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1. (WO2019005220) THREE-DIMENSIONAL MEMORY DEVICE CONTAINING HYDROGEN DIFFUSION BARRIER LAYER FOR CMOS UNDER ARRAY ARCHITECTURE AND METHOD OF MAKING THEREOF
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Veröff.-Nr.: WO/2019/005220 Internationale Anmeldenummer PCT/US2018/020081
Veröffentlichungsdatum: 03.01.2019 Internationales Anmeldedatum: 28.02.2018
IPC:
H01L 27/11565 (2017.01) ,H01L 27/1157 (2017.01) ,H01L 27/11573 (2017.01) ,H01L 27/11575 (2017.01) ,H01L 27/11582 (2017.01)
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Anmelder:
SANDISK TECHNOLOGIES LLC [US/US]; 6900 North Dallas Parkway Suite 325 Plano, Texas 75024, US
Erfinder:
NAKATSUJI, Hiroshi; US
YOSHIZAWA, Kazutaka; US
OGAWA, Hiroyuki; US
Vertreter:
RADOMSKY, Leon; US
COHN, Joanna; US
CONNOR, David; US
GAYOSO, Tony; US
GEMMELL, Elizabeth; US
GILL, Matthew; US
GREGORY, Shaun; US
GUNNELS, Zarema; US
HANSEN, Robert; US
HUANG, Stephen; US
HYAMS, David; US
JOHNSON, Timothy; US
MAZAHERY, Benjamin; US
MURPHY, Timothy; US
NGUYEN, Jacqueline; US
O'BRIEN, Michelle; US
PARK, Byeongju; US
RUTT, Steven; US
SMITH, Jackson R.; US
SIMON, Phyllis; US
SULSKY, Martin; US
Prioritätsdaten:
15/638,67230.06.2017US
Titel (EN) THREE-DIMENSIONAL MEMORY DEVICE CONTAINING HYDROGEN DIFFUSION BARRIER LAYER FOR CMOS UNDER ARRAY ARCHITECTURE AND METHOD OF MAKING THEREOF
(FR) DISPOSITIF DE MÉMOIRE TRIDIMENSIONNEL CONTENANT UNE COUCHE BARRIÈRE DE DIFFUSION D'HYDROGÈNE POUR CMOS SOUS UNE ARCHITECTURE DE RÉSEAU ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
Zusammenfassung:
(EN) A semiconductor structure includes a semiconductor device, a hydrogen diffusion barrier layer, a lower metal line structure located below the hydrogen diffusion barrier layer, an alternating stack of insulating layers and electrically conductive layers, memory stack structures vertically extending through the alternating stack in a memory array region, a through-stack contact via structure extending through the alternating stack and through the hydrogen diffusion barrier layer in the memory array region and contacting the lower metal line structure, and a through-stack insulating spacer laterally surrounding the through-stack contact via structure and extending through the alternating stack but not extending through the hydrogen diffusion barrier layer.
(FR) L'invention concerne une structure semi-conductrice comprenant un dispositif à semi-conducteur, une couche barrière de diffusion d'hydrogène, une structure de ligne métallique inférieure située au-dessous de la couche barrière de diffusion d'hydrogène, un empilement alterné de couches isolantes et de couches électroconductrices, des structures d'empilement de mémoire s'étendant verticalement à travers l'empilement alterné dans une région de matrice de mémoire, une structure de trou d'interconnexion de contact d'empilement traversant s'étendant à travers l'empilement alterné et à travers la couche barrière de diffusion d'hydrogène dans la région de matrice de mémoire et en contact avec la structure de ligne métallique inférieure, et un élément d'espacement isolant d'empilement traversant entourant latéralement la structure de trou d'interconnexion de contact d'empilement traversant et s'étendant à travers l'empilement alterné mais ne s'étendant pas à travers la couche barrière de diffusion d'hydrogène.
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Designierte Staaten: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
African Regional Intellectual Property Organization (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasische Patentorganisation (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Europäisches Patentamt (EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Veröffentlichungssprache: Englisch (EN)
Anmeldesprache: Englisch (EN)