlung metallischer Werkstoffe durch Diffusion in die Oberfläche, durch chemische Umwandlung oder Substitution; Beschichten allgemein durch Vakuumbedampfen, durch Aufstäuben, durch Ionenimplantation oder durch chemisches Abscheiden aus der Dampfphase
16
Chemisches Beschichten durch Zersetzen gasförmiger Verbindungen ohne Verbleiben von Reaktionsprodukten des Oberflächenmaterials im Überzug, d.h. Verfahren zur chemischen Abscheidung aus der Dampfphase [chemical vapour deposition = CVD]
44
gekennzeichnet durch das Beschichtungsverfahren
52
Steuern oder Regeln des Beschichtungsvorgangs
H Elektrotechnik
01
Grundlegende elektrische Bauteile
L
Halbleiterbauelemente; elektrische Festkörperbauelemente, soweit nicht anderweitig vorgesehen
21
Verfahren oder Geräte, besonders ausgebildet für die Herstellung oder Behandlung von Halbleiter- oder Festkörperbauelementen oder Teilen davon
02
Herstellung oder Behandlung von Halbleiterbauelementen oder Teilen davon
04
Bauelemente mit mindestens einer Potenzialsprung-Sperrschicht oder Oberflächensperrschicht, z.B. PN-Übergang, Verarmungsschicht, Anreicherungsschicht
18
Bauelemente mit Halbleiterkörpern aus Elementen der Gruppe IV des Periodensystems oder AIIIBV-Verbindungen mit oder ohne Fremdstoffe, z.B. Dotierungsmaterialien
30
Behandlung von Halbleiterkörpern unter Verwendung von Verfahren oder Vorrichtungen, soweit nicht von H01L21/20-H01L21/26152
302
zur Änderung der physikalischen Oberflächenbeschaffenheit oder zur Änderung der Form, z.B. Ätzen, Polieren, Sägen, Schneiden
306
Chemische oder elektrische Behandlung, z.B. elektrolytisches Ätzen
3065
Plasmaätzen; Reaktives Ionenätzen
H Elektrotechnik
05
Elektrotechnik, soweit nicht anderweitig vorgesehen
H
Plasmatechnik; Erzeugung von beschleunigten elektrisch geladenen Teilchen oder von Neutronen; Erzeugung oder Beschleunigung von neutralen Molekular- oder Atomstrahlen
1
Erzeugen von Plasma; Handhaben von Plasma
24
Erzeugen von Plasma
46
unter Verwendung angelegter elektromagnetischer Felder, z.B. Hochfrequenz- oder Mikrowellenenergie
Anmelder:
株式会社アルバック ULVAC, INC. [JP/JP]; 神奈川県茅ヶ崎市萩園2500番地 2500 Hagisono, Chigasaki-shi, Kanagawa 2538543, JP
Erfinder:
菊池 亨 KIKUCHI, Toru; JP
神保 洋介 JINBO, Yosuke; JP
茶谷 宏紀 CHATANI, Hironori; JP
西方 靖 NISHIKATA, Osamu; JP
亀崎 厚治 KAMESAKI, Kouji; JP
Vertreter:
大森 純一 OMORI, Junichi; JP
Prioritätsdaten:
2017-13185005.07.2017JP
Titel (EN) PLASMA TREATMENT METHOD AND PLASMA TREATMENT DEVICE
(FR) PROCÉDÉ DE TRAITEMENT PAR PLASMA ET DISPOSITIF DE TRAITEMENT PAR PLASMA
(JA) プラズマ処理方法及びプラズマ処理装置
Zusammenfassung:
(EN) [Problem] The present invention addresses the problem of improving productivity. [Solution] The plasma treatment according to the present invention includes heating a substrate supporting table to a first temperature, said substrate supporting table being disposed in a vacuum container. Under first discharge conditions, first plasma is generated between the substrate supporting table and a shower plate facing the substrate supporting table, and the shower plate is heated due to the first plasma and heat of the substrate supporting table. The temperature of the shower plate is monitored in a non-contact manner. After the temperature of the shower plate reaches a second temperature that is higher than the temperature heated by the heat of the substrate supporting table, a process gas is jetted toward the substrate supporting table from the shower plate, and under second discharge conditions, second plasma is generated between the substrate supporting table and the shower plate, thereby treating, using the second plasma, the substrate supported by the substrate supporting table.
(FR) La présente invention aborde le problème d'amélioration de la productivité. La solution selon la présente invention consiste en un traitement par plasma qui consiste à chauffer une table de support de substrat à une première température, ladite table de support de substrat étant disposée dans un récipient sous vide. Dans de premières conditions de décharge, un premier plasma est généré entre la table de support de substrat et une de plaque d'aspersion faisant face à la table de support de substrat, et la plaque d'aspersion est chauffée par le premier plasma et la chaleur de la table de support de substrat. La température de la plaque d'aspersion est contrôlée de manière sans contact. Après que la température de la plaque d'aspersion atteint une deuxième température qui est supérieure à la température chauffée par la chaleur de la table de support de substrat, un gaz de traitement est éjecté vers la table de support de substrat depuis la plaque d'aspersion, et dans de deuxièmes conditions de décharge, un deuxième plasma est généré entre la table de support de substrat et la plaque d'aspersion, traitant ainsi, au moyen du deuxième plasma, le substrat supporté par la table de support de substrat.
(JA) 【課題】生産性の向上。 【解決手段】プラズマ処理は、真空容器内に配置された基板支持台を第1温度に加熱することを含む。上記基板支持台と上記基板支持台に対向するシャワープレートとの間に第1放電条件による第1プラズマを発生させて、上記基板支持台が有する熱と上記第1プラズマによって上記シャワープレートが加熱される。上記シャワープレートの温度は、非接触でモニタリングされる。上記シャワープレートの温度が前記基板支持台の熱によって加熱される温度よりも高い第2温度に達した後、上記シャワープレートから上記基板支持台に向けてプロセスガスを噴射し、上記基板支持台と上記シャワープレートとの間に第2放電条件による第2プラズマを発生させて、上記第2プラズマにより、上記基板支持台に支持された基板が処理される。
front page image
Designierte Staaten: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
African Regional Intellectual Property Organization (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasische Patentorganisation (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Europäisches Patentamt (EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Veröffentlichungssprache: Japanisch (JA)
Anmeldesprache: Japanisch (JA)