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1. (WO2019007373) SEMICONDUCTOR STORAGE DEVICE AND METHOD FOR FORMING A PROFILE OF A CAPACITOR THEREOF
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Veröff.-Nr.: WO/2019/007373 Internationale Anmeldenummer PCT/CN2018/094525
Veröffentlichungsdatum: 10.01.2019 Internationales Anmeldedatum: 04.07.2018
IPC:
H01L 23/64 (2006.01) ,H01L 27/108 (2006.01)
H Elektrotechnik
01
Grundlegende elektrische Bauteile
L
Halbleiterbauelemente; elektrische Festkörperbauelemente, soweit nicht anderweitig vorgesehen
23
Einzelheiten von Halbleiter- oder anderen Festkörperbauelementen
58
Strukturen von elektrischen Anordnungen für Halbleiterbauelemente, soweit nicht anderweitig vorgesehen
64
Impedanz-Anpassung
H Elektrotechnik
01
Grundlegende elektrische Bauteile
L
Halbleiterbauelemente; elektrische Festkörperbauelemente, soweit nicht anderweitig vorgesehen
27
Bauelemente, die aus einer Mehrzahl von in oder auf einem gemeinsamen Substrat ausgebildeten Halbleiter- oder anderen Festkörperschaltungselementen bestehen [integrierte Schaltungen]
02
mit Halbleiterschaltungselementen, besonders ausgebildet zum Gleichrichten, Verstärken, Schalten oder zur Schwingungserzeugung mit wenigstens einer Potenzialsprung-Sperrschicht oder Oberflächensperrschicht; mit integrierten passiven Schaltungselementen mit wenigstens einer Potenzialsprung-Sperrschicht oder Oberflächensperrschicht
04
wobei das Substrat aus einem Halbleiterkörper besteht
10
mit einer Mehrzahl einzelner Schaltungselemente in sich wiederholender Konfiguration
105
mit Feldeffekt- Schaltungselementen
108
Strukturen für dynamische RAM-Speicher
Anmelder:
CHANGXIN MEMORY TECHNOLOGIES, INC. [CN/CN]; Room 630, Haiheng Building, No. 6, Cuiwei Road, Economic and Technological Development Zone, Hefei, Anhui 230000, CN
Erfinder:
ZHU, Rongfu; CN
Vertreter:
METIS IP (CHENGDU) LLC; (No. 846 South Tianfu Road) Tianfu Innovation Center Chengdu, Sichuan 610213, CN
Prioritätsdaten:
201710539203.104.07.2017CN
Titel (EN) SEMICONDUCTOR STORAGE DEVICE AND METHOD FOR FORMING A PROFILE OF A CAPACITOR THEREOF
(FR) DISPOSITIF DE MÉMORISATION À SEMI-CONDUCTEURS ET PROCÉDÉ DE FORMATION D'UN PROFIL DE SON CONDENSATEUR
Zusammenfassung:
(EN) The present disclosure provide a method for forming a capacitor profile on a semiconductor. The method may include: providing a semiconductor substrate; forming a dielectric layer on the semiconductor substrate; forming an ion reflecting mask layer on the dielectric layer; forming a plurality of patterned openings by etching through the ion reflecting mask layer to expose the dielectric layer; and forming a plurality of trenching capacitor profiles by etching through the dielectric layer from the plurality of patterned openings, respectively, to expose the semiconductor substrate, wherein each trenching capacitor profile includes a bowing profile formed at 75%-95% of a height of the trenching capacitor profile above the semiconductor substrate.
(FR) La présente invention concerne un procédé de formation d'un profil de condensateur sur un semi-conducteur. Le procédé peut consister à : utiliser un substrat semi-conducteur ; former une couche diélectrique sur le substrat semi-conducteur ; former une couche de masque de réflexion d'ions sur la couche diélectrique ; former une pluralité d'ouvertures ayant fait l'objet d'une formation de motifs par gravure à travers la couche de masque de réflexion d'ions de façon à exposer la couche diélectrique ; et former une pluralité de profils de condensateur de tranchée par gravure à travers la couche diélectrique en partant respectivement de la pluralité d'ouvertures ayant fait l'objet d'une formation de motifs, pour exposer le substrat semi-conducteur, chaque profil de condensateur de tranchée comprenant un profil arqué formé à 75 % à 95 % d'une hauteur du profil de condensateur de tranchée au-dessus du substrat semi-conducteur.
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Designierte Staaten: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
African Regional Intellectual Property Organization (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasische Patentorganisation (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Europäisches Patentamt (EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Veröffentlichungssprache: Englisch (EN)
Anmeldesprache: Englisch (EN)