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1. (WO2019005152) DIE BACK SIDE STRUCTURES FOR WARPAGE CONTROL
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Veröff.-Nr.: WO/2019/005152 Internationale Anmeldenummer PCT/US2017/040482
Veröffentlichungsdatum: 03.01.2019 Internationales Anmeldedatum: 30.06.2017
IPC:
H01L 23/485 (2006.01) ,H01L 23/36 (2006.01) ,H01L 23/00 (2006.01) ,H01L 21/027 (2006.01)
H Elektrotechnik
01
Grundlegende elektrische Bauteile
L
Halbleiterbauelemente; elektrische Festkörperbauelemente, soweit nicht anderweitig vorgesehen
23
Einzelheiten von Halbleiter- oder anderen Festkörperbauelementen
48
Anordnungen zur Stromleitung zu oder von dem im Betrieb befindlichen Festkörper, z.B. Zuleitungen oder Anschlüsse
482
bestehend aus Zuleitungsschichten, die untrennbar auf den Halbleiterkörper aufgebracht sind
485
die schichtweise aus leitenden und isolierenden Schichten aufgebaut sind, z.B. Planar- Kontakte
H Elektrotechnik
01
Grundlegende elektrische Bauteile
L
Halbleiterbauelemente; elektrische Festkörperbauelemente, soweit nicht anderweitig vorgesehen
23
Einzelheiten von Halbleiter- oder anderen Festkörperbauelementen
34
Anordnungen zum Kühlen, Heizen, Belüften oder zur Temperaturkompensation
36
Auswahl des Materials oder der Form, um die Kühlung oder Heizung zu erleichtern, z.B. Wärmesenken
H Elektrotechnik
01
Grundlegende elektrische Bauteile
L
Halbleiterbauelemente; elektrische Festkörperbauelemente, soweit nicht anderweitig vorgesehen
23
Einzelheiten von Halbleiter- oder anderen Festkörperbauelementen
H Elektrotechnik
01
Grundlegende elektrische Bauteile
L
Halbleiterbauelemente; elektrische Festkörperbauelemente, soweit nicht anderweitig vorgesehen
21
Verfahren oder Geräte, besonders ausgebildet für die Herstellung oder Behandlung von Halbleiter- oder Festkörperbauelementen oder Teilen davon
02
Herstellung oder Behandlung von Halbleiterbauelementen oder Teilen davon
027
Herstellung von Masken auf Halbleiterkörpern für ein folgendes fotolithografisches Verfahren, soweit nicht von H01L21/18 oder H01L21/34178
Anmelder:
INTEL CORPORATION [US/US]; 2200 Mission College Blvd. Santa Clara, California 95054, US
Erfinder:
EID, Feras; US
GUTHIKONDA, Venkata Suresh R.; US
DEVASENATHIPATHY, Shankar; US
JHA, Chandra M.; US
CHANG, Je-Young; US
YAZZIE, Kyle; US
RAGHAVAN, Prasanna; US
MALATKAR, Pramod; US
Vertreter:
BRASK, Justin, K.; US
Prioritätsdaten:
Titel (EN) DIE BACK SIDE STRUCTURES FOR WARPAGE CONTROL
(FR) STRUCTURES DE FACE ARRIÈRE DE PUCE POUR UNE COMMANDE DE GAUCHISSEMENT
Zusammenfassung:
(EN) A foundation layer having a stiffener and methods of forming a stiffener are described. One or more dies are formed over the foundation layer. Each die has a front side surface that is electrically coupled to the foundation layer and a back side surface that is opposite from the front side surface. A stiffening layer (or a stiffener) is formed on the back side surface of at least one of the dies. The stiffening layer may be directly coupled to the back side surface of the one or more dies without an adhesive layer. The stiffening layer may include one or more materials, including at least one of a metal, a metal alloy, and a ceramic. The stiffening layer may be formed to reduce warpage based on the foundation layer and the dies. The one or more materials of the stiffening layer can be formed using a cold spray.
(FR) La présente invention porte sur une couche de base ayant un raidisseur et sur des procédés de formation d'un raidisseur. Une ou plusieurs puces sont formées sur la couche de base. Chaque puce comporte une surface de face avant qui est couplée électriquement à la couche de base et une surface de face arrière qui est opposée à la surface de face avant. Une couche de raidissement (ou un raidisseur) est formée sur la surface de face arrière d'au moins l'une des puces. La couche de raidissement peut être directement couplée à la surface de face arrière de la ou des puces sans couche adhésive. La couche de raidissement peut comprendre un ou plusieurs matériaux, comprenant un métal et/ou un alliage métallique et/ou une céramique. La couche de raidissement peut être formée de sorte à réduire le gauchissement sur la base de la couche de base et des puces. Le ou les matériaux de la couche de raidissement peuvent être formés à l'aide d'un spray froid.
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Designierte Staaten: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
African Regional Intellectual Property Organization (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasische Patentorganisation (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Europäisches Patentamt (EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Veröffentlichungssprache: Englisch (EN)
Anmeldesprache: Englisch (EN)