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1. (WO2019008889) SUBSTRATE MOUNTING STAND FOR HEATING SEMICONDUCTOR SUBSTRATE
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Veröff.-Nr.: WO/2019/008889 Internationale Anmeldenummer PCT/JP2018/017685
Veröffentlichungsdatum: 10.01.2019 Internationales Anmeldedatum: 08.05.2018
IPC:
H01L 21/205 (2006.01) ,C23C 14/50 (2006.01) ,C23C 16/46 (2006.01) ,H01L 21/3065 (2006.01) ,H01L 21/683 (2006.01) ,H05B 3/10 (2006.01) ,H05B 3/20 (2006.01)
H Elektrotechnik
01
Grundlegende elektrische Bauteile
L
Halbleiterbauelemente; elektrische Festkörperbauelemente, soweit nicht anderweitig vorgesehen
21
Verfahren oder Geräte, besonders ausgebildet für die Herstellung oder Behandlung von Halbleiter- oder Festkörperbauelementen oder Teilen davon
02
Herstellung oder Behandlung von Halbleiterbauelementen oder Teilen davon
04
Bauelemente mit mindestens einer Potenzialsprung-Sperrschicht oder Oberflächensperrschicht, z.B. PN-Übergang, Verarmungsschicht, Anreicherungsschicht
18
Bauelemente mit Halbleiterkörpern aus Elementen der Gruppe IV des Periodensystems oder AIIIBV-Verbindungen mit oder ohne Fremdstoffe, z.B. Dotierungsmaterialien
20
Ablagerung von Halbleitermaterialien auf einem Substrat, z.B. epitaxiales Aufwachsen
205
durch Reduktion oder Zerlegung einer gasförmigen Verbindung, die ein festes Kondensat ergibt, d.h. chemische Ablagerung
C Chemie; Hüttenwesen
23
Beschichten metallischer Werkstoffe; Beschichten von Werkstoffen mit metallischen Stoffen; Chemische Oberflächenbehandlung; Diffusionsbehandlung von metallischen Werkstoffen; Beschichten allgemein durch Vakuumbedampfen, Aufstäuben, Ionenimplantation oder chemisches Abscheiden aus der Dampfphase; Inhibieren von Korrosion metallischer Werkstoffe oder von Verkrustung allgemein
C
Beschichten metallischer Werkstoffe; Beschichten von Werkstoffen mit metallischen Stoffen; Oberflächenbehandlung metallischer Werkstoffe durch Diffusion in die Oberfläche, durch chemische Umwandlung oder Substitution; Beschichten allgemein durch Vakuumbedampfen, durch Aufstäuben, durch Ionenimplantation oder durch chemisches Abscheiden aus der Dampfphase
14
Beschichten durch Vakuumbedampfen, durch Aufstäuben oder durch Ionenimplantation des Beschichtungsmaterials
22
gekennzeichnet durch das Beschichtungsverfahren
50
Substrathalter
C Chemie; Hüttenwesen
23
Beschichten metallischer Werkstoffe; Beschichten von Werkstoffen mit metallischen Stoffen; Chemische Oberflächenbehandlung; Diffusionsbehandlung von metallischen Werkstoffen; Beschichten allgemein durch Vakuumbedampfen, Aufstäuben, Ionenimplantation oder chemisches Abscheiden aus der Dampfphase; Inhibieren von Korrosion metallischer Werkstoffe oder von Verkrustung allgemein
C
Beschichten metallischer Werkstoffe; Beschichten von Werkstoffen mit metallischen Stoffen; Oberflächenbehandlung metallischer Werkstoffe durch Diffusion in die Oberfläche, durch chemische Umwandlung oder Substitution; Beschichten allgemein durch Vakuumbedampfen, durch Aufstäuben, durch Ionenimplantation oder durch chemisches Abscheiden aus der Dampfphase
16
Chemisches Beschichten durch Zersetzen gasförmiger Verbindungen ohne Verbleiben von Reaktionsprodukten des Oberflächenmaterials im Überzug, d.h. Verfahren zur chemischen Abscheidung aus der Dampfphase [chemical vapour deposition = CVD]
44
gekennzeichnet durch das Beschichtungsverfahren
46
gekennzeichnet durch das Verfahren zum Erhitzen des Substrats
H Elektrotechnik
01
Grundlegende elektrische Bauteile
L
Halbleiterbauelemente; elektrische Festkörperbauelemente, soweit nicht anderweitig vorgesehen
21
Verfahren oder Geräte, besonders ausgebildet für die Herstellung oder Behandlung von Halbleiter- oder Festkörperbauelementen oder Teilen davon
02
Herstellung oder Behandlung von Halbleiterbauelementen oder Teilen davon
04
Bauelemente mit mindestens einer Potenzialsprung-Sperrschicht oder Oberflächensperrschicht, z.B. PN-Übergang, Verarmungsschicht, Anreicherungsschicht
18
Bauelemente mit Halbleiterkörpern aus Elementen der Gruppe IV des Periodensystems oder AIIIBV-Verbindungen mit oder ohne Fremdstoffe, z.B. Dotierungsmaterialien
30
Behandlung von Halbleiterkörpern unter Verwendung von Verfahren oder Vorrichtungen, soweit nicht von H01L21/20-H01L21/26152
302
zur Änderung der physikalischen Oberflächenbeschaffenheit oder zur Änderung der Form, z.B. Ätzen, Polieren, Sägen, Schneiden
306
Chemische oder elektrische Behandlung, z.B. elektrolytisches Ätzen
3065
Plasmaätzen; Reaktives Ionenätzen
H Elektrotechnik
01
Grundlegende elektrische Bauteile
L
Halbleiterbauelemente; elektrische Festkörperbauelemente, soweit nicht anderweitig vorgesehen
21
Verfahren oder Geräte, besonders ausgebildet für die Herstellung oder Behandlung von Halbleiter- oder Festkörperbauelementen oder Teilen davon
67
Vorrichtungen, besonders ausgebildet zur Handhabung von Halbleiterbauelementen oder elektrischen Festkörperbauelementen während ihrer Herstellung oder Behandlung; Vorrichtungen, besonders ausgebildet zur Handhabung von Wafern während der Herstellung oder Behandlung von Halbleiterbauelementen, elektrischen Festkörperbauelementen oder einzelnen Schaltungselementen
683
zum Aufnehmen oder Greifen
H Elektrotechnik
05
Elektrotechnik, soweit nicht anderweitig vorgesehen
B
Elektrische Heizung; elektrische Beleuchtung, soweit nicht anderweitig vorgesehen
3
Widerstandsheizung
10
Heizelemente, gekennzeichnet durch die Zusammensetzung oder durch die Art der Werkstoffe bzw. durch die Anordnung des Leiters (Werkstoffzusammensetzungen an sich, siehe die entsprechenden Unterklassen)
H Elektrotechnik
05
Elektrotechnik, soweit nicht anderweitig vorgesehen
B
Elektrische Heizung; elektrische Beleuchtung, soweit nicht anderweitig vorgesehen
3
Widerstandsheizung
20
Heizelemente mit einer hauptsächlich in einer zweidimensionalen Ebene verlaufenden Oberflächenzone, z.B. Plattenwärmer
Anmelder:
住友電気工業株式会社 SUMITOMO ELECTRIC INDUSTRIES, LTD. [JP/JP]; 大阪府大阪市中央区北浜四丁目5番33号 5-33, Kitahama 4-chome, Chuo-ku, Osaka-shi, Osaka 5410041, JP
Erfinder:
新間 健司 SHINMA Kenji; JP
西本 悦弘 NISHIMOTO Yoshihiro; JP
先田 成伸 SAKITA Shigenobu; JP
三雲 晃 MIKUMO Akira; JP
Vertreter:
中田 元己 NAKATA Motomi; JP
森田 剛史 MORITA Takeshi; JP
高城 政浩 TAKAGI Masahiro; JP
緒方 大介 OGATA Daisuke; JP
Prioritätsdaten:
2017-13349607.07.2017JP
Titel (EN) SUBSTRATE MOUNTING STAND FOR HEATING SEMICONDUCTOR SUBSTRATE
(FR) SOCLE DE MONTAGE DE SUBSTRAT SERVANT À CHAUFFER UN SUBSTRAT SEMI-CONDUCTEUR
(JA) 半導体基板加熱用の基板載置台
Zusammenfassung:
(EN) This substrate mounting stand for heating a semiconductor substrate comprises: a ceramic disc-shaped part that has a mounting surface on the upper surface thereof, said mounting surface being configured such that a semiconductor substrate can be mounted thereto; and a plurality of heating circuits that are respectively embedded in the disc-shaped part so as to extend parallel to the mounting surface within a plurality of regions delineated by partitioning the disc-shaped part into concentric circles when viewed from the mounting surface side. Among the plurality of heating circuits, an inner heating circuit is positioned closer to the mounting surface than an outer heating circuit is.
(FR) La présente invention concerne un socle de montage de substrat servant à chauffer un substrat semi-conducteur, comprenant : un élément discoïde en céramique qui présente une surface de montage sur sa surface supérieure, ladite surface de montage étant structurée de telle sorte que le substrat semi-conducteur est monté sur cette dernière ; et une pluralité de circuits de chauffage qui sont respectivement intégrés dans l'élément discoïde en céramique de façon à s'étendre parallèlement à la surface de montage dans plusieurs régions, lesdites régions étant délimitées par division en cercles concentriques de l'élément discoïde en céramique lorsqu'il est vu depuis un côté de surface de montage. Dans la pluralité de circuits de chauffage, un circuit de chauffage intérieur est placé à un emplacement qui est plus proche de la surface de montage qu'un circuit de chauffage extérieur.
(JA) 半導体基板加熱用の基板載置台は、上面に半導体基板を載置するように構成された載置面を有するセラミックス製の円板形状部と、載置面側から見て、同心円状に区分することで画定される複数の領域内に載置面に対して平行に延在するように円板形状部にそれぞれ埋設された複数の発熱回路と、を備える。複数の発熱回路のうち外側の発熱回路よりも内側の発熱回路の方が載置面に近い位置に配置されている。
front page image
Designierte Staaten: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
African Regional Intellectual Property Organization (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasische Patentorganisation (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Europäisches Patentamt (EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Veröffentlichungssprache: Japanisch (JA)
Anmeldesprache: Japanisch (JA)