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1. (WO2019005129) SPIN HALL EFFECT MAGNETIC RANDOM-ACCESS MEMORY BITCELL
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Veröff.-Nr.: WO/2019/005129 Internationale Anmeldenummer PCT/US2017/040406
Veröffentlichungsdatum: 03.01.2019 Internationales Anmeldedatum: 30.06.2017
IPC:
G11C 11/16 (2006.01) ,H01L 43/08 (2006.01) ,H01L 27/22 (2006.01)
G Physik
11
Informationsspeicherung
C
Statische Speicher
11
Digitale Speicher, gekennzeichnet durch die Verwendung besonderer elektrischer oder magnetischer Speicherelemente; Speicherelemente hierfür
02
mit magnetischen Elementen
16
mit Elementen, in denen der Speichereffekt auf dem magnetischen Spineffekt beruht
H Elektrotechnik
01
Grundlegende elektrische Bauteile
L
Halbleiterbauelemente; elektrische Festkörperbauelemente, soweit nicht anderweitig vorgesehen
43
Bauelemente mit galvanomagnetischen oder ähnlichen magnetischen Effekten; Verfahren oder Vorrichtungen, besonders ausgebildet für die Herstellung oder Behandlung dieser Bauelemente oder Teilen davon
08
durch ein Magnetfeld steuerbare Widerstände
H Elektrotechnik
01
Grundlegende elektrische Bauteile
L
Halbleiterbauelemente; elektrische Festkörperbauelemente, soweit nicht anderweitig vorgesehen
27
Bauelemente, die aus einer Mehrzahl von in oder auf einem gemeinsamen Substrat ausgebildeten Halbleiter- oder anderen Festkörperschaltungselementen bestehen [integrierte Schaltungen]
22
mit Schaltungselementen, die galvanomagnetische Effekte, z.B. den Hall-Effekt, ausnutzen; die ähnliche Magnetfeld-Effekte ausnutzen
Anmelder:
INTEL CORPORATION [US/US]; 2200 Mission College Boulevard Santa Clara, California 95054, US
Erfinder:
WANG, Yih; US
MANIPATRUNI, Sasikanth; US
Vertreter:
WAGAR, Bruce A.; US
Prioritätsdaten:
Titel (EN) SPIN HALL EFFECT MAGNETIC RANDOM-ACCESS MEMORY BITCELL
(FR) CELLULE BINAIRE DE MÉMOIRE VIVE MAGNÉTIQUE À EFFET HALL DE SPIN
Zusammenfassung:
(EN) A spin Hall effect magnetoresistive random-access memory cell includes first and second access transistors in a device level of a semiconductor device, a wordline in the device level and coupled to gate terminals of the first and second access transistors, first and second source lines in a lowest metal interconnect layer of the semiconductor device and coupled to source terminals of the first and second access transistors, respectively, spin Hall metal in a lower portion of a second lowest metal interconnect layer and coupling drain terminals of the first and second access transistors, a magnetic tunnel junction (MTJ) in an upper portion of the second lowest metal interconnect layer and having a bottom terminal coupled to the spin Hall metal, and a bitline in a third lowest metal interconnect layer and coupled to a top terminal of the MTJ.
(FR) L'invention concerne une cellule de mémoire vive magnétorésistive à effet Hall de spin qui comprend des premier et second transistors d'accès au niveau du dispositif d'un dispositif semi-conducteur, une ligne de mots au niveau du dispositif et couplée à des bornes de grille des premier et second transistors d'accès, des première et seconde lignes de source dans une couche d'interconnexion métallique la plus basse du dispositif à semi-conducteur et couplées à des bornes de source des premier et second transistors d'accès, respectivement, font tourner du métal à effet Hall de spin dans une partie inférieure d'une seconde couche d'interconnexion métallique la plus basse et des bornes de drain de couplage des premier et second transistors d'accès, une jonction tunnel magnétique (MTJ) dans une partie supérieure de la seconde couche d'interconnexion métallique la plus basse et comportant une borne inférieure couplée au métal à effet Hall de spin, et une ligne de bits dans une troisième couche d'interconnexion métallique la plus basse et couplée à une borne supérieure de la MTJ.
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Eurasische Patentorganisation (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Europäisches Patentamt (EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Veröffentlichungssprache: Englisch (EN)
Anmeldesprache: Englisch (EN)