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1. (WO2019005230) WORDLINE READ VOLTAGE OFFSETS IN SOLID STATE MEMORY DEVICES
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Veröff.-Nr.: WO/2019/005230 Internationale Anmeldenummer PCT/US2018/022502
Veröffentlichungsdatum: 03.01.2019 Internationales Anmeldedatum: 14.03.2018
IPC:
G11C 11/56 (2006.01) ,G06N 3/02 (2006.01) ,G11C 16/26 (2006.01) ,G11C 29/02 (2006.01) ,G06F 3/06 (2006.01) ,G11C 16/04 (2006.01) ,G11C 29/50 (2006.01)
G Physik
11
Informationsspeicherung
C
Statische Speicher
11
Digitale Speicher, gekennzeichnet durch die Verwendung besonderer elektrischer oder magnetischer Speicherelemente; Speicherelemente hierfür
56
mit Speicherelementen mit mehr als zwei stabilen Zuständen, die durch Stufen, z.B. von Spannung, Strom, Phase, Frequenz repräsentiert sind
G Physik
06
Datenverarbeitung; Rechnen; Zählen
N
Rechnersysteme, basierend auf spezifischen Rechenmodellen
3
Rechnersysteme, basierend auf biologischen Modellen
02
unter Verwendung neuronaler Netzwerkmodelle
G Physik
11
Informationsspeicherung
C
Statische Speicher
16
Löschbare, programmierbare Festwertspeicher
02
elektrisch programmierbar
06
Hilfsschaltungen, z.B. für Schreiben in den Speicher
26
Abtast- oder Leseschaltungen; Datenausgabeschaltungen
G Physik
11
Informationsspeicherung
C
Statische Speicher
29
Prüfen von Speichern auf richtige Arbeitsweise; Testen von Speichern während des Standby- oder Offline-Betriebs
02
Ermitteln oder Lokalisieren defekter Hilfsschaltungen, z.B. defekter Refresh- Zähler
G Physik
06
Datenverarbeitung; Rechnen; Zählen
F
Elektrische digitale Datenverarbeitung
3
Eingabeeinrichtungen, in denen digitale Daten in eine von dem Digitalrechner verarbeitbare Form gebracht werden; Ausgabeeinrichtungen, in denen digitale Daten so umgeformt werden, dass sie von dem Ausgabegerät aufgenommen werden können, z.B. Schnittstellenanordnungen
06
Digitale Eingabe mit Aufzeichnungsträgern oder digitale Ausgabe an Aufzeichnungsträger
G Physik
11
Informationsspeicherung
C
Statische Speicher
16
Löschbare, programmierbare Festwertspeicher
02
elektrisch programmierbar
04
unter Verwendung von Transistoren mit variablem Schwellenwert, z.B. FAMOS
G Physik
11
Informationsspeicherung
C
Statische Speicher
29
Prüfen von Speichern auf richtige Arbeitsweise; Testen von Speichern während des Standby- oder Offline-Betriebs
04
Ermitteln oder Lokalisieren defekter Speicherelemente
50
Grenzwertprüfung, z.B. Race, Spannungs- oder Stromprüfung
Anmelder:
WESTERN DIGITAL TECHNOLOGIES, INC. [US/US]; 5601 Great Oaks Parkway San Jose, CA 95119, US
Erfinder:
KIRSHENBAUM, Roi; US
INBAR, Karin; US
GOLDENBERG, Idan; US
YANG, Nian, Niles; US
ROM, Rami; US
BAZARSKY, Alexander; US
NAVON, Ariel; US
REUSSWIG, Philip, David; US
Vertreter:
ALTMAN, Daniel, E.; US
Prioritätsdaten:
15/640,35630.06.2017US
Titel (EN) WORDLINE READ VOLTAGE OFFSETS IN SOLID STATE MEMORY DEVICES
(FR) DÉCALAGES DE TENSION DE LECTURE DE LIGNE DE MOTS DANS DES DISPOSITIFS DE MÉMOIRE À SEMI-CONDUCTEURS
Zusammenfassung:
(EN) Systems and methods are described for generating location-based read voltage offsets in a data storage device. Optimal read voltage thresholds vary across memory elements of a device. However, data storage devices are often limited in the number of read voltage thresholds that can be maintained in the device. Thus, it may not be possible to maintain optimal read voltage parameters for each memory element within a device. The systems and methods described herein provide for increased accuracy of read voltage thresholds when applied to memory elements within a specific location in a device, by enabling the use of location-based read voltage offsets, depending on a relative location of the memory element being read from. The read voltage offsets can be determined based on application of a neural network to data regarding optimal read voltage thresholds determined from at least a sample of memory elements in a device.
(FR) L'invention concerne des systèmes et des procédés permettant de générer un décalage de tension de lecture basé sur l'emplacement dans un dispositif de stockage de données. Des seuils optimaux de tension de lecture varient à travers les éléments de mémoire d'un dispositif. Cependant, les dispositifs de stockage de données sont souvent limités dans le nombre de seuils de tension de lecture qui peuvent être conservés dans le dispositif. Ainsi, il n'est pas possible de maintenir des paramètres de tension de lecture optimaux pour chaque élément de mémoire à l'intérieur d'un dispositif. Les systèmes et les procédés décrits ici fournissent une précision accrue de seuils de tension de lecture lorsqu'ils sont appliqués à des éléments de mémoire à l'intérieur d'un emplacement spécifique dans un dispositif, en permettant l'utilisation de décalages de tension de lecture basés sur l'emplacement, en fonction d'un emplacement relatif de l'élément de mémoire en cours de lecture à partir de. Les décalages de tension de lecture peuvent être déterminés sur la base de l'application d'un réseau neuronal à des données concernant des seuils de tension de lecture optimaux déterminés à partir d'au moins un échantillon d'éléments de mémoire dans un dispositif.
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African Regional Intellectual Property Organization (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasische Patentorganisation (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Europäisches Patentamt (EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Veröffentlichungssprache: Englisch (EN)
Anmeldesprache: Englisch (EN)