Einige Inhalte dieser Anwendung sind momentan nicht verfügbar.
Wenn diese Situation weiterhin besteht, kontaktieren Sie uns bitte unterFeedback&Kontakt
1. (WO2019005168) PHASE-CHANGE MATERIAL BASED SELECTOR FOR LOW VOLTAGE BIPOLAR MEMORY DEVICES AND THEIR METHODS OF FABRICATION
Aktuellste beim Internationalen Büro vorliegende bibliographische Daten    Einwendung einreichen

Veröff.-Nr.: WO/2019/005168 Internationale Anmeldenummer PCT/US2017/040511
Veröffentlichungsdatum: 03.01.2019 Internationales Anmeldedatum: 30.06.2017
IPC:
H01L 45/00 (2006.01) ,H01L 43/10 (2006.01) ,H01L 43/12 (2006.01)
H Elektrotechnik
01
Grundlegende elektrische Bauteile
L
Halbleiterbauelemente; elektrische Festkörperbauelemente, soweit nicht anderweitig vorgesehen
45
Festkörperbauelemente, besonders ausgebildet zum Gleichrichten, Verstärken, Schalten oder zur Schwingungserzeugung ohne Potenzialsprung-Sperrschicht oder Oberflächensperrschicht, z.B. dielektrische Trioden; Ovshinsky-Effekt-Bauelemente; Verfahren oder Vorrichtungen, besonders ausgebildet für die Herstellung oder Behandlung dieser Bauelemente oder Teilen davon
H Elektrotechnik
01
Grundlegende elektrische Bauteile
L
Halbleiterbauelemente; elektrische Festkörperbauelemente, soweit nicht anderweitig vorgesehen
43
Bauelemente mit galvanomagnetischen oder ähnlichen magnetischen Effekten; Verfahren oder Vorrichtungen, besonders ausgebildet für die Herstellung oder Behandlung dieser Bauelemente oder Teilen davon
10
Auswahl von Materialien
H Elektrotechnik
01
Grundlegende elektrische Bauteile
L
Halbleiterbauelemente; elektrische Festkörperbauelemente, soweit nicht anderweitig vorgesehen
43
Bauelemente mit galvanomagnetischen oder ähnlichen magnetischen Effekten; Verfahren oder Vorrichtungen, besonders ausgebildet für die Herstellung oder Behandlung dieser Bauelemente oder Teilen davon
12
Verfahren oder Vorrichtungen, besonders ausgebildet für die Herstellung oder Behandlung dieser Bauelemente oder Teilen davon
Anmelder:
KARPOV, Elijah V. [US/US]; US
KENCKE, David L. [US/US]; US
MAJHI, Prashant [IN/US]; US
DOYLE, Brian S. [IE/US]; US
INTEL CORPORATION [US/US]; 2200 Mission College Boulevard Santa Clara, California 95054, US
Erfinder:
KARPOV, Elijah V.; US
KENCKE, David L.; US
MAJHI, Prashant; US
DOYLE, Brian S.; US
Vertreter:
BRASK, Justin, K.; US
Prioritätsdaten:
Titel (EN) PHASE-CHANGE MATERIAL BASED SELECTOR FOR LOW VOLTAGE BIPOLAR MEMORY DEVICES AND THEIR METHODS OF FABRICATION
(FR) SÉLECTEUR À BASE DE MATÉRIAU À CHANGEMENT DE PHASE POUR DISPOSITIFS DE MÉMOIRE BIPOLAIRE BASSE TENSION ET LEURS PROCÉDÉS DE FABRICATION
Zusammenfassung:
(EN) A memory device includes a wordline disposed above a substrate and a selector element disposed above the wordline, where the selector element includes a phase change material. The memory device further includes a bipolar memory element dsiposed above the wordline, a conductive electrode between the selector element and the bipolar memory element and a bitline diposed above the wordline.
(FR) L'invention concerne un dispositif de mémoire qui comprend une ligne de mots disposée au-dessus d'un substrat et un élément de sélecteur disposé au-dessus de la ligne de mots, l'élément de sélecteur comprenant un matériau à changement de phase. Le dispositif de mémoire comprend en outre un élément de mémoire bipolaire disposé au-dessus de la ligne de mots, une électrode conductrice entre l'élément de sélecteur et l'élément de mémoire bipolaire, et une ligne de bits disposée au-dessus de la ligne de mots.
front page image
Designierte Staaten: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
African Regional Intellectual Property Organization (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasische Patentorganisation (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Europäisches Patentamt (EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Veröffentlichungssprache: Englisch (EN)
Anmeldesprache: Englisch (EN)